专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5779个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]校准电路、存储器及校准方法-CN202210379098.0在审
  • 李思曼 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-12 - 2023-10-27 - G11C29/50
  • 本公开提供一种校准电路、存储器及校准方法,校准电路包括:校准电阻模块,校准电阻模块的输出电压随第一参数变化,所述第一参数包括所述校准电路的制造工艺、供电电压和工作温度中的至少一项;参考电压生成模块,用于接收第一比较信号,生成对应的参考电压;比较模块,耦接校准电阻模块和参考电压生成模块,用于比较输出电压和参考电压,并生成第一比较信号。如此,第一比较信号能够反映出校准电阻模块中的第一电阻的阻值实时变化情况,进而反映出PVT的变化情况,以满足更精准的校准需求。
  • 校准电路存储器方法
  • [发明专利]固定装置、测试系统-CN202210398569.2在审
  • 黄琰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - B25B11/00
  • 本公开实施例提供一种固定装置、测试系统,其中,固定装置包括:支撑组件,包括横向设置的第一连接梁;传动组件,包括传动螺杆和与所述传动螺杆螺纹连接的压块,所述第一连接梁用于支撑所述传动螺杆,所述传动螺杆用于驱动所述压块沿竖直方向上下移动;限位组件,用于限制所述传动螺杆上下运动,以及用于限制所述压块旋转运动。本公开实施例中提供的固定装置结构新颖、简单,驱动方式可靠、灵活、有效,且在固定待固定对象之后,压力不会发生变化。
  • 固定装置测试系统
  • [发明专利]驱动电路及传输系统-CN202310687069.5在审
  • 徐迪恺 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-10-27 - G11C11/4063
  • 本发明涉及一种驱动电路及传输系统。驱动电路包括:第一上拉驱动模块,包含多个第一上拉驱动器,用于根据上拉指示信号和驱动选择信号开启至少一个第一上拉驱动器,第一上拉驱动器用于生成具有预设电压的输出信号;上拉控制模块,用于根据上拉指示信号生成上拉控制信号;第二上拉驱动模块,与上拉控制模块连接,用于根据上拉控制信号开启或者关闭,并在开启时拉升输出信号的电压;升压模块,与上拉控制模块连接并与第二上拉驱动模块并联,用于根据上拉控制信号开启或者关闭,并在开启时拉升输出信号的电压;第二上拉驱动模块与升压模块的合并结构与第一上拉驱动器相同并受上拉控制信号控制。驱动电路不会影响到芯片性能。
  • 驱动电路传输系统
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310815417.2在审
  • 陈军;黄铭辉 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-27 - H01L21/56
  • 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法,涉及半导体技术领域。该形成方法包括:提供初始半导体结构,包括衬底、介质层以及位于介质层内的多个接触垫,衬底包括目标区域和伪图案区域,多个接触垫在衬底上的正投影位于目标区域;对介质层进行平坦化处理;在介质层上形成绝缘层,绝缘层包括多个第一开口,各第一开口分别露出各接触垫;在各接触垫上对应形成第一金属凸块,并在绝缘层上形成多个第二金属凸块,多个第二金属凸块在衬底上的正投影位于伪图案区域,第一金属凸块与第二金属凸块的顶面齐平。通过在半导体结构上形成平坦化的介质层以及绝缘层,以减小不同区域内金属凸块之间的高度差,提高了不同结构互联的可靠性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202210380025.3在审
  • 李德斌 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-12 - 2023-10-27 - H01L29/165
