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- [发明专利]驱动电路及传输系统-CN202310687069.5在审
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徐迪恺
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长鑫存储技术有限公司
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2023-06-09
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2023-10-27
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G11C11/4063
- 本发明涉及一种驱动电路及传输系统。驱动电路包括:第一上拉驱动模块,包含多个第一上拉驱动器,用于根据上拉指示信号和驱动选择信号开启至少一个第一上拉驱动器,第一上拉驱动器用于生成具有预设电压的输出信号;上拉控制模块,用于根据上拉指示信号生成上拉控制信号;第二上拉驱动模块,与上拉控制模块连接,用于根据上拉控制信号开启或者关闭,并在开启时拉升输出信号的电压;升压模块,与上拉控制模块连接并与第二上拉驱动模块并联,用于根据上拉控制信号开启或者关闭,并在开启时拉升输出信号的电压;第二上拉驱动模块与升压模块的合并结构与第一上拉驱动器相同并受上拉控制信号控制。驱动电路不会影响到芯片性能。
- 驱动电路传输系统
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310815417.2在审
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陈军;黄铭辉
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长鑫存储技术有限公司
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2023-07-03
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2023-10-27
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H01L21/56
- 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法,涉及半导体技术领域。该形成方法包括:提供初始半导体结构,包括衬底、介质层以及位于介质层内的多个接触垫,衬底包括目标区域和伪图案区域,多个接触垫在衬底上的正投影位于目标区域;对介质层进行平坦化处理;在介质层上形成绝缘层,绝缘层包括多个第一开口,各第一开口分别露出各接触垫;在各接触垫上对应形成第一金属凸块,并在绝缘层上形成多个第二金属凸块,多个第二金属凸块在衬底上的正投影位于伪图案区域,第一金属凸块与第二金属凸块的顶面齐平。通过在半导体结构上形成平坦化的介质层以及绝缘层,以减小不同区域内金属凸块之间的高度差,提高了不同结构互联的可靠性。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202210380025.3在审
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李德斌
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长鑫存储技术有限公司
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2022-04-12
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2023-10-27
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H01L29/165
- 本申请提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法,半导体结构包括:衬底,源极结构、沟道结构和漏极结构,源极结构、沟道结构和漏极结构均位于衬底上,源极结构和漏极结构通过沟道结构连接;其中,沟道结构的材料的禁带宽度小于源极结构和漏极结构的材料的禁带宽度。沟道结构的材料的禁带宽度较小,使得沟道结构的载流子的迁移率较高;另外,源极结构和漏极结构的材料的禁带宽度较大,可以降低源极结构、漏极结构与衬底之间形成的PN结附近的导带和价带间的空穴隧穿几率,从而改善结漏电现象,提升半导体结构的性能。因此,本申请提供的半导体结构和半导体结构的制备方法,能够改善半导体结构的结漏电现象。
- 半导体结构制备方法
- [发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202210385869.7在审
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吴玉雷
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长鑫存储技术有限公司
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2022-04-13
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2023-10-27
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H01L21/308
- 本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构,涉及半导体技术领域,半导体结构的制作方法包括,提供目标层;在目标层的顶面形成多个第一掩膜图形;在目标层的上方形成多个第二掩膜图形,每个第二掩膜图形至少覆盖位于其延伸方向上的每个第一掩膜图形的部分顶面以及目标层的部分顶面;基于第二掩膜图形对目标层进行第一刻蚀;移除第二掩膜图形;基于第一掩膜图形对目标层进行第二刻蚀。在本公开中,通过第二掩膜图形和第一掩膜图形分别对目标层进行两次刻蚀处理,刻蚀形成更加精细复杂、密度更高的重复结构,减小了形成重复结构的难度,利于形成高集成度的集成电路。
