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- [发明专利]晶圆缺陷检测方法-CN202211129030.3在审
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李军;何广智;倪棋梁
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上海华力微电子有限公司
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2022-09-16
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2022-12-13
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G06T7/00
- 本发明提供了一种晶圆缺陷检测方法，通过获取待测晶圆的待测晶圆图像，来获取所述待测晶圆图像上多个待测芯片分别对应的待测芯片图像；将多个所述待测芯片图像与已有的模板芯片图像进行逐一对比，判断所述待测晶圆上的待测芯片是否为改版芯片；若所述待测芯片是改版芯片，则将多个所述待测芯片图像合成为新的模板芯片图像，所述待测晶圆合格。本发明通过判断待测芯片是否为改版芯片，减少了因产品改版对晶圆缺陷检测结果造成的影响，提高了晶圆缺陷检测的效率和机台产能，节约了检测成本。
- 缺陷检测方法
- [发明专利]晶圆缺陷的监控方法-CN202011026627.6有效
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胡向华;陈肖;何广智;顾晓芳;倪棋梁
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上海华力微电子有限公司
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2020-09-25
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2022-07-15
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H01L21/66
- 本发明提供了一种晶圆缺陷的监控方法，包括：在一设计版图的dummy区加入若干个重复的测试结构，以作为残留缺陷的监测点并排除干扰缺陷；对所述设计版图进行设计规则检测，筛选出与测试结构相同的设计结构；根据所述设计版图对一晶圆进行刻蚀，完成刻蚀后对所述晶圆进行缺陷扫描；根据缺陷扫描结果判断所述晶圆上刻蚀形成的测试结构和设计结构中是否存在残留缺陷。本发明提供的晶圆缺陷的监控方法在设计版图的dummy区设计重复的出现残留缺陷概率最高的测试结构，通过检测刻蚀后图形中的测试结构和与测试结构相同的设计结构中是否存在残留缺陷，减少了整片晶圆的背景噪声，提高了扫描精度，为产品的良率提供保障。
- 缺陷监控方法
- [发明专利]一种检测站的来料负荷控制方法-CN201810362521.X有效
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韩超;龙吟;倪棋梁
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上海华力微电子有限公司
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2018-04-20
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2021-07-27
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H01L21/67
- 本发明公开了一种检测站的来料负荷控制方法，其属于领域的技术，包括：步骤S1，判断所述待检晶圆组的总数是否大于一预设的临界值M：若是则进行步骤S2；若否则回到步骤S1；步骤S2，根据一预设的评分规则获得每一所述待检晶圆组的检测评分；步骤S3，将每一所述待检晶圆组按照所述检测评分从大到小排列；步骤S4，保留前M个所述待检晶圆组，将其余所述待检晶圆组移出所述检测站的所述待检队列，随后转到步骤S1。该技术方案的有益效果是：本发明能够根据待检晶圆组所经过的工艺处理的数量、待检时间以及在各个工艺处理中的次序来确定该待检晶圆组是否需要跳站，从而减少了潜在的风险，从整体上提高了存在缺陷的晶圆被检测出来的概率。
- 一种检测来料负荷控制方法
- [发明专利]一种晶粒缺陷监控方法-CN201811369312.4有效
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韩超;倪棋梁
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上海华力微电子有限公司
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2018-11-16
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2021-03-12
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H01L21/66
- 本发明公开了一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，提供一虚拟标准晶圆，及虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及虚拟坐标与虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；包含以下步骤：步骤S1，提供一晶圆，对晶圆执行一缺陷检测操作获得晶圆中缺陷位置；步骤S2，晶圆上缺陷位置的实际坐标转换至虚拟坐标；步骤S3，根据虚拟坐标获得并记录缺陷位置对应的晶粒的位置；步骤S4，重复步骤S1至S3；步骤S5，根据记录的缺陷位置对应的晶粒的位置，得到每个晶粒的缺陷变化趋势。本发明的技术方案有益效果在于：能够在晶粒级别上发现晶圆表面上特定区域的缺陷异常情况和监控缺陷的变化趋势，并进行有效报警。
- 一种晶粒缺陷监控方法
- [发明专利]一种缺陷抽检方法-CN201811340879.9有效
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韩超;龙吟;倪棋梁
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上海华力微电子有限公司
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2018-11-12
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2020-12-25
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H01L21/66
- 本发明提供一种缺陷抽检方法，应用于缺陷抽检系统中，缺陷抽检系统包括多个机台，方法包括步骤S1，将每个机台根据加工工艺的配置参数的类型进行分类，并得到分类后的每组机台；步骤S2，对每组机台进行监控，并得到每组机台的未监控数量以及未监控时间；步骤S3，将未监控数量与未监控数量阈值进行比较，以及将未监控时间与未监控时间阈值进行比较：若未监控数量超出未监控数量阈值，或者未监控时间超出未监控时间阈值，则对未监控的每组机台上的晶圆进行抽检；若未监控数量未超出未监控数量阈值，且未监控时间未超出未监控时间阈值，则返回步骤S2。本发明的有益效果在于：提高抽样检测的精确性。
- 一种缺陷抽检方法
- [发明专利]金属离子监控方法-CN201810504049.9有效
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曹秋凤;陈宏璘;龙吟;倪棋梁
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上海华力微电子有限公司
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2018-05-23
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2020-12-04
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H01L21/66
- 本发明提供了一种金属离子监控方法，提供晶圆，所述晶圆中注入有采样离子；将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业；所述晶圆自所述待监控设备载出后，对所述晶圆进行缺陷扫描；以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。传统的检测金属离子的滴定法分析，整个检测过程复杂，且所需时间较长。本发明所提供方法，通过检测工程晶圆表面出现结晶以及白色条状痕迹的缺陷情况快速检测设备中金属离子情况，可以在较短时间内得到金属离子检测结果，及时对设备情况作出判断，缩短影响区间，缩短响应时间，可有效减少由于湿法去胶设备溶液中金属离子超标对产品良率产生的不良影响，提升产品质量。
- 金属离子监控方法
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