专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2577426个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]LED外延生长方法及LED外延-CN201410263498.0在审
  • 农明涛 - 湘能华磊光电股份有限公司
  • 2014-06-13 - 2014-08-20 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种LED外延生长方法及LED外延,生长P型GaN步骤为:A、在温度为900-950℃,反应腔压力在200-600mbar的反应室内,通入NH3、Cp2Mg,关闭TMGa,做10-20秒掺Mg预处理;B、通入TMGa,关掉Cp2Mg,生长20-40秒GaN,GaN厚度为5-10nm;重复步骤A、B10-20次,直至P型GaN的总厚度为80-200nm。本申请使用delta掺杂生长p型GaN,改善p型GaN的结晶质量降低位错密度,提高P-GaN空穴浓度及其迁移率,为LED器件发光有源区提供更多的空穴-电子对,提高复合几率,提升亮度,从而改善LED器件的光电性能
  • led外延生长方法
  • [发明专利]LED外延生长方法及LED外延-CN201410165324.0有效
  • 张宇;林传强;农民涛;周佐华 - 湘能华磊光电股份有限公司
  • 2014-04-23 - 2014-07-30 - C23C16/34
  • 本发明提供了一种提高PMg激活效率的LED外延生长方法及制得的LED外延,生长方法中的生长P型GaN步骤为:在温度930-950℃,压力200-600mbar的反应室内,重复间隔性地通入A、B两组原料,直至P型GaN的厚度为100-300nm;A组原料为NH3、TMGa和Cp2Mg源,生成5-20nmnm的GaN:Mg;B组原料为NH3、TMGa、Cp2Mg和SiH4,生成5-10nm的掺Mg和Si的GaN。本发明通过调整P型GaN生长方式,将高温P型GaN设计为GaN:Mg和GaN:Mg/Si超晶格,改善空穴迁移率,降低驱动电压,提高空穴对发光的注入,增加器件的发光效率。
  • led外延生长方法
  • [发明专利]一种外延生长方法及外延-CN202110973451.3在审
  • 杨静雯;刘勇兴;周毅;黄嘉宏;黄国栋 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2021-08-24 - 2022-02-11 - C30B25/14
  • 本申请涉及一种外延生长方法及外延。在硅衬底上生长氮化镓之前,会先在硅衬底上生长氮化铝,利用氮化铝减小了硅衬底与氮化镓之间的晶格失配,提升了后续所生长的氮化镓的晶体质量。而且,生长氮化铝时铝源是持续通入反应室,而氮源则是脉冲式地通入,氮源的脉冲式通入为铝原子提供了足够的迁移时间,使得铝原子有更多的机会结合硅衬底上最有利的晶格位点,在硅衬底平面生形成更多更小的成核位点,减少了聚结缺陷,提升了氮化铝的质量,为生长高质量氮化镓、高质量外延提供了可靠基础。
  • 一种外延生长方法
  • [发明专利]氮化镓外延-CN202111116823.7在审
  • 李克涛;杜晓沨;李宁;张信 - 国际商业机器公司
  • 2021-09-23 - 2022-05-06 - H01L29/06
  • 本公开涉及氮化镓外延。例如,提供了一种制造电子器件的方法。该方法包括在硅基衬底上形成介电,蚀刻掉介电的部分以形成介电的剩余部分的交叉网格图案并暴露介电被去除的区域中的衬底,在衬底上在介电的剩余部分的侧壁之间的生长区域中形成GaN基层,以及在GaN基层上形成半导体器件
  • 氮化外延
  • [发明专利]外延剥离方法-CN201911042035.0有效
  • 胡红坡;董彬忠;李鹏;王江波 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2019-10-30 - 2022-03-18 - H01L21/02
  • 本公开公开了一种外延剥离方法,属于光电子制造技术领域。以每个凸台上的成核岛为生长点形成薄膜,每个凸台上的薄膜横向生长最后连接形成蚀刻牺牲,结合覆盖在第一表面上的TiO2薄膜的厚度小于凸台的厚度,覆盖在第一表面上的TiO2薄膜与凸台存在高度差,蚀刻牺牲与TiO2薄膜之间形成流动空间。紫外线辐射TiO2薄膜,提高TiO2薄膜的亲水性,蚀刻牺牲与基底浸泡至刻蚀液中,TiO2薄膜引导刻蚀液在流动空间内快速流动,对蚀刻牺牲进行快速均匀的刻蚀,避免出现部分外延没有完全脱离基底而部分外延受到刻蚀的情况。
