专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体激光清洗机-CN202310949963.5在审
  • 阙进林;李永祥 - 苏州亚信华电子科技有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-27 - H01L21/02
  • 本发明属于激光清洗技术领域,具体的说是一种半导体激光清洗机,包括支撑板,所述支撑板上固接有两个传送夹板,所述传送夹板顶面滑动设置有移动板,所述移动板顶面转动连接有置物机构,所述置物机构顶面放置有需要清洗的陶瓷圆片,所述传送夹板上固接有驱动组件,两个所述传送夹板之间转动连接有用于传送置物机构的动力滚筒,所述支撑板一侧通过横板固接有用于传送置物机构的倾斜下移机构,所述倾斜下移机构下部一侧设置有循环取放机构,所述循环取放机构上方设置有激光清理组件,激光清理组件即可不用进行多次启动及关闭,实现了连续工作,同时激光清理组件不会将激光照射在任何设备上,避免激光损坏设备。
  • 一种半导体激光清洗
  • [发明专利]线性化膜氧化生长方法-CN202280012665.7在审
  • 克里斯托弗·S·奥尔森;托宾·卡芙曼·奥斯本 - 应用材料公司
  • 2022-01-11 - 2023-10-27 - H01L21/02
  • 提供了在半导体基板上形成氧化物层的方法。该方法包含通过在第一温度下将半导体基板暴露于具有第一氧百分比的第一气体混合物,以第一生长速率在该基板上形成氧化物层的第一含氧化物部分。通过在第二温度下将该基板暴露于具有第二氧百分比的第二气体混合物,以第二生长速率在该基板上形成第二含氧化物部分。通过在第三温度下将该基板暴露于具有第三氧百分比的第三气体混合物,以第三生长速率在该基板上形成第三含氧化物部分。第一生长速率慢于每个随后的生长速率,并且第二生长速率之后的每个生长速率彼此在50%以内。
  • 线性化氧化生长方法
  • [发明专利]一种晶圆及其制备方法-CN202311067864.0在审
  • 谷海云;马乾志;张雨杭;姚祖英;魏启旺;张奇;罗朝阳;李志才;马坤;孙晨光;王彦君 - 中环领先半导体材料有限公司
  • 2023-08-22 - 2023-10-27 - H01L21/02
  • 本申请公开了一种晶圆及其制备方法,制备方法包括:提供衬底硅层,进行第一次升温;对衬底硅层进行第一次热氧化,在衬底硅层表面形成第一氧化层;进行第二次升温;对衬底硅层进行第二次热氧化,在衬底硅层表面形成第二氧化层;进行第三次升温;对衬底硅层进行第三次热氧化,在衬底硅层表面形成第三氧化层;降温,得到晶圆。通过分阶段升温,对衬底硅层进行分步氧化,先形成的氧化层可以作为缓冲层,减少晶圆材料表面和内部受热不均匀导致的应力损伤,同时通过控制升降温速率,减少因内外受热不均匀带来的内部结构损伤,在生长较厚的氧化层情况下,实现最终氧化硅片的应力损伤达到最小的效果。
  • 一种及其制备方法
  • [发明专利]一种β-Ga2-CN202211645490.1在审
  • 李星;皇文涛;单崇新;林超男;万丽 - 郑州大学
  • 2022-12-19 - 2023-10-27 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种β‑Ga2O3纳米线/金刚石异质结及其制备方法和应用,所述方法包括以下步骤:在辅助衬底层上滴加金属液滴Ga;将金刚石衬底层与辅助衬底层放置在管式炉的同一温度区;在管式炉中,通入H2和Ar的混合气体,在负压条件下,以外界进入管式炉中的O2以及管式炉中残留的O2作为O源,在金刚石表面无催化生长β‑Ga2O3纳米线。本发明的方法无需预先对金刚石衬底进行额外的退火处理和预铺金属催化剂,无需直接通入O2,避免了在高温条件下金刚石衬底被O2刻蚀的现象,通过Ga在金刚石表面的气相沉积,在其上外延生长了β‑Ga2O3纳米线,该方法工艺简单,成本低。
  • 一种gabasesub
  • [发明专利]半导体器件及其制备方法、图案化方法-CN202210405439.7在审
  • 王爱兵;王昕 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H01L21/027
  • 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、图案化方法,包括提供半导体衬底,在半导体衬底表面形成硅化物阻挡层,硅化物阻挡层上形成第一介质层,以及在第一介质层上涂覆光刻胶,并进行曝光,以得到图案化的光刻胶层。通过第一介质层穿插在硅化物阻挡层和光刻胶层之间的结构,以阻挡硅化物阻挡层内的活性氮原子进入光刻胶内而导致光刻胶变性,避免曝光图案区形成非均匀侧壁的光刻胶轮廓或结构,提高曝光后图案化的光刻胶层图案尺寸的均一性,进而提高图案化的硅化物阻挡层图案尺寸的均一性,提高半导体器件的硅化物阻挡层刻蚀良率。
  • 半导体器件及其制备方法图案
  • [发明专利]工件处理方法、工件处理设备及半导体器件-CN202211669619.2有效
  • 辛孟阳;姜伟鹏;刘韬;王文岩;余飞 - 北京屹唐半导体科技股份有限公司
  • 2022-12-25 - 2023-10-27 - H01L21/02
  • 本公开提供了一种工件处理方法、工件处理设备及半导体器件,涉及半导体制造技术领域。工件处理方法包括:将目标工件置于腔室中的支撑件上,目标工件上形成有氧化硅层;使用包含有氮气的工艺气体生成一种或多种等离子体,以得到第一混合物;第一混合物包含带电粒子和自由基;在氮化反应的过程中,利用腔室中的导电栅格结构对第一混合物进行过滤,以去除第一混合物中至少部分带电粒子,得到第二混合物;导电栅格结构位于目标工件远离支撑件的一侧;将目标工件暴露于第二混合物中,以在氧化硅层的至少部分区域上形成氮化硅层,以提升目标工件的稳定性,使得包括该目标工件的半导体器件能够满足高稳定性的应用需求。
  • 工件处理方法设备半导体器件

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