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[发明专利]一种碳化硅表面的处理方法-CN202111445243.2有效
发明人：吴昊;邓小川;成志杰;李旭;李轩;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过等离子体对含有所述氧化层的碳化硅衬底进行钝化；采用退火炉对所述钝化后的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火；本发明通过氧族气体中的氧等离子体消除氧化层及碳化硅衬底表面残余的碳，利用氮族气体中的氮等离子体和磷族气体中的磷等离子体对氧化层及碳化硅衬底表面进行钝化，采用退火炉对碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率，避免对碳化硅功率器件的性能造成影响。
一种碳化硅表面处理方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202310333782.X在审
发明人： M·杰林克;H-J·舒尔茨;W·舒斯特雷德;D·施洛格;F·J·桑托斯罗德里格斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：公开了制造半导体器件的方法。提出了一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。通过在第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理来在半导体本体(102)中形成半导体器件元件(108)。在半导体本体(102)的第一表面(104)上形成布线区域(110)。半导体本体(102)被经由布线区域(110)附接到载体(112)。此后，通过第二表面(106)将离子(114)注入到半导体本体(102)中。离子(114)是掺杂元素的离子，或者是通过络合物形成而引入掺杂的离子，或者是重金属的离子。利用多个激光脉冲(118)照射在第二表面(106)处半导体本体(102)的表面区(116)。此后，将载体(112)从半导体本体(102)移除。
制造半导体器件方法

[发明专利]一种半导体场效应集成电路及制备方法-CN202211279018.0有效
发明人：王尧林;林和;洪学天;牛崇实;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体场效应集成电路及制备方法，包括：P型半导体衬底、第一区域、第二区域、绝缘板；所述半导体衬底上左侧设有第一区域，所述第一区域内部形成第一注入区；所述半导体衬底上右侧设有第二区域，所述第二区域内部形成第二注入区，且第一区域与第二区域共面；在第一区域与第二区域上层分别置有绝缘板。通过使用第一注入区、第二注入区对半导体集成电路进行离子注入，改善了N型半导体导电的接触质量，通过设置二氧化硅绝缘层，可以有效防止杂质往衬底表面渗透，提高器件集成电路的可靠性与稳定性。
一种半导体场效应集成电路制备方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202311139403.X在审
发明人：黄小迪;李琦琦;吴涵涵 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法中，提供的半导体衬底内形成有第一掺杂区，第一掺杂区具有第一导电类型，再在半导体衬底的顶面上形成外延层，其中，外延层包括层叠的第一外延层和第二外延层，第一外延层和第二外延层的材质相同，第一外延层的厚度小于第二外延层的厚度，第一外延层的沉积温度小于第二外延层的沉积温度，第一外延层的沉积速度大于第二外延层的沉积速度，如此第一掺杂区的掺杂物质扩散到第一掺杂区侧上方的外延层中的扩散范围可以缩小，有助于改善半导体器件的漏电问题。本发明的半导体器件利用上述的半导体器件的制作方法制成。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202310924583.6在审
发明人：李美娟;肖敬才;徐丰;黄鹏;郭振强;房子荃 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法。提供半导体衬底，所述半导体衬底的各个元胞中分别形成有栅极结构，所有所述栅极结构的长度延伸方向相同；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第一侧的半导体衬底中第一源漏端进行第一离子注入，在所述第一源漏端形成第一晕环区；所述第一晕环区与所述栅极结构交叠；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第二侧的半导体衬底中第二源漏端进行第二离子注入，在所述第二源漏端形成第二晕环区；所述第二晕环区与所述栅极结构交叠。
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310519625.8在审
发明人：三重野文健;周永昌 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域；第一离子注入区，包覆所述栅极区域的第一拐角；第二离子注入区，包覆所述栅极区域的第二拐角；第三离子注入区，包覆所述栅极区域的第三拐角；第四离子注入区，包覆所述栅极区域的第四拐角。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，利用第一离子注入区、第二离子注入区、第三离子注入区和第四离子注入区分别包住沟槽栅极结构底部的四个拐角，可以保护沟槽栅极结构底部的四个拐角，避免发生泄漏和击穿，从而提高器件可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种评估离子注入工艺的监测方法-CN202310887411.6在审
发明人：谭学仕;任娜;盛况;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种评估离子注入工艺的监测方法，包括：提供晶圆衬底，在所述晶圆衬底表面依次形成二氧化硅层和多晶硅层，形成离子注入的陪片；将若干陪片和待检测的正片一同完成离子注入工艺，对所述陪片进行激活退火；对不同陪片刻蚀至不同厚度，获取不同厚度的方阻监测数据；获取相同离子注入工艺条件下的基准样品以及对应的基准方阻值；根据陪片多晶硅层中不同厚度的方阻监测数据与基准方阻值的偏差，评估待检测的正片在相同离子注入工艺条件下不同时间和批次间的偏差及判定结果。本发明实现了生产现场便捷对离子注入品质的评估与控制，并解决了一些量测所需加工工艺对待检测的正片带来的不利影响。
一种评估离子注入工艺监测方法

