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[发明专利]焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件-CN202010102875.8在审
发明人：李乔伟;胡胜;赵长林 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件，包括提供前端器件，所述前端器件上形成有金属层，所述金属层上形成有聚酰亚胺层，所述焊盘上形成有结晶缺陷；以所述聚酰亚胺层为掩膜，刻蚀去除焊盘上的部分金属层，同时轰击结晶缺陷，以使结晶缺陷离散，聚酰亚胺层起到掩膜层和钝化层的作用；再进行清洗工艺将结晶缺陷去除；执行塑化工艺，形成覆盖所述焊盘的保护层，保护层不仅阻断结晶缺陷的产生，还阻止已产生的结晶缺陷侵蚀返工后的晶圆本发明能够有效解决以聚酰亚胺作为钝化层的半导体器件的焊盘表面结晶缺陷的问题，通过返工减少报废。节省了常规返工工艺中在钝化层上还需再形成图形化的掩膜层工序，有利于工艺成本控制。
盘结缺陷返工方法半导体器件

[实用新型]半导体结构、晶体管结构及半导体处理设备-CN201820784453.1有效
发明人：刘铁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于低温离子注入的半导体结构，包括：结晶层区；结晶缺陷层区，位于结晶层区上，结晶缺陷层区包括若干个结晶块，且各结晶块的大小及取向中的至少一者不同；以及重结晶层区，位于结晶缺陷层区上，重结晶层区包括重结晶后的结晶状态，结晶块内部的结晶状态与重结晶层区内部的结晶状态概呈相同。本实用新型通过对待处理结构进行离子注入的过程中同时对其进行降温，在低温条件下进行离子注入，减缓了离子注入过程中的自退火效应，从而减少退火后的EOR缺陷，减少结漏电流，减少电子器件的功耗。
重结晶结晶缺陷层结晶状态结晶块半导体结构本实用新型结晶层离子半导体处理设备退火离子注入过程晶体管结构处理结构低温离子低温条件电子器件结漏电流自退火功耗取向

[发明专利]硅晶片的制造方法-CN200380102309.1有效
发明人：前田进;稻垣宏;川岛茂树;黑坂升荣;中村浩三 -专利权人：小松电子金属股份有限公司
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种硅晶片的制造方法，包括：硅结晶制造工序，以进入无外延缺陷区域(α2)内的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶，其中，所述无外延缺陷区域(α2)，是在硅晶片基板中无缺陷且在外延生长层中无缺陷的无缺陷区域，并且其将硅结晶中的硼浓度为1×10¹⁸atoms/cm³以上且随着硼浓度的上升而使生长速度V渐渐降低的线作为下限线(LN1)。另一种硅晶片的制造方法，以至少含有在硅晶片基板上出现OSF即氧化诱生层错缺陷且在外延生长层中出现缺陷的外延缺陷区域(β1)的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制的同时，以使OSF核不显现化为OSF的方式，控制硅结晶的热处理条件和硅结晶中的氧浓度。再另一种硅晶片的制造方法，以处于在硅晶片基板中出现空洞缺陷且在外延生长层中成无缺陷的无外延缺陷区域(α1)内的下限线(LN3)附近的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶。
晶片制造方法

[发明专利]SiC结晶的制造方法以及SiC结晶-CN03806382.4有效
发明人：镰田功穗;土田秀一 -专利权人：财团法人电力中央研究所
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及在SiC单晶基片上生长SiC结晶时闭塞中空缺陷的方法和利用该方法制得的结晶，该基片具有CVD法产生的称为微管的中空缺陷；使该基片与将C/Si原子比调整至结晶生长速度为碳原子供给控速的范围内的原料气体接触，使SiC结晶的多层外延生长并积层，使SiC单晶基片的中空缺陷分解到小的伯格斯矢量的位错上，阻碍缺陷延伸到结晶表面。本发明还提供将SiC结晶形成缓冲层，再使用将C/Si之比调整到高于形成缓冲层时的C/Si之比的方向上的原料气体，再积层SiC结晶，制造赋予所需膜质的SiC结晶的制造方法。
sic 结晶制造方法以及