  • 外延剥离方法
  • [发明专利]外延的制备方法以及含外延的半导体-CN202211244026.1在审
  • 付志强;朱红波;苏小鹏 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-10-12 - 2022-11-08 - C30B25/20
  • 本发明提供一种外延的制备方法以及含外延的半导体,制备方法包括:提供一衬底;在外延腔室的内壁形成硅膜,所述硅膜不掺杂;在所述外延腔室内生长位于所述衬底上的第一外延,所述第一外延不掺杂或者低掺杂;在所述外延腔室内生长位于所述第一外延上的第二外延,所述第二外延掺杂。在外延腔室的内壁形成硅膜,避免外延腔室的杂质扩散掺杂到后续形成的第一外延和第二外延,降低了自掺杂效应;衬底与第二外延之间间隔第一外延,第一外延不掺杂或者低掺杂,通过第一外延的过渡或间隔,避免了衬底中的杂质向第二外延的扩散,第二外延为产品真正起作用的外延,降低了自掺杂效应,提高了掺杂均匀性。
  • 外延制备方法以及半导体
  • [发明专利]外延结构及其形成方法-CN202211249958.5在审
  • 方信乔;王信介;赖彦霖 - 錼创显示科技股份有限公司
  • 2022-10-12 - 2023-01-17 - C30B25/14
  • 本发明提供一种外延结构及外延结构形成方法,外延结构包括第一外延、第二外延及界面处理。第一外延为欧姆接触。第二外延配置于第一外延上,且为含磷化合物,其中第二外延的材质相异于第一外延的材质。界面处理接触第一外延与第二外延,且位于第一外延与第二外延之间。界面处理与第一外延的透射电子显微镜的图像亮度对比值及界面处理与第二外延的透射电子显微镜的图像亮度对比值均大于1.005。
  • 外延结构及其形成方法
  • [发明专利]获得外延工艺条件的方法、外延的形成方法-CN202310835203.1在审
  • 丁科允 - 江苏天芯微半导体设备有限公司
  • 2023-07-07 - 2023-10-27 - C30B25/16
  • 本发明涉及一种获得外延工艺条件的方法,包含以下步骤:S1、提供一外延设备,包括腔体、设置在腔体上方的上加热组件、设置在腔体下方的下加热组件;S2、提供一晶圆;S3、设定第一工艺温度;S4、设定上加热组件和下加热组件的功率参数;S5、将第一工艺温度调整到第二工艺温度,同时向腔体内通入工艺气体,生长外延;S6、选取晶圆表面若干点位,测量点位的外延的厚度,判断各点位的厚度是否满足预设条件,若否,则调整上加热组件和下加热组件的功率参数,重新执行步骤S4至S6;若是,则执行步骤S7;S7、记录最后的功率参数与其对应的第一、第二工艺温度形成外延的工艺条件。
  • 获得外延工艺条件方法形成
  • [发明专利]一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件-CN202210864713.7在审
  • 闫其昂;王国斌 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2022-07-21 - 2022-11-01 - H01L29/205
  • 本发明公开了一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件。AlGaN外延结构包括:衬底;GaN外延复合,位于所述衬底上,所述GaN外延复合包括GaN外延工艺和SiNx插入,所述GaN外延复合的至少一部分为交替层叠的GaN外延工艺和SiNx插入;AlGaN外延复合,位于所述GaN外延复合上,所述AlGaN外延复合包括AlGaN外延工艺和MgNy插入,所述AlGaN外延复合的至少一部分为交替层叠的AlGaN外延工艺和MgNy插入;AlGaN外延,位于所述AlGaN外延复合上采用上述结构可以实现GaN外延复合和AlGaN外延复合的晶体匹配,为AlGaN外延提供高质量低应力的生长模板,能够获得低表面缺陷的高晶体质量AlGaN外延
  • 一种algan外延结构及其制备方法半导体器件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top