[发明专利]一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625482.9在审
发明人：陈明珠;连坤;王金翠;张涛;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过对衬底基板的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得电荷阻隔层，然后在掺杂后的衬底基板上制备缺陷层，缺陷层采用在衬底基板上沉积制备或者采用腐蚀法腐蚀衬底基板或采用注入法注入衬底基板产生注入损伤，形成缺陷层；再在缺陷层上采用沉积法或氧化法制备隔离层，形成复合基底；将薄膜基体注入片与复合基底的隔离层进行键合形成键合体，并进行热处理形成复合薄膜。本发明的复合基底、复合薄膜增加了用于阻止缺陷层中的电荷下溢的电荷阻隔层，能够大幅度提高衬底层和缺陷层界面间的阻抗，防止影响其在电子元器件制备中的应用。
一种电荷阻隔复合基底薄膜及其制备方法

[发明专利]包括高阻电阻和GGNMOS ESD的模拟电路及其制作方法-CN202010672739.2有效
发明人：林威;朱夏 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括高阻电阻和GGNMOS ESD的模拟电路及其制作方法。在半导体衬底上形成第一STI、第二STI、第一高压P阱、第二高压P阱；在半导体衬底的表面进行多晶硅沉积以形成多晶硅区域；在半导体衬底上的多晶硅区域打开窗口；进行高阻注入和高能注入，以形成高阻多晶硅、N+多晶硅、第一ESD注入阱和第二ESD注入阱。利用高阻注入和高能注入实现了将两次光罩合并成一次光罩，解决了制作包括高阻电阻和GGNMOS ESD的模拟电路工艺复杂的问题，节省了制造成本。
包括电阻 ggnmos esd 模拟电路及其制作方法

[发明专利]一种复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625369.0在审
发明人：连坤;陈明珠;王金翠;张涛;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。其复合基底依次包括：衬底层、缺陷层、电荷阻隔层和隔离层；其中电荷阻隔层是基于界面热扩散掺杂法或离子注入掺杂法对缺陷层的工艺面进行掺杂制得的，用于阻止缺陷层中的电荷上溢。复合基底以及复合于复合基底的隔离层上的薄膜层组成复合薄膜。本发明的复合基底和/或复合薄膜不仅具有富含载流子陷阱的缺陷层，用于捕获载流子，抑制PSC效应，而且还在缺陷层和隔离层之间增加了用于阻止缺陷层中电荷上溢的电荷阻隔层，能够大幅度增加缺陷层和隔离层之间界面的阻抗，防止缺陷层中的电荷外泄影响复合基底和/或复合薄膜在后续制备电子元器件中的应用。
一种复合基底薄膜及其制备方法