- 半导体结构制作方法
- [发明专利]固定装置和测试系统-CN202210398882.6在审
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黄琰
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长鑫存储技术有限公司
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2022-04-15
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2023-10-27
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B25B11/00
- 本公开实施例提供一种固定装置和测试系统。其中,所述装置包括:支撑组件,包括横向设置的第一导轨;传动组件,包括传动螺杆和与所述传动螺杆螺纹连接的压块,所述传动螺杆用于驱动所述压块沿竖直方向上下移动;限位组件,用于限制所述传动螺杆上下运动,以及用于限制所述压块旋转运动;其中,所述限位组件与所述第一导轨活动连接,以沿所述第一导轨的延伸方向平移,所述限位组件还用于带动所述传动组件移动。如此,通过螺旋结构将旋转运动转化为直线运动,实现对小位移的精准控制,操作更精确,稳固待测试样品的同时且不易对待测试样品造成损坏,并且可适应不同位置和不同方向上待测试样品的固定,具有良好的实用性。
- 固定装置测试系统
- [发明专利]控制系统-CN202210398777.2在审
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黄琰
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长鑫存储技术有限公司
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2022-04-15
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2023-10-27
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G01R31/28
- 本公开实施例提供一种控制系统,包括:固定装置,用于固定待测试对象;加热组件,用于加热所述待测试对象;温度检测组件,用于检测所述待测试对象的温度值;控制组件,用于实时接收所述温度检测组件检测的温度值,并基于所述温度值控制所述加热组件的加热温度,以使所述待测试对象具有预设温度,且基于所述温度值控制所述固定装置施加在所述待测试对象上的压力值,以便于所述待测试对象在任意温度条件下承受预设压力值。本公开实施例提供的控制系统可控性好,温度控制精度高且方便快捷;同时由于采用固定装置固定待测试对象之后可以对待测试对象进行加热,从而可以实现对待测试对象的固定与加热一体化设计。
- 控制系统
- [发明专利]电荷泵电路、电荷泵电路的控制方法和存储器-CN202310814526.2在审
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李新
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长鑫存储技术有限公司
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2023-07-03
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2023-10-27
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H02M3/07
- 本公开实施例提供了一种电荷泵电路,包括第一升压电路和/或第二升压电路,其中:第一升压电路,用于在第一时钟信号的控制下,通过第一升压电容器对充电至输入电压的第一节点进行升压处理,得到输出电压,并将输出电压施加至电压输出端;第二升压电路,用于在第二时钟信号的控制下,通过第二升压电容器对充电至输入电压的第二节点进行升压处理,得到输出电压,并将输出电压施加至电压输出端;其中,第一升压电容器和第二升压电容器均为MOS电容器,且MOS电容器的栅介质层材料包括高介电常数材料,MOS电容器的栅极包括金属栅极。本实施例中的第一升压电容器和第二升压电容器的ESR小且电容值大,能够提高电荷泵电路的电流能力,增加电流效率。
- 电荷电路控制方法存储器
- [发明专利]存储器及其制作方法-CN202110790979.7有效
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周仲彦
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-13
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2023-10-27
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H10B12/00
- 本申请提供一种存储器及其制作方法,涉及存储技术领域,用于解决存储器中的衬底损耗大的技术问题。该存储器的制作方法包括:提供衬底,衬底包括核心区和外围区;核心区包括多个有源区以及隔离多个有源区的浅沟槽隔离区;在各有源区和外围区中均形成多个字线沟槽;在各字线沟槽内形成导电层,外围区的导电层的上表面至衬底的上表面的距离小于核心区的导电层的上表面至衬底的上表面的距离;在导电层上形成多晶硅层;去除核心区的部分多晶硅层以及外围区的全部多晶硅层;在核心区的字线沟槽中以及外围区的字线沟槽中形成阻挡层。通过减小外围区暴露导电层的接触孔深度,避免形成接触孔时造成的衬底损耗,从而改善存储器中晶体管等器件的性能。
- 存储器及其制作方法
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