  • 本申请提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法,半导体结构包括:衬底,源极结构、沟道结构和漏极结构,源极结构、沟道结构和漏极结构均位于衬底上,源极结构和漏极结构通过沟道结构连接;其中,沟道结构的材料的禁带宽度小于源极结构和漏极结构的材料的禁带宽度。沟道结构的材料的禁带宽度较小,使得沟道结构的载流子的迁移率较高;另外,源极结构和漏极结构的材料的禁带宽度较大,可以降低源极结构、漏极结构与衬底之间形成的PN结附近的导带和价带间的空穴隧穿几率,从而改善结漏电现象,提升半导体结构的性能。因此,本申请提供的半导体结构和半导体结构的制备方法,能够改善半导体结构的结漏电现象。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202210385869.7在审
  • 吴玉雷 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-13 - 2023-10-27 - H01L21/308
  • 本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构,涉及半导体技术领域,半导体结构的制作方法包括,提供目标层;在目标层的顶面形成多个第一掩膜图形;在目标层的上方形成多个第二掩膜图形,每个第二掩膜图形至少覆盖位于其延伸方向上的每个第一掩膜图形的部分顶面以及目标层的部分顶面;基于第二掩膜图形对目标层进行第一刻蚀;移除第二掩膜图形;基于第一掩膜图形对目标层进行第二刻蚀。在本公开中,通过第二掩膜图形和第一掩膜图形分别对目标层进行两次刻蚀处理,刻蚀形成更加精细复杂、密度更高的重复结构,减小了形成重复结构的难度,利于形成高集成度的集成电路。
  • 半导体结构制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210404911.5在审
  • 邵光速;肖德元;邱云松;刘佑铭;蒋懿;苏星松;朱煜寒 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H01L21/336
  • 本发明涉及一种半导体结构的制备方法,包括:提供基底;于基底中形成若干平行间隔排布的且沿第一方向延伸的第一沟槽,以及相邻第一沟槽之间的初始有源区,初始有源区包括靠近第一沟槽底部的第一初始源漏区、远离第一沟槽底部的第二初始源漏区和位于第一初始源漏区和第二初始源漏区之间的初始沟道区;形成保护介质层,保护介质层覆盖第二初始源漏端的侧壁和初始沟道区的侧壁;减薄第一初始源漏区;于第一初始源漏区相对的两侧沉积导电材料层,以形成位线结构,位线结构沿第一方向延伸。上述半导体结构的制备方法,可以提高位线质量,减小位线结构与源漏区的接触电阻,降低RC延迟。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]固定装置和测试系统-CN202210398882.6在审
  • 黄琰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - B25B11/00
  • 本公开实施例提供一种固定装置和测试系统。其中,所述装置包括:支撑组件,包括横向设置的第一导轨;传动组件,包括传动螺杆和与所述传动螺杆螺纹连接的压块,所述传动螺杆用于驱动所述压块沿竖直方向上下移动;限位组件,用于限制所述传动螺杆上下运动,以及用于限制所述压块旋转运动;其中,所述限位组件与所述第一导轨活动连接,以沿所述第一导轨的延伸方向平移,所述限位组件还用于带动所述传动组件移动。如此,通过螺旋结构将旋转运动转化为直线运动,实现对小位移的精准控制,操作更精确,稳固待测试样品的同时且不易对待测试样品造成损坏,并且可适应不同位置和不同方向上待测试样品的固定,具有良好的实用性。
  • 固定装置测试系统
  • [发明专利]控制系统-CN202210398777.2在审
  • 黄琰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - G01R31/28
  • 本公开实施例提供一种控制系统,包括:固定装置,用于固定待测试对象;加热组件,用于加热所述待测试对象;温度检测组件,用于检测所述待测试对象的温度值;控制组件,用于实时接收所述温度检测组件检测的温度值,并基于所述温度值控制所述加热组件的加热温度,以使所述待测试对象具有预设温度,且基于所述温度值控制所述固定装置施加在所述待测试对象上的压力值,以便于所述待测试对象在任意温度条件下承受预设压力值。本公开实施例提供的控制系统可控性好,温度控制精度高且方便快捷;同时由于采用固定装置固定待测试对象之后可以对待测试对象进行加热,从而可以实现对待测试对象的固定与加热一体化设计。
  • 控制系统
  • [发明专利]电荷泵电路、电荷泵电路的控制方法和存储器-CN202310814526.2在审
  • 李新 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-27 - H02M3/07