[发明专利]用于电开关的设备和方法-CN201680087842.2在审
发明人：金知桓;崔信允 -专利权人：麻省理工学院
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：电开关技术采用结晶材料中在其他方面不期望的线缺陷以形成导电丝线。开关单元包括设置在有源电极与另一电极之间的结晶层。结晶层具有从结晶层的一个表面延伸至另一表面的至少一个通道(例如线缺陷)。在两个电极上施加电压时，有源电极提供可以沿着线缺陷从有源电极迁移至另一电极的金属离子，从而形成导电丝线。开关单元可以精确地将导电丝线定位在线缺陷内并提高装置与装置的开关均匀性。
导电丝线电极结晶层线缺陷源电极开关单元电开关表面延伸技术采用结晶材料金属离子施加电压提高装置在线缺陷均匀性迁移期望

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201280050659.7有效
发明人：水岛智教;小林勇介 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具备施主层(3)，施主层(3)通过对利用质子照射形成的结晶缺陷进行热处理而形成在n^-型半导体基板(1)的n型漂移层(2)。施主层(3)具有由杂质浓度为极大的部位、以及从该杂质浓度为所述极大的部位朝向n型漂移层(2)的两主面侧下降到与n型漂移层(2)相同的杂质浓度为止的浓度梯度部位构成的杂质浓度分布。n型漂移层(2)内形成的结晶缺陷主要是由空孔、氧以及氢引起的复合结晶缺陷。通过将上述施主层(3)设置在n型漂移层(2)，从而即使在为了提高施主层(3)的杂质浓度而提高利用质子照射形成的结晶缺陷密度的情况下，扔能抑制导通电压的上升以及漏电流的增加。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610109040.9在审
发明人：龟山悟;岩崎真也 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L29/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有寿命控制层并且批量生产时IGBT的导通电压不易产生偏差的半导体装置。本发明为具有具备IGBT区域的半导体基板的半导体装置。IGBT区域具有发射区、体区、漂移区、集电区。在漂移区内、且与半导体基板的厚度方向的中间部相比靠背面侧的范围内，形成有以层状分布的第一寿命控制层。第一寿命控制层内的结晶缺陷密度与相对于第一寿命控制层而在背面侧邻接的区域内的结晶缺陷密度、以及相对于第一寿命控制层而在表面侧邻接的区域内的结晶缺陷密度中的任何一方相比而较高。第一寿命控制层和背面之间的区域内的结晶缺陷密度与第一寿命控制层和表面之间的区域内的结晶缺陷密度相比而较低。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]GaP外延片及GaP发光元件-CN200510007525.9无效
发明人：中村秋夫;茂木勇;吉田裕二 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的GaP外延片3是在n型GaP单结晶基板10的{111}B面形成n型GaP缓冲层11的GaP外延片，将{01－1}裂面选择蚀刻后于n型GaP缓冲层11处观测到的梳齿状结晶缺陷的条数，为每100μm的成长界面为30条以下，其中该结晶缺陷为处于n型GaP缓冲层11成长界面且与平行面交叉并且延伸的梳齿状结晶缺陷。
gap 外延发光元件

[发明专利]一种结晶辊表面锥形孔缺陷在线复原方法-CN201310188445.2有效
发明人：梁永立;史弼;张宇军;杨晓萍;张俊宝 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：一种结晶辊表面锥形孔缺陷在线复原方法，包括如下步骤将结晶辊表面锥形孔缺陷内壁加工成柱状平底孔，再在其内壁上加工等间距分布的波浪纹理结构；然后利用高压气体与陶瓷颗粒对波浪纹理结构进行平滑和毛化处理；最后利用与结晶辊表面修复层相同的金属微粒撞击柱状平底孔底部及内壁本发明的整个修复过程对结晶辊基体无热影响，锥形孔缺陷修复区域与结晶辊表面修复层的微观组织一致，有效避免额外应力的产生，且两者的结合强度提高30％以上，热疲劳强度提高25％以上；本发明整个过程在线进行，工艺简单，实现了结晶辊表面修复层零去除，结晶辊表面修复效率提高30％以上，大幅度缩短修复周期，降低修复成本。
一种结晶表面锥形缺陷在线复原方法

