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[发明专利]半导体结构、晶体管结构的制备方法及半导体处理设备-CN201810509730.2在审
发明人：刘铁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明一种基于低温离子注入的半导体结构、晶体管制备及半导体处理设备，半导体结构制备包括：提供待处理结构，定义具有离子注入面的离子注入层区；对待处理结构进行降温处理，自离子注入面进行离子注入，在离子注入的过程中，离子注入层区转换成恢复损伤结晶层区和晶格破坏非晶层区，降温处理减缓离子注入层区内部的自退火效应，减小恢复损伤结晶层区区域的大小；进行退火处理，晶格破坏非晶层区转换成重结晶层区，恢复损伤结晶层区转换成结晶缺陷层区本发明通过对待处理结构进行离子注入的过程中同时对其进行降温，在低温条件下进行离子注入，减缓了离子注入过程中的自退火效应，从而减少退火后的EOR缺陷，减少结漏电流，减少电子器件的功耗。
离子结晶层离子注入层处理结构半导体结构损伤降温处理非晶层自退火晶格制备半导体处理设备离子注入过程退火结晶缺陷层离子注入面恢复低温离子低温条件电子器件结漏电流退火处理转换成重转换晶体管功耗减小

[发明专利]离子注入机台的测试方法-CN201510963714.7有效
发明人：姚雷;张凌越;朱云;国子明;范世炜;郭国超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种离子注入机台的测试方法，用于测试离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定，所述测试方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成氧化物层，从而使所述晶圆成为测试晶圆；将所述测试晶圆放置到离子注入机台的离子注入腔室中；在所述离子注入腔室中对所述测试晶圆进行离子注入；在所述离子注入后，测量所述氧化物层的电荷，根据所述电荷判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入。所述测试方法能够准确判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定。
离子注入机台测试方法

[发明专利]一种检测离子注入腔中中子含量的装置和方法-CN201811582671.8有效
发明人：曾绍海;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测离子注入腔中中子含量的装置，包括离子注入腔、离子源、数据收集模块和处理模块，所述离子注入腔中放置表面涂有光刻胶的衬底，所述离子源对所述衬底中的光刻胶进行离子注入，离子注入过程中产生的中子与光刻胶中C、H、O元素的原子核相互作用，产生γ射线，所述数据收集模块用于测量所述离子注入腔中γ射线的强度，并将该强度传输至所述处理模块，所述处理模块根据γ射线的强度计算出离子注入过程中产生的中子含量。本发明提供的一种检测离子注入腔中中子含量的装置和方法，通过测量Υ射线的强度，进而可以测量出高能离子注入过程中产生的中子含量。
一种检测离子注入中子含量装置方法

[发明专利]离子注入测试体、离子注入区掩膜版及离子注入测试方法-CN200710046216.1有效
发明人：丁宇;居建华;赖李龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-17 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。利用所述离子注入测试体可在离子注入制程检测过程中较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。本发明还提供了一种离子注入区掩膜版，以形成具有可较真实地反映产品离子注入制程制造效果的离子注入区的离子注入测试体；本发明还提供了一种离子注入测试方法，使得离子注入制程检测操作可较真实地反映产品离子注入制程的制造效果
离子注入测试区掩膜版方法

[发明专利]轻掺杂离子注入方法-CN200810039152.7无效
发明人：阳厚国;史旭;王蒙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-06-18 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种轻掺杂离子注入方法，涉及半导体领域的离子注入制程。现有的轻掺杂离子注入方法容易发生通道效应。本发明的轻掺杂离子注入方法以原子团为单位向晶圆进行离子注入，所述原子团包括至少两个注入离子。所述注入离子在注入过程中形成离子束，其中离子束每平方厘米流过的电流为1.8-2.5毫安。与现有技术相比，本发明提供的轻掺杂离子注入方法，通过每次注入由至少两个离子组成的原子团来提高撞击的面积，从而减少发生通道效应的几率，提高晶圆的产出量；通过合理设置离子束的电流值，以减少在离子注入过程中产生的损耗
掺杂离子注入方法

