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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010305046.X在审
发明人：单朝杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；以第一预设沉积温度在所述基底上形成非晶硅材料层，所述非晶硅材料层用于形成伪栅结构或核心层，所述第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度；刻蚀所述非晶硅材料层，形成非晶硅层，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层。本发明通过使第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度，能够降低在形成非晶硅材料层的过程中非晶硅发生晶化的概率，不易使非晶硅转化为多晶硅，相应的，后续刻蚀非晶硅材料层时，有利于提高刻蚀速率和刻蚀效果的均一性，从而减小非晶硅层的线边缘粗糙度，其中，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层，因此，提高非晶硅层的线边缘粗糙度，相应有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板-CN201510894341.2有效
发明人：李亚;徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的TFT基板的制作方法，通过在基板上沉积缓冲层与非晶硅锗层，在所述非晶硅锗层的上部植入掺杂离子，形成掺杂非晶硅锗层，然后采用快速热退火工艺对所述掺杂非晶硅锗层和未掺杂非晶硅锗层进行晶化处理，由于该晶化过程是从掺杂非晶硅锗层开始，且掺杂非晶硅锗层的晶化温度较低，因此该晶化过程可以在较低的温度下进行，而与掺杂非晶硅锗层接触的未掺杂非晶硅锗层在该低温下可以继续结晶，从而得到掺杂多晶硅锗层和未掺杂多晶硅锗层，相较于现有的固相晶化等结晶工艺来说
锗层掺杂非晶硅非晶硅锗层未掺杂晶化过程晶化制作掺杂多晶硅多晶硅锗层快速热退火晶粒掺杂离子结晶工艺结晶效果晶硅锗层晶化处理缓冲层基板与非植入制程沉积

[发明专利]基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法-CN201280076634.4在审
发明人：郑彩焕;李善和;柳相;金昊星;夫性才 -专利权人：韩国生产技术研究院
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明的一个实施例涉及基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，要解决的技术问题为借助电子束使形成于低价型基板上的非晶硅薄膜结晶化而实现由于结晶率高而可容易实现高品质为此，本发明的一个实施例提供一种基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，上述方法包括准备基板的基板准备步骤；第1+型非晶硅层沉积步骤，在基板上形成第1+型非晶硅层；第1型非晶硅层沉积步骤，在第1+型非晶硅层上形成第1型非晶硅层；吸收层形成步骤，向第1型非晶硅层照射线性电子束，使第1型非晶硅层和第1+型非晶硅层结晶化而形成吸收层；第2型非晶硅层沉积步骤，在吸收层上形成第2型非晶硅层；以及发射极层形成步骤，向第2型非晶硅层照射线性电子束，使第2型非晶硅层结晶化而形成发射极层，线性电子束以在第1型非晶硅层和第2型非晶硅层上进行规定区间的往复运动的线性扫描方式进行照射。
基于利用线性电子束大面积非晶硅薄膜结晶方法多晶太阳能电池制造

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN200880112607.1无效
发明人：张泽龙;李炳一 -专利权人： TG太阳能株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：根据本发明的多晶硅太阳能电池利用金属催化剂对非晶硅进行晶化退火，从而降低了晶化温度。根据本发明的太阳能电池的制造方法包括以下步骤：(a)在衬底上形成第一非晶硅层；(b)在所述第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；(c)在所述第二非晶硅层上形成金属层；(d)对所述第二非晶硅层进行晶化退火；以及(e)在步骤(d)所形成的晶体硅层上形成第三非晶硅层。
太阳能电池制造方法

[发明专利]MEMS器件的形成方法-CN201110303975.8有效
发明人：毛剑宏;唐德明 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种MEMS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；在所述图形化的非晶碳层上形成第一膜层，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。非晶碳层容易去除而且不会污染腔室；另外，用非晶碳层作为牺牲层，工艺兼容性好；并且，材料为锗硅、锗或硅的第一膜层与非晶碳层的粘附性很好，不会出现第一膜层与非晶碳层之间滑动的现象。
mems 器件形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管的制备方法-CN202210639209.7在审
发明人：姚周 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制备方法，先对鳍部的顶部进行非晶化处理，以在鳍部的顶部形成非晶化层，然后对非晶化层以及鳍部的侧壁进行氧化处理，以使所述非晶化层被氧化形成第一栅氧化层并使所述鳍部的侧壁被氧化形成第二栅氧化层，由于非晶化层不具有固定的晶向，因此，在对非晶化层以及鳍部的侧壁进行氧化处理时，非晶化层的氧化速率大于鳍部的侧壁的氧化速率，由此可以使得形成于鳍部顶部的第一栅氧化层的厚度大于形成于鳍部侧壁的第二栅氧化层的厚度
场效应晶体管制备方法

[发明专利]使硅层晶化的方法、薄膜晶体管和有机发光显示装置-CN201110087389.4无效
发明人：郑胤谋;李基龙;徐晋旭;李吉远;崔宝京 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种使硅层晶化的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。在基底上的缓冲层上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成密度为大约1011原子/cm2至大约1015原子/cm2的催化剂金属层。随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种。对非晶硅层进行热处理，从而随着由晶化晶种长成硅晶体，形成多晶硅层。
使硅层晶化方法薄膜晶体管有机发光显示装置

