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[发明专利]一种木制家具生产加工用立铣刀-CN202310019141.7在审
发明人：曾宪荣;庄盈双;谢君生;罗志强;孙大泳;伍建桦;梁梓峻;黄敏莹;吴煜东 -专利权人：顺德职业技术学院
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B27G13/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种木制家具生产加工用立铣刀，涉及加工刀具技术领域。本发明通过采用包括铣刀主体，铣刀主体的顶部设置有安装杆，铣刀主体的内部设有吹气通道，铣刀主体的顶部设有多个与吹气通道连通的进气孔，铣刀主体的侧壁开设有铣槽，每道铣槽的底部开设有与吹气通道连通的出气孔，铣刀主体套设有供气环，供气环的内侧开设有和进气孔连通的环形供气槽，供气环的左右两侧分别连接一根与环形供气槽连通的供气管，铣刀主体套设有轴承，铣刀主体与供气环的顶部之间的间隙设置有第一轴封，铣刀主体与供气环的底部之间的间隙设置有第二轴封，具有及时排出木屑、提高加工效率及加工精度、对铣刀主体降温的有益效果。
一种木制家具生产工用铣刀

[发明专利]一种IGBT器件-CN201811277607.9有效
发明人：唐龙谷;吴煜东;戴小平;罗海辉;刘国友;张泉;覃荣震;彭勇殿 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种IGBT器件，其包括：从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N‑区，N‑区的顶部形成有台阶型的沟槽，沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于，相比于单一结构的沟槽型IGBT器件，本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构，因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成，可以具有同样的栅极氧化层厚度。
一种 igbt 器件

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件-CN201811276601.X有效
发明人：唐龙谷;罗海辉;戴小平;吴煜东;刘国友;张泉;覃荣震 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供的一种沟槽栅IGBT器件，该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路，第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道，相对于现有技术新增了一条额外的关断通路，新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取，使载流子快速复合，提高了抗闩锁能力，缩短了关断时间，同时也增大了可关断电流。
一种沟槽 igbt 器件

[发明专利]平面栅IGBT器件-CN201811277094.1有效
发明人：唐龙谷;戴小平;罗海辉;吴煜东;刘国友;张泉;覃荣震 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。
平面 igbt 器件

[发明专利]一种IGBT器件制备方法-CN201811273209.X有效
发明人：唐龙谷;吴煜东;戴小平;刘国友;罗海辉;张泉;覃荣震 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT器件制备方法，该方法通过刻蚀沟槽形成高低差，使得在栅极介质沉积和刻蚀之后形成栅极侧墙结构，然后利用栅极侧墙结构在沟槽的侧面和沟槽的底部形成MOS结构，从而将平面栅结构和沟槽栅结构集成在一个器件中，提升IGBT器件整体性能。
一种 igbt 器件制备方法

[发明专利]一种旋转式木工加工刀具定位装置-CN202310015288.9在审
发明人：曾宪荣;伍建桦;庄盈双;谢君生;孙大泳;梁梓峻;黄敏莹;吴煜东 -专利权人：顺德职业技术学院
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B27C9/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种旋转式木工加工刀具定位装置，涉及木工加工机械领域。包括：旋转刀架、移载架和刀具定位盒，旋转刀架设置在移载架的上方，旋转刀架的顶部设置有中心控制器，中心控制器与旋转刀架的顶部固定连接，中心控制器的外侧设置有刀具放置孔，旋转刀架的外端顶部设置有指示灯，中心控制器电连接有重量传感器，重量传感器插接于连接在刀具定位盒下方的减震隔板，刀具定位盒包括保护器、电磁固定座与电磁控制器，保护器和电磁固定座均与电磁控制器电连接，重量传感器上方抵接于电磁固定座下方，减震隔板插接有多个抵接于电磁固定座下方的弹簧；其能够通过测量刀具夹持部重量变化及时反映刀具磨损情况，提高自动化程度，提升生产效率。
一种旋转木工加工刀具定位装置