[发明专利]P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法-CN201910937992.3在审
发明人：张鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法，涉及半导体集成电路制造工艺，在P型阱结构的离子注入过程中，通过在阱的抑制穿通离子注入工艺与阈值电压调整离子注入工艺之间加入碳离子注入工艺，以在抑制穿通离子注入层与阈值电压调整离子注入层之间形成一层碳离子注入层的非晶化层，该非晶化层能抑制抑制穿通离子注入层的离子往阈值电压调整离子注入层扩散，保持PN结较浅掺杂一侧的浓度不变，阻止PN结寄生电容的增加
离子注入层阈值电压调整穿通离子注入工艺非晶化层碳离子离子半导体集成电路制造离子注入过程寄生电容浅掺杂注入层扩散制作

[发明专利]一种离子注入的方法-CN202010674035.9有效
发明人：王金翠;张涛;张秀全;刘桂银;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请公开了一种离子注入的方法，所述方法同时对多片晶片进行大束流离子注入，所述多片晶片在冷却周期内被轮流注入，每片晶片均经过多轮离子注入而最终完成离子注入，所述方法能够采用大束流对晶片进行离子注入，并且在离子注入的过程中能够控制每片晶片的温度均在预设温度范围内，既提高离子注入效率，也能够避免注入片发生翘曲，最终保证所制备薄膜的性能。
一种离子注入方法

[发明专利]离子注入模拟方法-CN200610026759.2有效
发明人：李家豪;李素萍;刘巍;赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入模拟方法，包括：首先，得到不同离子注入剖面的实测注入离子分布曲线；然后，利用TCAD工具，设定模拟函数，拟合所述注入离子分布曲线，得到注入离子分布模拟基础曲线，并获得模拟基础数据；从模拟基础数据中提取模拟参数，通过模拟运算，获得模拟参数数据系列，形成离子注入参数矩阵；利用离子注入参数矩阵，模拟不同离子注入过程，获得注入离子分布系列曲线；最后，通过所述注入离子分布系列曲线得出离子注入参数的变化对注入离子在材料内分布的影响规律应用本发明方法可提供离子注入工艺控制窗口，优化离子注入工艺设计；同时，减少了模拟运行的时间，提高了工艺设计及生产运行的效率，降低了研发成本。
离子注入模拟方法

[发明专利]源漏极离子注入方法及注入系统-CN201811460106.4有效
发明人：李勇;董卫一鸣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种源漏极离子注入方法及注入系统，所述注入方法包括：建立机台及在制品信息表；在当前批次晶圆的下一处理工序为执行源漏极离子注入的工序情况下，执行寻找可以采用连续注入工序对晶圆进行源漏极离子注入的离子注入机台；对找到的离子注入机台进行设定，将分层次注入工序整合成连续注入工序；根据找到的离子注入机台以及待执行源漏极离子注入工艺的晶圆形成第一派工列表；根据第一派工列表将晶圆对应分配至所述离子注入机台；以及离子注入机台根据所述连续注入工序对晶圆进行源漏极离子注入本发明将上述形成N阱的离子注入工艺过程在同一台离子注入机台中完成，实现了源漏极的连续注入，减少晶圆缺陷的产生，降低良率损失。
源漏极离子注入方法系统

[发明专利]一种离子注入剂量测量方法-CN202310488061.6在审
发明人：崔伟胜;张若兵 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：一种离子注入剂量测量方法，用于在离子注入装置对被处理物完成离子注入后的离子注入剂量的测量，该装置包括交流高压电极、直流负电压电极以及多孔地电极，被处理物放置在直流负电压电极朝向多孔地电极设置的阻挡介质上；测量方法包括：获取在直流负电压电极上施加的电压值，以及直流负电压电极与被处理物离子注入后上表面电荷层之间的电容值；根据电压值和电容值计算注入被处理物的电荷量；根据电荷量确定离子注入剂量。本发明通过离子注入前后的系统稳态参数计算离子注入剂量，无需测量离子注入过程中的暂态参数，解决了传统离子注入测量方法需对注入电流实时高精度检测，技术要求难度大、成本高的问题，可极大降低离子注入技术的应用成本
一种离子注入剂量测量方法

