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[发明专利]光学邻近修正方法-CN202210411744.7在审
发明人：罗连波;严中稳;陈巧丽 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供初始设计版图，所述初始设计版图中具有参考图形以及若干主要图形，所述参考图形具有参考边，每个所述主要图形具有若干主要边；获取搜索参数，根据所述搜索参数以所述参考边为基准确定搜索区域；当任意一个所述主要边与所述搜索区域具有重合部时，将所述主要边标记为待选边；获取筛选条件，并将符合所述筛选条件的所述待选边标记为选定边。通过所述搜索区域进行粗选操作获取若干待选边，再通过筛选条件对若干所述待选边进行进一步的细选操作，进而从若干待选边中获取最终的选定边。通过这种选边机制能够有效的排除具有干扰的所述待选边，进而减少多选或者误选，使得选边结果更加精确，提升后续光学邻近修正效果。
光学邻近修正方法

[发明专利]光学邻近修正方法-CN202210404047.9在审
发明人：严中稳;罗连波;陈巧丽 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供初始设计版图，初始设计版图中具有参考图形以及若干主要图形，参考图形具有参考边，每个主要图形具有若干主要边；以每个主要边为基准，获取第一搜索参数以确定第一搜索区域；当参考边与任意一个第一搜索区域具有重合部时，将第一搜索区域所对应的主要边标记为待选边；以参考边为基准，根据第一搜索参数获取第二搜索参数，以确定第二搜索区域；当任意一个待选边与第二搜索区域具有重合部时，将待选边标记为选定边。通过第一搜索区域和第二搜索区域的双向选边机制进行选边操作，减少多选或者误选的情况，使得选边结果更加精确，进而提升后续光学邻近修正的效果。
光学邻近修正方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210405828.X在审
发明人：李凤美;李政宁;张海洋 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在衬底上形成介质层、第一侧墙、第二侧墙、第一栅介质层及第二栅介质层；在介质层上和第一栅极开口内形成暴露出第二栅极开口的牺牲层；对第二侧墙进行补偿处理，在各个第二侧墙内掺杂补偿离子，使得刻蚀工艺对各个第二侧墙的刻蚀速率差在预设范围内。通过在各个第二侧墙内掺杂补偿离子，以弥补若干第二侧墙因前序制程所带来的材料差异，提高在刻蚀第二栅介质层时，对各个第二侧墙的刻蚀均一性，进而保证被去除的各个第二侧墙的高度保持均衡，使得后续形成的第二栅极层的高度保持均衡，以此减少在第二区上形成的各个晶体管结构的性能差异，以提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910156241.8有效
发明人：金吉松 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中，形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干相互分立的第一区，若干相互分立的所述第一区沿第一方向排布；在所述待刻蚀层的第一区内形成分割目标槽；在所述分割目标槽内形成分割结构，所述分割结构材料的介电常数大于待刻蚀层材料的介电常数；在所述待刻蚀层的第一区内形成第一目标槽，所述第一目标槽在第二方向上被分割结构切断，且所述第二方向与第一方向垂直。所形成的半导体器件的性能较好。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]光学器件的形成方法-CN202210325681.3在审
发明人：殷霞革;冯霞;陈晓军;张冬生;吴家亨 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：一种光学器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括耦合区；在所述衬底上形成第一介质层；在所述耦合区上的第一介质层内形成初始波导沟槽；在所述第一介质层表面和所述初始波导沟槽内形成图形化层，所述图形化层暴露出至少部分初始波导沟槽底部；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，以形成位于所述衬底上的波导结构，所述波导结构包括位于所述耦合区上的波导末端结构。所述半导体结构的形成方法提升了小尺寸波导的制成工艺稳定性，降低了光传播过程中的耦合损耗，提升了光传播效率。
光学器件形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210375691.8在审