[发明专利]一种亚像素精度的直线拟合方法及系统-CN202211405730.0在审
发明人：吴晖辉;曾宪荣;谢君生;冯保强;班志彤;张邓正;梁梓峻;黄敏莹;吴煜东 -专利权人：顺德职业技术学院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06V10/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚像素精度的直线拟合方法及系统，涉及机器视觉技术领域。该方法包括：在图像中，设置搜索区域ROI，在ROI沿若干条搜索线方向计算沿搜索线方向的搜索点灰度的差分值，差分值满足阈值点为候选点；在搜索线上，对候选点，取其近邻的三个点拟合最高的位置作为候选点的亚像素坐标；依照顺序将具备亚像素坐标的候选点区分为低灰度到高灰度值变化，极性为黑到白，或者低灰度到高灰度值变化，极性为白到黑，并记录候选点的属性，以得到多个属性的候选点集；对上述候选点集分别进行直线拟合。本发明基于极性和属性选择更为合适的候选点，并进行高精度的直线检测。
一种像素精度直线拟合方法系统

[发明专利]碳化硅肖特基二极管及其制备方法-CN201911025571.X有效
发明人：李诚瞻;戴小平;吴煜东;赵艳黎;周正东;罗烨辉 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。该二极管包括：第一导电类型碳化硅衬底、位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层、位于所述漂移层上方的第二导电类型阻挡层和位于所述阻挡层上方的第一导电类型过渡层，所述过渡层包括用于设置所述肖特基二极管的结势垒区和位于所述结势垒区两侧的结终端保护区。本公开通过在SiC JBS漂移层上形成导电类型相反的碳化硅阻挡层，在不增加正向导通电阻的前提下，解决了SiC JBS反向漏电过大的问题，特别是反向偏压低电压时，肖特基反向漏电随电压增长而快速增大的问题。
碳化硅肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]碳化硅肖特基二极管及其制备方法-CN201911063121.X有效
发明人：李诚瞻;戴小平;吴煜东;赵艳黎;周正东 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。该二极管包括：第一导电类型碳化硅衬底、位于衬底上方的第一导电类型漂移层漂移层和位于漂移层上方的超晶格层，所述超晶格层包括多个交替堆叠设置的第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层。该二极管还包括位于所述衬底下方并与所述衬底形成欧姆接触的阴极，和位于所述超晶格层上方并与所述超晶格层形成肖特基接触的阳极。本公开通过在SiC SBD阳极端半导体区形成超晶格层，使得在SiC SBD阳极施加负电压，二极管肖特基接触反偏时，超晶格层可以与漂移层形成PN结，通过PN结空间电荷区降低SiC SBD器件的反向漏电，解决了SiC SBD反向漏电过大的问题，提升了SiC SBD的性能。
碳化硅肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种市政工程用路灯固定装置-CN202220161478.2有效
发明人：郑雅鸿;吴煜东;叶志敬;梁嘉胜 -专利权人：江门市新发展市政工程有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： F21S8/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种市政工程用路灯固定装置，包括安装底座，所述安装底座底部的周侧开设有多个安装孔，所述安装底座顶部的中心固定连接有主防护管体，所述安装底座内壁的顶部固定连接有安装板；所述安装板与主防护管体之间安装有伺服升降机构，所述固定灯座顶部的中心安装有路灯本体，所述路灯本体的顶部固定连接有顶防护罩，所述顶防护罩的底部固定连接有多个与路灯本体相对应的防护杆；所述主防护管体外壁的顶部固定连接有防水排水结构。本实用新型通过简单的伺服升降机构和防水排水结构，可以根据实际需要正常展开使用，也可以在不使用时进行收纳隐藏，从而提升了对路灯的防护效果，在雨天使用时还可以起到一定的防水、排水效果。
一种市政工程路灯固定装置

