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[发明专利]一种利用碳离子注入吸杂的方法-CN201410102294.9在审
发明人：洪齐元;黄海 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用碳离子注入吸杂的方法。包括以下步骤：采用离子注入工艺通过硅片背面裸露层或者硅片背面二氧化硅层注入高能量碳离子，并在硅片的注入层中形成晶体缺陷区；进行退火过程，使晶体缺陷区转变为吸杂区，并捕获所述硅片中的金属离子形成去杂区；采用化学机械研磨方法去除所述去杂区本发明的离子注入吸杂工艺和光电二极管的制造过程兼容性高，可以很容易的加入到现有技术中，且碳离子注入对器件性能没有副作用，离子注入吸杂过程也不容易污染器件；同时通过对离子注入吸杂的工艺参数进行优化和控制，金属离子吸杂效果好，吸杂后的光电二极管性能有了明显好转，暗电流和白像素明显降低，提高CMOS传感器的成像效果。
一种利用离子注入方法

[发明专利]DMOS型半导体装置及其制造方法-CN200810134317.9有效
发明人：白石尚宽 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及DMOS型半导体装置及其制造方法，通过形成不受栅极鸟嘴部的影响的稳定的源极层而实现特性的提高。从离子注入开口部(11)进行与基极层(2)相反的导电型的杂质元素的离子注入而在基极层(2)内形成比栅极鸟嘴部(6)的发生区域还横向扩展的源极形成限制层(5)，从离子注入开口部(11)进行与源极形成限制层(5)相同的导电型的杂质元素的离子注入，从而在源极形成限制层(5)内扩散形成源极层(4)。
dmos 半导体装置及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN202310721499.4在审
发明人：于梦园;李东升 -专利权人：联合汽车电子有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种功率半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有外延层，实施第一次离子注入，在外延层中形成第一阱区；在衬底上形成牺牲介质层，覆盖外延层；刻蚀牺牲介质层，形成自对准的注入窗口；实施第二次离子注入，在第一阱区中形成N+源极区；实施第三次离子注入，在N+源极区下方形成第二阱区；实施第四次离子注入，在外延层中形成底部与第二阱区底部平齐的P+体引出区；依次形成栅极结构和与N+源极区及P+体引出区接触的导电层。通过自对准的注入窗口实施离子注入，保证片内各器件沟道长度的一致性，降低工艺难度；通过第三次离子注入，使阱区底部的JFET区域变宽，减小JFET电阻，降低器件总导通电阻。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅开关器件及制作方法-CN201710605562.2在审
发明人：黄润华;陶永洪;柏松;汪玲 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，具体包括在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层；在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，并高温退火；生长介质层，制作栅电极，制作隔离介质，制作源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属，制作源极加厚金属。本发明通过增添一次离子注入的方法实现了碳化硅开关器件导电沟道由同一层离子注入定义，避免了两侧沟道长度不一致引起的导通能力下降及器件可靠性降低。
一种碳化硅开关器件制作方法

[发明专利]P型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法-CN201410357335.9有效
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了P型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区，P型轻掺杂离子注入区包括P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区包括P型阱、N型轻掺杂离子阱、栅极、介质层，以及对应于N型轻掺杂离子阱的接触孔；对P型轻掺杂离子注入区和光阻区分别注入P型轻掺杂离子和N型轻掺杂离子；在正电势电子束扫描模式，根据发生亮度变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免P型轻掺杂离子注入到NMOS的P型阱中而产生漏电现象。
掺杂离子注入对准监控结构方法

[发明专利]离子注入掩模形成用分散体、离子注入掩模的形成方法以及半导体器件制造方法-CN201780013284.X在审
发明人：添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：提供一种用于形成在半导体制造工序中的离子注入工序中使用的离子注入掩模的分散体、以及使用该分散体的半导体器件的制造方法。本发明的离子注入掩模形成用分散体含有分散介质、在分散介质中分散的粒子、以及任意地含有耐热性粘结剂形成成分。制造半导体器件的本发明的方法包含：将本发明的分散体的膜的图案形成在半导体层或基材上的工序、对该膜的图案进行干燥和/或烧结来形成离子注入用掩模（13）的工序、通过该离子注入用掩模的图案开口部（12）向半导体层或基材（2）注入离子（7）的工序、以及除去离子注入用掩模的工序。
分散体离子注入掩模掩模离子半导体器件半导体层分散介质基材半导体器件制造半导体制造工序离子注入工序耐热性粘结剂图案图案形成注入离子烧结开口部粒子制造

[发明专利]具有PN结的半导体结构及其制备方法-CN202310756018.3在审
发明人：廖黎明;仇峰;胡林辉;张蔷 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本申请具有PN结的半导体结构通过改变光阻层形貌，设置开口边缘处的光阻层的厚度小于其它区域的光阻层的厚度，使得在开口边缘处对应的局部区域由于光阻层的厚度较小从而离子注入浓度较小，开口中心区域离子注入正常从而获得正常的离子注入浓度，使得PN结的离子注入浓度较低、可有效提高PN结反向耐压，且不会增加PN结占用面积；同时阱区其它区域的离子注入浓度正常，避免了对其它器件的电性改变。
具有 pn 半导体结构及其制备方法

[发明专利]移除光刻胶的方法-CN200710111114.3无效
发明人：郑台愚 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种方法，包括在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案，以暴露出离子注入区；使用所述光刻胶图案作为离子注入屏障，在所述材料层的离子注入区中注入杂质；和使用包括烃基气体的气体混合物等离子体移除所述光刻胶图案。
光刻方法