[发明专利]用于混合取向衬底的改进非晶化/模板化再结晶方法-CN200680016794.4无效
发明人：凯斯·E.·弗格尔;凯瑟琳·L.·萨恩格尔;宋均镛;尹海洲 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种改进的非晶化/模板化再结晶(ATR)方法，其用来制造低缺陷密度混合取向衬底。用于混合取向衬底制造的ATR方法通常从具有第一取向硅层开始，其接合在具有第二取向的第二硅层或衬底上。第一硅层的所选区被非晶化然后通过用第二硅层作为模板再结晶为第二硅层的取向。本发明的工艺流程解决现有技术的ATR方法没有解决的两个主要困难：在沟槽限定的非晶化硅区边缘产生“棱角缺陷”，和在没有被沟槽限定的非ATR化区的高温再结晶后缺陷去除退火过程中不必要取向的改变。具体地，本发明提供的工艺流程包括以下步骤：(i)对无沟槽衬底区域执行的非晶化和低温再结晶；(ii)含在ATR化区边缘的缺陷区的沟槽隔离区的形成；以及(iii)沟槽隔离区设置在适当位置，执行高温缺陷去除退火
用于混合取向衬底改进非晶化模板再结晶方法

[发明专利]一种冷轧带钢表面粗晶缺陷控制方法-CN201210270620.8有效
发明人：王文广;孙大庆;阳代军;艾矫健;朱立新;杨孝鹤;王松涛;方圆;黄来情;高小丽;杜倩 -专利权人：首钢总公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： B21B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷轧带钢表面粗晶缺陷控制方法，包含：控制层冷过程中热轧带钢的再结晶区温度下限上升至700℃以上；控制热轧带钢的卷取温度在710℃以下；分段控制卷取机夹送辊压力。本发明提供的冷轧带钢表面粗晶缺陷的控制方法，通过控制热轧带钢层冷过程中材料再结晶区温度和热轧层冷过程中带钢实际温度相结合的方法，最大程度地缩短层冷过程中热轧带钢温度处于再结晶温度区的时间，同时配合卷取机夹送辊压力的设定，最终达到控制冷轧带钢表面粗晶缺陷的效果。
一种冷轧带钢表面缺陷控制方法

[发明专利]预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法-CN202010958481.2有效
发明人：袁明;程刘锁;范晓;王函;陈广龙;米魁;李伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法。所述预防集成电路器件焊盘结晶缺陷的方法，包括以下步骤：步骤S1：提供带有焊盘结构的半导体集成电路器件，所述焊盘结构上形成焊盘氧化层，所述焊盘结构的表层中和所述焊盘氧化层中含有氟离子；步骤S2：通过刻蚀剂，刻蚀去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层；步骤S3：进行氧化工艺，在去除所述焊盘结构的表层和所述焊盘氧化层后的所述焊盘结构上，形成保护氧化层。本申请可以预防相关技术中集成电路器件焊盘出现结晶缺陷的问题。
预防集成电路器件盘结缺陷方法

[发明专利]信息记录媒体-CN201010113952.6有效
发明人：山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体
信息记录媒体

[发明专利]信息记录媒体及其制造方法-CN200610160332.1有效
发明人：山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11B13/00 文献下载
摘要：一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体
信息记录媒体及其制造方法

[发明专利]信息记录媒体及其制造方法-CN200510056039.6有效
发明人：山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体
信息记录媒体及其制造方法

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