[实用新型]一种园林草皮养护装置-CN202220236683.0有效
发明人：陆俊耀;龙雁瑜;吴煜东;何玉婷 -专利权人：江门市新发展市政工程有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： A01G25/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种园林草皮养护装置，包括移动部，移动部的上端转动设置有转动部，转动部的上端水平滑动设置有滑动部，滑动部的上端设置有储水箱，储水箱的上端设置有出水部，出水部包括横杆和竖杆，横杆和竖杆相互垂直设置，横杆和竖杆的下端设置有喷头，喷头的数量是三个，喷头分别设置在横杆的两端下侧和竖杆的前端下侧。本实用新型通过分别设置有横杆和竖杆，使得横杆下端喷头喷出去的水可以分别喷在移动部的两侧，竖杆下端喷头喷射出去的水可以喷在移动部的前侧，使得三个喷头的设计可以分别在移动部的左右两侧和前侧进行出水设计，可以养护到的草皮范围面积增加，横杆和竖杆的方向实现了控制，可以让整个设备的喷水方向实现调节。
一种园林草皮养护装置

[发明专利]IGBT芯片子单元的封装结构及其制造方法-CN201811275230.3有效
发明人：戴小平;王亚飞;王彦刚;窦泽春;吴煜东 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本申请提供了一种IGBT芯片子单元封装结构及其制造方法，该封装结构包括IGBT芯片、设置在该IGBT芯片上的栅极、分别与该IGBT芯片的上表面发射极和下表面集电极电连接的上钼片和下钼片以及封装器，其中，在上表面发射极上沿着该IGBT芯片的终端区涂覆有硅橡胶。通过本申请的封装结构及其制造方法，能够对该IGBT芯片终端结构进行钝化保护，避免了外界因素对芯片终端的污染而引起电击穿，提高了芯片的耐压性和长期工作的可靠性。
igbt 芯片单元封装结构及其制造方法

[发明专利]一种MOSFET器件氮化方法-CN201610786019.2有效
发明人：王弋宇;李诚瞻;吴佳;史晶晶;高云斌;陈喜明;赵艳黎;吴煜东;刘可安 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200‑1500℃，优选1250‑1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。
一种 mosfet 器件氮化方法

[发明专利]碳化硅基肖特基接触制作方法及肖特基二极管制造方法-CN201610785226.6有效
发明人：周正东;李诚瞻;刘可安;吴煜东;饶伟;史晶晶;杨程;吴佳 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅肖特基接触制作方法，包括以下步骤：a.在碳化硅基体表面溅射肖特基接触金属材料；b.将步骤a处理后的碳化硅基体进行加热处理；c.使步骤b处理后的碳化硅基体在惰性气氛下冷却；d.在冷却后的碳化硅基体表面进一步溅射阳极金属材料；e.先后刻蚀除去非肖特基接触区的阳极金属材料和肖特基接触材料，形成肖特基接触区。本发明还提供了一种碳化硅肖特基二极管的制造方法。本发明在形成肖特基接触图形中只需进行一次光刻，简化了肖特基接触的形成步骤。本发明提供的肖特基接触制作方法可有效防止肖特基接触金属被自然氧化，同时防止肖特基接触金属表面的有机物及颗粒的污染，从而提高肖特基接触和相应二极管的品质。
碳化硅基肖特基接触制作方法肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种4H-SiC P型绝缘栅双极型晶体管的制备方法-CN201610785087.7有效
发明人：陈喜明;李诚瞻;杨程;吴煜东;丁荣军 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种4H‑SiC P型绝缘栅双极型晶体管的制备方法。该方法通过在发射极P+欧姆接触区域浅注入一层高浓度的铝离子，有利于控制欧姆接触退火后欧姆合金层中铝的组分，从而降低了P型4H‑SiC欧姆接触的比接触电阻率，由此解决了4H‑SiC P型绝缘栅双极型晶体管发射极P+源区和N+源区同时形成良好的欧姆接触P+源区比接触电阻率高的问题。本发明提供的4H‑SiC P型绝缘栅双极型晶体管的制备方法具有广阔的应用前景。
一种 sic 绝缘栅双极型晶体管制备方法

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