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[实用新型]一种测试结构-CN202021102544.6有效
发明人：孟丽华;王兴;李洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种测试结构，包括：至少两层层叠分布的离子注入层，所述离子注入层至少包括顶层离子注入层和待测离子注入层，所述待测离子注入层与相邻的离子注入层电绝缘；辅助测试层，与所述待测离子注入层和所述顶层离子注入层邻接，所述辅助测试层与所述待测离子注入层电连通且与邻接的其他离子注入层电绝缘；第一导电引线，所述第一导电引线与所述辅助测试层电连接。本申请的测试结构可以测试多层离子注入层的电阻。
一种测试结构

[发明专利]P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法-CN201910937992.3在审
发明人：张鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法，涉及半导体集成电路制造工艺，在P型阱结构的离子注入过程中，通过在阱的抑制穿通离子注入工艺与阈值电压调整离子注入工艺之间加入碳离子注入工艺，以在抑制穿通离子注入层与阈值电压调整离子注入层之间形成一层碳离子注入层的非晶化层，该非晶化层能抑制抑制穿通离子注入层的离子往阈值电压调整离子注入层扩散，保持PN结较浅掺杂一侧的浓度不变，阻止PN结寄生电容的增加
离子注入层阈值电压调整穿通离子注入工艺非晶化层碳离子离子半导体集成电路制造离子注入过程寄生电容浅掺杂注入层扩散制作

[发明专利]一种MPS二极管及其制造方法-CN201510316311.3在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲;姜春亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种MPS二极管及其制造方法，所述MPS二极管包括：衬底，依次设置在所述衬底上的外延层和金属层，所述二极管还包括：埋置在所述外延层内部并与所述金属层接触的多个离子注入区，所述离子注入区通过在所述外延层中注入掺杂离子形成，所述离子注入区包括第一离子注入区和第二离子注入区，所述第二离子注入区嵌入在所述第一离子注入区中，并且所述第一离子注入区的上表面和所述第二离子注入区的上表面均与所述金属层接触。本发明通过多次离子注入降低了器件的漏电流，减小了器件的通态压降，提高了器件性能。
一种 mps 二极管及其制造方法

[发明专利]半导体结构、晶体管结构的制备方法及半导体处理设备-CN201810509730.2在审
发明人：刘铁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明一种基于低温离子注入的半导体结构、晶体管制备及半导体处理设备，半导体结构制备包括：提供待处理结构，定义具有离子注入面的离子注入层区；对待处理结构进行降温处理，自离子注入面进行离子注入，在离子注入的过程中，离子注入层区转换成恢复损伤结晶层区和晶格破坏非晶层区，降温处理减缓离子注入层区内部的自退火效应，减小恢复损伤结晶层区区域的大小；进行退火处理，晶格破坏非晶层区转换成重结晶层区，恢复损伤结晶层区转换成结晶缺陷层区本发明通过对待处理结构进行离子注入的过程中同时对其进行降温，在低温条件下进行离子注入，减缓了离子注入过程中的自退火效应，从而减少退火后的EOR缺陷，减少结漏电流，减少电子器件的功耗。
离子结晶层离子注入层处理结构半导体结构损伤降温处理非晶层自退火晶格制备半导体处理设备离子注入过程退火结晶缺陷层离子注入面恢复低温离子低温条件电子器件结漏电流退火处理转换成重转换晶体管功耗减小

[发明专利]避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法-CN201410217833.3在审
发明人：范荣伟;何广智;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，包括：在介质薄膜上直接形成离子注入层光阻层，并利用离子注入层光阻层执行离子注入；在离子注入之后执行去除离子注入层光阻层的工艺；在执行去除离子注入层光阻层的工艺之后，全部或部分地去除与离子注入层光阻层直接接触的介质薄膜；重新生长与介质薄膜材料相同的等效介质薄膜；以及在等效介质薄膜上沉积另一介质层。
避免离子注入层后光阻导致薄膜中毒方法

[发明专利]用于小尺寸CIS器件的离子注入方法-CN202110641224.0在审
发明人：肖敬才;邱元元;孙少俊;黄鹏;朱作华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于小尺寸CIS器件的离子注入方法，涉及半导体制造领域。该用于小尺寸CIS器件的离子注入方法包括在衬底上形成离子注入掩膜层，所述离子注入掩膜层的材料为非晶硅或多晶硅；在所述衬底表面形成APF薄膜；通过光刻和刻蚀工艺，在所述APF薄膜中形成高能注入区域图案；以刻蚀后的APF薄膜为掩膜刻蚀所述离子注入掩膜层，在所述离子注入掩膜层中形成所述高能注入区域图案；对所述衬底进行高能离子注入，在所述衬底中形成高能离子注入区；达到了满足小线宽下更大的离子注入深度，优化小尺寸CIS器件的离子注入工艺的效果。
用于尺寸 cis 器件离子注入方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201510532179.X有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供有离子注入区和非离子注入区的半导体衬底，离子注入区的半导体衬底具有鳍部；形成位于鳍部两侧的半导体衬底表面的过渡隔离结构，过渡隔离结构的整个表面低于鳍部的顶部表面且高于待形成的目标隔离结构表面；形成过渡隔离结构后，形成覆盖非离子注入区的离子注入阻挡层，离子注入阻挡层暴露整个离子注入区；以离子注入阻挡层为掩膜，采用第二离子注入在离子注入区的过渡隔离结构中注入第二离子，且使得第二离子扩散进入过渡隔离结构侧部的鳍部中；然后去除离子注入阻挡层；去除离子注入阻挡层后，去除部分过渡隔离结构，形成目标隔离结构。
场效应晶体管形成方法