[发明专利]一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625387.9在审
发明人：王金翠;连坤;陈明珠;张涛;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过在衬底基板上制备缺陷层，对缺陷层进行离子注入掺杂或界面热扩散掺杂，然后对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后，掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为电荷捕获层，未掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为隔离层，形成复合基底；并基于离子注入法对薄膜基体的工艺面进行注入离子得到薄膜基体注入片，将薄膜基体注入片与复合基底的电荷捕获层进行键合形成键合体，对键合体进行热处理，使键合体的薄膜层转移至复合基底上形成复合薄膜。本发明的复合薄膜在隔离层和薄膜层之间增加了用于捕获界面电荷的电荷捕获层，可降低电荷对后续器件造成的影响。
一种电荷捕获复合基底薄膜及其制备方法

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN202280007629.1在审
发明人：八尾典明;铃木启久;泷下博 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第一导电型的缓冲区，其设置于比漂移区更靠半导体基板的背面侧，并具有掺杂浓度的第一峰以及设置于比该第一峰更靠所述半导体基板的正面侧的位置的第二峰；以及第一寿命控制区，其在半导体基板的深度方向上，设置于第一峰与第二峰之间。在半导体基板的深度方向上，从漂移区的上端起到第二峰为止的积分浓度在临界积分浓度以上。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]一种适用于离子注入且有效防止正面污染的工艺方法-CN202310676161.1在审
发明人：张梦龙;邓宇;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于离子注入且有效防止正面污染的工艺方法，涉及半导体生产技术领域，本发明包括S1、选取硅片并对硅片进行热氧，使其正反两面均形成一层二氧化硅；S2、在硅晶片的背面进行涂光阻处理；S3、涂完光阻后进行过度烘烤处理；S4、将硅晶片翻面，正面采用去离子水进行清洁；S5、对清洁过后的硅晶片正面依次进行涂胶、曝光以及显影处理；S6、进行湿法刻蚀二氧化硅；S7、去除光阻后进行离子注入。本发明一种适用于离子注入且有效防止正面污染的工艺方法，通过将光阻过度烘烤，使其完全固化，可有效避免翻面后光阻残留在热板或者机台手臂上，保证机台的清洁度，延长了机台配件的使用寿命。
一种适用于离子注入有效防止正面污染工艺方法

[发明专利]碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制造方法-CN202080031861.X有效
发明人：增田健良 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：碳化硅半导体器件具有碳化硅衬底、第一绝缘体、第一电极和第二电极。碳化硅衬底包含第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区、第一超结部、第四杂质区、第五杂质区、第六杂质区和第二超结部。第一超结部具有第一区和第二区。第二超结部具有第三区和第四区。在相对于第二主面垂直的方向上，第一沟槽的底面位于第二端面与第二主面之间，并且位于第四端面与第二主面之间。
碳化硅半导体器件制造方法

[发明专利]一种控制半导体晶圆加热温度的方法-CN202310295212.6在审
发明人：喻晓;王肇龙;赵官源;倪玉河;李进;李士会 -专利权人：北京烁科中科信电子装备有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制半导体晶圆加热温度的方法，包括以下步骤：步骤S1、使用非接触热源，对真空加热腔室内的晶圆进行初次加热，到达第一预定时间t1后，晶圆升温至第一预定温度T1；步骤S2、在真空环境中，将晶圆从初次加热的加热腔室传输至二次加热的加热腔室，到达第二预定时间t2后，晶圆降温至第二预定温度T2；步骤S3、在二次加热的加热腔室内，使用接触或半接触热源对晶圆进行二次加热，到达第三预定时间t3后，晶圆升温并保持在第三预定温度T3，开始对晶圆进行离子注入。本发明具有原理简单、控制精准且加热速度快等优点，解决了半导体高温注入中晶圆加热的控制问题，提高了晶圆高温注入的质量。
一种控制半导体加热温度方法

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