[发明专利]离子注入角的监测方法-CN201510296748.5有效
发明人：卢合强;吴兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入角度的监测方法，包括：提供多片监测晶片；将监测晶片依次放入离子注入机内进行离子注入；监测晶片具有一定的离子注入倾斜角及晶片旋转角，且任意两片监测晶片的离子注入倾斜角及晶片旋转角中至少一者互不相等采用热波量测离子注入完成的监测晶片的表面，以获得热波值，根据热波值判断离子注入角的准确性。本发明通过在离子注入的过程中使得不同监测晶片具有不同的离子注入倾斜角或旋转角，并将得到的监测晶片进行热波量测后进行比对分析，有效地排除了晶格偏移的影响，使得监测的结果具有更高的准确性；同时，整个监测过程只需要对六片监测晶片进行离子注入和热波量测分析
离子注入监测方法

[发明专利]离子注入角度监控方法-CN201310630276.3有效
发明人：胡荣;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入角度监控方法，包含提供一晶片；利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理；进行数据测量，建立电阻值—注入角度特征曲线，并确定监控参考角度，将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的晶片电阻值；根据所测量的晶片电阻值与电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性。本发明能够对离子注入过程中晶片的偏转角度进行准确的监控。
离子注入角度监控方法

[发明专利]离子注入机清洁方法-CN201911375758.2有效
发明人：曹志伟;郑刚;马富林 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及离子注入工艺中的离子注入机清洁方法。包括：确定离子注入过程中的在前离子源种类和待转换离子源种类；施加电场，根据在前离子源种类，向离子注入机中通入第一处理气体，使得第一处理气体电离形成第一处理离子束；使得第一处理离子束对离子注入机的反应室进行第一阶段清洁处理；根据待转换离子源种类，向离子注入机中通入第二处理气体，使得第二处理气体电离形成第二处理离子束；使得第二处理离子束照射离子注入机的反应室和管路，对离子注入机的反应室和管路进行第二阶段清洁处理。本发明根据离子源种类，向离子注入机中通入不同的清洁气体，可以解决相关技术难以适应各种离子注入过程中的清洁需求问题。
离子注入清洁方法

[发明专利]一种晶圆的离子注入方法-CN202111539094.6在审
发明人：陈展奋;李梅霞;蓝玉国 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的离子注入方法，包括以下步骤：将晶圆放置于离子注入机台的晶圆耙盘上；对晶圆依次进行N次离子注入直至达到预设离子注入剂量，其中，N为大于1的整数，且每次离子注入完毕之后，先将晶圆绕晶圆的中心轴往同一方向旋转360/N度后再进行下一次离子注入，所述中心轴经过晶圆的中心，且垂直于晶圆所在平面。本发明的晶圆的离子注入方法对离子注入工艺的流程进行了改进，将离子注入过程分为多次进行，每次离子注入完毕后，将晶圆旋转360/N度后再进行下一次离子注入，可以有效消除束流微小角度偏差给产品带来的影响，可以简易而有效地提升晶圆离子注入均匀性
一种离子注入方法

[发明专利]一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法-CN201711352850.8有效
发明人：张全飞 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法，应用在离子注入工艺中，包括以下步骤：获取问题晶圆当前的离子注入量与第二检测值之间的比值；提供一测试晶圆，根据比值于测试晶圆上注入离子形成一与问题晶圆等效的测试晶圆；终止对测试晶圆的注入，离子注入设备根据对测试晶圆的离子注入过程形成一新的晶圆注入记录；离子注入设备根据新的晶圆注入记录对问题晶圆执行离子注入，最终使问题晶圆完成离子完全注入。其技术方案的有益效果在于，克服了现有技术中当离子注入设备出现异常故障(比如系统软件坏死)，离子设备无法获得关于问题晶圆的注入记录即获得问题晶圆补救方法的问题。
一种丢失离子注入记录补救方法

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