[实用新型]一种硅异质结太阳能电池-CN202022812813.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：受光域包括第一本征非晶硅层，第一本征非晶硅层设置在硅衬底层上，第一本征非晶硅层的表面相对于其中心线对称设置有第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层，且第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层的上方分别设有第一电极第一N型非晶硅图形化层与第二N型非晶硅图形化层的表面积之和小于第一本征非晶硅层的表面积。硅异质结太阳能电池的结构简单、成本低，能够降低入射光的光损失，从而确保光在体区域中的吸收和转换。
一种硅异质结太阳能电池

[发明专利]一种非晶硅平坦化方法-CN201210405322.5在审
发明人：左青云 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶硅平坦化方法，其包括：在具有台阶的衬底上淀积并完全覆盖一层非晶硅层；然后，在非晶硅层上旋涂一层有机材料层，以使有机材料层完全覆盖于非晶硅层上；采用相同的刻蚀速率刻蚀有机材料层和非晶硅层，以完全去除有机材料层，获得所需厚度且表面平坦的非晶硅层。因此，采用刻蚀工艺对非晶硅进行平坦化的方法，可以在无需额外添置非晶硅化学机械研磨设备的同时，避免因采用化学机械研磨工艺对非晶硅造成的损伤、剥落以及掺杂非晶硅研磨效率低下的问题，有效地降低了生产成本。
一种非晶硅平坦方法

[发明专利]图像传感器结构及其制造方法-CN200610143308.7无效
发明人：陈宥先;黄明山;汪嘉将 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器结构的制造方法，包括：提供基板；在上述基板上形成图像传感器电路结构；在上述图像传感器电路结构上形成图案化停止层；顺应性地在上述图案化停止层上和未被上述图案化停止层覆盖的上述图像传感器电路结构上依次形成电极层、第一掺杂非晶硅层和第一未掺杂非晶硅层；以及进行平坦化步骤，以移除部分上述第一未掺杂非晶硅层、上述第一掺杂非晶硅层以及上述电极层直至上述图案化停止层，使剩余的上述电极层、上述第一掺杂非晶硅层和上述第一未掺杂非晶硅层被该图案化停止层分隔
图像传感器结构及其制造方法

[发明专利]多晶硅层及其制造方法-CN200610095644.9有效
发明人：林炯暐;李圣琦;陈易良;黄瑞成;邓德华 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅层的制造方法，其包括下列步骤：首先，提供一基板，并在基板上形成一非晶硅层。在非晶硅层上形成一图案化金属层。然后，进行一脉冲模式快速升温退火处理制程，以在图案化金属层与非晶硅层之间形成一金属硅化物，且图案化金属层与金属硅化物将热能传导至非晶硅层，以使非晶硅层转换成一多晶硅层。最后，移除图案化金属层。因此，此多晶硅层较不易产生金属污染的现象。
多晶及其制造方法

[发明专利]多晶硅层的制作方法-CN200710181131.4有效
发明人：蔡依芸;丘绍裕;马佳萱;游培甄 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅层的制作方法。首先，提供基板。接着，于基板上形成非晶硅层。再来，提供图案化光掩模，此图案化光掩模包括透光区与遮光区，且以图案化光掩模为罩幕，对非晶硅层照射一光线，其中，对应透光区的非晶硅层转变为亲水性的非晶硅层，而对应遮光区的非晶硅层为疏水性的非晶硅层。继而，提供亲水性金属催化剂，配置在亲水性的非晶硅层上。之后，进行退火制程，使亲水性金属催化剂形成为金属催化剂层，并且，经由金属催化剂层的作用使非晶硅层转变为多晶硅层。
多晶制作方法

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备方法-CN201410702037.9有效
发明人：陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华;黄亚清 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法，具体步骤为在基板上先后形成缓冲层和非晶硅层；通过元素掺杂技术对非晶硅层进行区域选择性掺杂，在非晶硅层中形成掺杂区域和非掺杂区域相间的周期性结构；对上述非晶硅层进行激光晶化非晶硅层接受激光束照射，掺杂区域和非掺杂区域因对激光能量吸收能力不同而形成完全熔融区域和非完全熔融区域，完全熔融区域和非完全熔融区域存在横向温度梯度，从而促进和控制晶核的超级横向晶化，增大了晶粒尺寸。本发明通过掺杂的方法，构建超级横向晶化条件，有利于成长大尺寸的晶粒；同时具有改变非晶硅层吸收能力的作用，采用固体激光器等廉价激光器用于晶化、降低了制备成本。
一种低温多晶薄膜制备方法

[发明专利]金属栅极形成方法-CN200810113991.9有效
发明人：郑春生;杨瑞鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极形成方法，包括：在基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成图形化的非晶碳层；形成环绕所述图形化的非晶碳层的侧墙；形成覆盖所述图形化的非晶碳层及侧墙的层间介质层；平坦化所述层间介质层并暴露所述图形化的非晶碳层；采用氧气灰化工艺去除所述图形化的非晶碳层，在所述层间介质层内形成沟槽；形成填充所述沟槽且覆盖所述层间介质层的金属层。
金属栅极形成方法

[发明专利]栅层形成方法-CN200710044804.1无效
发明人：居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅层形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成非晶硅层；对所述多晶硅层和非晶硅层执行离子注入操作；对离子注入后的所述非晶硅层执行重晶化操作。一种栅层形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成多晶硅层；对所述非晶硅层和多晶硅层执行离子注入操作；对离子注入后的所述非晶硅层执行重晶化操作。
形成方法

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