[发明专利]浮动结碳化硅结势垒肖特基二极管及其制造方法-CN201811476115.2在审
发明人：吴明晃;廖奇泊;陈本昌 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明浮动结碳化硅结势垒肖特基二极管及其制造方法，包括：基底；N‑外延层，N‑外延层设置在基底的一侧；P+离子注入层，P+离子注入层设置在N‑外延层上；N+离子注入层，N+离子注入层设置在P+离子注入层上；介电层，介电层设置在N+离子注入层上；第一金属层，第一金属层设置在N+离子注入层上，第一金属层位于介电层内；防护层，防护层设置在介电层及第一金属层上；其中在P+离子注入层与N+离子注入层内形成PN浮动结
离子注入层第一金属层介电层浮动结外延层碳化硅结势垒肖特基二极管正向电流防护层基底长期可靠性反向漏电均匀性能阶制造架构优化

[发明专利]离子注入机台的测试方法-CN201510963714.7有效
发明人：姚雷;张凌越;朱云;国子明;范世炜;郭国超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种离子注入机台的测试方法，用于测试离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定，所述测试方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成氧化物层，从而使所述晶圆成为测试晶圆；将所述测试晶圆放置到离子注入机台的离子注入腔室中；在所述离子注入腔室中对所述测试晶圆进行离子注入；在所述离子注入后，测量所述氧化物层的电荷，根据所述电荷判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入。所述测试方法能够准确判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定。
离子注入机台测试方法

[发明专利]一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法-CN201711222270.7在审
发明人：王弋宇;吴佳;周正东;张文杰;刘东;杨程;史晶晶;李诚瞻;吴煜东 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。本发明可以显著提升离子注入厚掩膜的陡直性，并简化离子注入掩膜制备工艺和去除工艺。
掩膜离子碳化硅材料第一层陡直性选择性离子注入高能离子碳化硅去除离子注入掩膜表面沉积高温离子光刻显影掩膜表面制备工艺光刻胶侧壁沉积光滑刻蚀面刻显影匀光清洗阻挡

[发明专利]氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统-CN202010384551.8有效
发明人：周平华;李飞 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统，能够实现对氢离子注入剂量变化的检测，从而提高薄膜转移的质量，提高半导体器件的制备良率。其中，所述氢离子注入剂量检测方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内注入有氢离子，形成有氢离子注入层；检测所述氢离子注入层的厚度变化，并在所述氢离子注入层的厚度发生的变化超过预设值时判定所述氢离子的注入剂量发生变化
氢离子注入剂量检测方法以及系统

[发明专利]一种用于SiC器件的离子注入方法-CN201810979262.5在审
发明人：朱继红;蔺增金;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开一种用于SiC器件的离子注入方法。方法包括：在常温下以预定角度的掠射角进行离子注入，该方法还包括：在SiC材料表面形成用于离子注入的缓冲层；对缓冲层进行光刻形成离子注入的图案化层；以及利用图案化层进行离子注入。
离子图案化层缓冲层表面形成常温下掠射角光刻

[发明专利]一种碳化硅器件的离子注入方法-CN201811391500.7有效
发明人：秦龙;宋洁晶;胡泽先;高渊;高昶;孙虎;赵红刚;吕鑫;朱延超;高三磊;王强栋;吕树海;刘相伍 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。
一种碳化硅器件离子注入方法

[发明专利]一种离子注入层图形套准偏差的检测方法-CN201710564688.X有效
发明人：张婉婷 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入层图形套准偏差的检测方法。所述离子注入层图形套准偏差的检测方法，包括：在所述氧化层表面形成具有多对多晶硅条的多晶硅层；在所述多对多晶硅条的基础上分别制作离子注入层光刻图形；在所述多晶硅层进行离子注入处理；通过对所述多晶硅条进行电阻测试来检测所述离子注入层光刻图形的套准偏差情况本发明提供的方法可以通过提供离子注入层电性测试结构，确保在产品电性测试测量阶段可以通过测量离子注入层的电性参数来反映离子注入层光刻图形的套准偏差程度。
一种离子注入图形偏差检测方法

[发明专利]离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法-CN201410098578.5有效
发明人：国子明;王毅;郭国超;姚雷;郝志 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法，其中，所述离子注入机的工艺能力的监控方法包括提供一裸片晶圆；在裸片晶圆上依次沉积氧化层和多晶硅层；对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆；测试测试晶圆的电阻值，并判断该电阻值是否符合控制要求；其中，进行离子注入时对离子注入机的聚焦电压进行了设置。在本发明提供的离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法中，通过在裸片晶圆上依次形成氧化层和多晶硅层，并对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆，测试测试晶圆的电阻值能够对离子注入机的工艺能力实现有效地监控，而在离子注入时通过调节聚焦电压提高多晶硅栅极离子注入工艺的稳定性亦是本发明的内容之一。
离子注入工艺能力监控方法

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