  • 本公开实施例提供了一种电荷泵电路,包括第一升压电路和/或第二升压电路,其中:第一升压电路,用于在第一时钟信号的控制下,通过第一升压电容器对充电至输入电压的第一节点进行升压处理,得到输出电压,并将输出电压施加至电压输出端;第二升压电路,用于在第二时钟信号的控制下,通过第二升压电容器对充电至输入电压的第二节点进行升压处理,得到输出电压,并将输出电压施加至电压输出端;其中,第一升压电容器和第二升压电容器均为MOS电容器,且MOS电容器的栅介质层材料包括高介电常数材料,MOS电容器的栅极包括金属栅极。本实施例中的第一升压电容器和第二升压电容器的ESR小且电容值大,能够提高电荷泵电路的电流能力,增加电流效率。
  • 电荷电路控制方法存储器
  • [发明专利]芯片仿真方法及装置、电子设备和存储介质-CN202210405484.2在审
  • 徐帆 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - G06F30/20
  • 本公开是关于一种芯片仿真方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质,涉及半导体技术领域,可以应用于对芯片进行模拟仿真的场景。该方法包括:获取待仿真的芯片,并确定芯片在不稳定效应下发生性能退化的退化器件;获取退化器件对应的退化器件原始模型,基于退化器件原始模型生成退化器件对应的退化器件模型;基于退化器件模型生成芯片对应的器件仿真列表;根据器件仿真列表对芯片进行仿真处理,以得到对应的仿真结果。本公开对在不稳定效应下的退化器件采用退化器件模型进行仿真处理,未退化器件采用原始器件模型,可以有效缩短整体仿真时间,提高仿真效率。
  • 芯片仿真方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]一种晶圆清洗装置及清洗系统-CN202111029855.3有效
  • 时旭 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-09-03 - 2023-10-27 - H01L21/67
  • 本发明涉及半导体领域,公开一种晶圆清洗装置及清洗系统。晶圆清洗装置包括:承载台、限位机构、清洗机构以及温度调节组件;承载台具有用于承载晶圆的承载面,限位机构安装于承载面,用于限定放置晶圆的容纳区域;容纳区域具有若干个开口区,每个开口区具有多个开口部;温度调节组件可单独控制每个开口区内所有开口部的气流状况,用于与清洗机构配合以使晶圆整体均匀受热,其中气流状况包括气流的温度。上述晶圆清洗装置可使整个晶圆均匀受热,从而提升晶圆背面膜层去除的均匀度。
  • 一种清洗装置系统
  • [发明专利]存储器及其制作方法-CN202110790979.7有效
  • 周仲彦 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-13 - 2023-10-27 - H10B12/00
  • 本申请提供一种存储器及其制作方法,涉及存储技术领域,用于解决存储器中的衬底损耗大的技术问题。该存储器的制作方法包括:提供衬底,衬底包括核心区和外围区;核心区包括多个有源区以及隔离多个有源区的浅沟槽隔离区;在各有源区和外围区中均形成多个字线沟槽;在各字线沟槽内形成导电层,外围区的导电层的上表面至衬底的上表面的距离小于核心区的导电层的上表面至衬底的上表面的距离;在导电层上形成多晶硅层;去除核心区的部分多晶硅层以及外围区的全部多晶硅层;在核心区的字线沟槽中以及外围区的字线沟槽中形成阻挡层。通过减小外围区暴露导电层的接触孔深度,避免形成接触孔时造成的衬底损耗,从而改善存储器中晶体管等器件的性能。
  • 存储器及其制作方法
  • [发明专利]半导体结构制备中的异常传感器监测方法及其装置-CN202111095217.1有效
  • 刘啸君 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-09-17 - 2023-10-27 - G06F18/24
  • 本申请提供一种半导体结构制备中的异常传感器监测方法及其装置,该方法包括:获取晶圆经过不同量测站点的量测数据;将每一量测站点包括的多个量测数据输入至第一分类器中,以对多个量测站点进行筛选;将筛选之后的多个量测站点对应的多个量测数据输入至第二分类器和第三分类器中,而筛选出多个量测站点;将多个量测站点对应的量测数据分别输入至第一分类器,第二分类器和第三分类器,而筛选出多个目标传感器;根据第一分类器,第二分类器和第三分类器获得每一目标传感器组的得分,将得分最高的所述目标传感器组内的多个目标传感器定义为异常传感器。本申请可以利用分类器更快得锁定出现异常的传感器,分析效率快。
  • 半导体结构制备中的异常传感器监测方法及其装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top