[发明专利]离子扩散及半导体器件形成的方法-CN200910049561.X有效
发明人：王津洲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种离子扩散及半导体器件形成的方法。其中离子扩散的方法，包括：向待注入层内注入离子，形成离子注入层；将离子注入层放入超声波液体槽内，使离子扩散均匀。本发明将离子注入层放入超声波液体槽内，使离子扩散均匀。超声波在液体中传输的速率快，且不需要将液体温度升高，即能使液体产生振动，在振动能量的驱使下离子能够扩散均匀，并且扩散速度加快，降低了工艺成本，提高了工艺效率。
离子扩散半导体器件形成方法

[发明专利]LDMOS器件及其制备方法-CN202310603834.0在审
发明人：田甜;许昭昭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有埋层和外延层；形成漂移区；在外延层以及部分漂移区中形成离子注入区，所述离子注入区位于所述漂移区一侧的下半部；形成栅介质层和多晶硅栅极；形成体区，所述体区与所述离子注入区相连接；刻蚀栅介质层和多晶硅栅极以形成栅极结构；形成栅极侧墙以及形成第一重掺杂区和多个第二重掺杂区。本申请在外延层中以及部分漂移区中下区域通过离子注入形成离子注入区，离子注入区与体区相连接，辅助耗尽栅极结构下方的漂移区，降低器件加压时体区/漂移区构成的PN结和栅极结构台阶处的电场强度，从而减小热载流子的产生和注入
ldmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种Si离子注入掺杂制造的GaN HEMT器件的制造方法-CN202211089853.8在审
发明人：张金枝;胡旭宏 -专利权人：江苏镓宏半导体有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si离子注入掺杂制造的GaN HEMT器件的制造方法，属于半导体器件技术领域，包括以下步骤，生长GaN HEMT器件的基本结构GaNHEMT器件的基本结构包括衬底以及在衬底上依次外延生长的缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层外表面采用PECVD技术生长SiO2保护层；在AlGaN势垒层的上表面进行Si离子注入形成Si离子注入层；高温退火Si离子注入层至Si+激活；在AlGaN势垒层上沉积源漏欧姆接触金属；采用离子注入隔离的方式实现器件间隔离，在SiO2保护层上光刻出栅极图形，淀积栅金属，通过PECVD生长SiO2隔离保护层之后采用离子注入与高温退火的方式在AlGaN势垒层形成Si+
一种 si 离子注入掺杂制造 gan hemt 器件方法

[发明专利]双面电池的制作方法-CN201410706106.3在审
发明人：沈培俊;金光耀;王懿喆;陈炯;洪俊华 -专利权人：上海晶玺电子科技有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面电池的制作方法，包括：S1：在硅衬底的正面生长氧化铝；S2：将硼离子注入至氧化铝中，将V族离子注入至该硅衬底的背面；S3：对步骤S2得到的结构进行退火处理，同时该氧化铝中的硼离子进入该硅衬底的正面中形成P型掺杂层。本发明将硼离子注入至作为钝化层的氧化铝中，在背面离子注入完成之后，利用了离子注入之后均需要退火的特点，使得氧化铝中的硼离子扩散至硅衬底的正面中形成P型掺杂层。如此一来，既免去了热扩散的形成掩膜、去掩膜的复杂步骤，又解决了硼离子注入损伤修复困难的问题。
双面电池制作方法

[发明专利]一种离子注入测试方法、测试结构和半导体器件-CN201310627594.4在审
发明人：张步新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入测试方法、测试结构和半导体器件，涉及半导体技术领域。本发明的离子注入测试方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成功能器件与测试结构，测试结构包括位于彼此独立的第一导电层和第二导电层；步骤S102：对第一导电层和第二导电层施加电压或电流以获取电流电压曲线；步骤S103：通过所述电流电压曲线判断离子注入的步骤是否存在异常。该离子注入测试方法在形成功能器件的同时形成测试结构，通过获取测试结构的电流电压曲线判断离子注入的步骤是否存在异常。该测试结构可以用于上述离子注入检测方法，具有相同的优点。
一种离子注入测试方法结构半导体器件

[发明专利]高性能半导体器件及其形成方法-CN200910242098.0无效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再形成离子注入区，例如倒掺杂阱的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述伪栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进行离子注入以形成离子注入区；再去除所述伪栅极介质层；进行热退火，以激活离子注入区的掺杂；最后在所述开口中沉积新的栅极介质层和金属栅极，其中所形成的新的栅极介质层覆盖所述衬底和侧墙的内壁。通过本发明能够避免将离子注入区的掺杂剂不当地引入源极区和漏极区，进而使离子注入区分布不与源/漏极区的掺杂重叠，避免增加MOSFET器件中的带-带泄漏电流，从而提高器件性能。
性能半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种合金钢真空渗碳的预处理方法、真空渗碳方法和合金钢-CN201910636719.7有效
发明人：王海斗;邢志国;马国政;黄艳斐;郭伟玲;金国;董美玲;李彩云 -专利权人：中国人民解放军陆军装甲兵学院
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种合金钢真空渗碳预处理的方法，包括：对合金钢基体进行超音速微粒轰击，获得表面纳米化基体；对所述表面纳米化基体进行稀土离子注入处理。本发明在真空渗碳前采用离子注入将稀土元素注入到合金钢表面来达到催渗的作用，但限于离子注入层最厚只有几微米，在离子注入稀土前又进行超音速微粒轰击得到具有高密度缺陷、高残余压应力的金属纳米层，以增大离子注入层的厚度
一种合金钢真空渗碳预处理方法

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