发明人：李付军 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底上具有鳍部；在衬底上形成栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部内形成源漏开口，源漏开口包括中心区和位于中心区周围的边缘区；在中心区的底部表面形成阻挡层；在阻挡层暴露出的鳍部内形成初始掺杂区；去除阻挡层；在源漏开口内形成源漏掺杂层。通过在中心区的底部形成阻挡层；在阻挡层暴露出的鳍部内形成初始掺杂区。利用阻挡层能够有效减少初始掺杂区形成在中心区底部表面暴露出的鳍部内，进而在形成源漏掺杂层过程中，能够减少初始掺杂区向鳍部的底部进行扩散，以改善短沟道效应。同时利用阻挡层能够保证初始掺杂区形成在边缘区与沟道之间的鳍部内，进而降低电阻。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210375678.2在审
发明人：段超;张浩;郭雯;许增升;王晓娟 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一金属层，所述衬底表面暴露出所述第一金属层表面；在衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有开口，所述开口暴露出所述第一金属层顶部表面；对所述第一金属层表面进行清洁处理；对所述第一金属层表面进行清洁处理之后，对所述第一金属层表面进行浸润处理；对所述第一金属层表面进行浸润处理之后，采用选择性沉积工艺在所述开口内形成第二金属层。所述方法形成的半导体结构性能得到改善。
半导体结构形成方法

[发明专利]温度补偿分布图的形成方法及系统、温度补偿方法-CN202210375682.9在审
发明人：柯星;纪世良;张海洋 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：一种温度补偿分布图的形成方法及系统、温度补偿方法，其中方法包括：获取晶圆平面，所述晶圆平面包括边缘轮廓、以及由所述边缘轮廓围成温度补偿区域；获取所述温度补偿区域的第一温度补偿分布图，所述第一温度补偿分布图中具有若干呈网格矩阵分布的第一补偿点位，每个所述第一补偿点位对应第一温度补偿值；在所述边缘轮廓上获取若干第二补偿位点；根据所述第一温度补偿分布图，获取每个所述第二补偿位点对应的第二温度补偿值，形成第二温度补偿分布图，由所述第一温度补偿分布图和所述第二温度补偿分布图，形成所述温度补偿分布图。通过所述第二温度补偿分布图能够对晶圆的边缘区域进行对应的温度补偿，进而有效提升经过刻蚀后器件尺寸的均一性。
温度补偿分布图形成方法系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910153800.X有效
发明人：王楠 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及形成方法，结构包括：衬底，衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域和第二区域位于第三区域两侧且与第三区域相邻，第一区域上有第一鳍部，第二区域上有第二鳍部，第三区域上有第三鳍部，第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行，衬底上有隔离层，隔离层还位于第一鳍部部分侧壁表面、第二鳍部部分侧壁表面及第三鳍部部分侧壁表面，且隔离层表面低于第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面；位于第一鳍部上的第一外延层；位于第二鳍部上的第二外延层；位于第三鳍部上的第三外延层，第三外延层的两侧与第一外延层和第二外延层相接触；位于第一外延层、第二外延层和第三外延层上的导电结构。所述半导体结构性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910465379.6有效
发明人：金吉松 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在半导体衬底上形成初始待切割鳍，初始待切割鳍部分延伸至鳍切割区上；在半导体衬底上形成横跨初始待切割鳍的栅极结构，鳍切割区和第一插塞切割区均位于栅极结构的侧部；在半导体衬底和初始待切割鳍上形成覆盖栅极结构侧壁的介质层；刻蚀去除第一插塞切割区上的介质层和鳍切割区上的初始待切割鳍，形成切割开口，且使初始待切割鳍形成位于切割开口侧部的切割鳍；在切割开口中形成切割结构；在栅极结构侧部的介质层中形成第一插塞结构，切割结构在切割鳍的宽度方向上切割第一插塞结构。所述半导体器件的性能得到提高。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910842798.7有效
发明人：唐睿智;付金玉;刘琳;李波;杨鹏;黄豪俊;刘佳磊 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成伪栅极结构，伪栅极结构包括伪栅介质层、初始伪栅极层以及位于伪栅介质层和初始伪栅极层侧壁的第一侧墙；在衬底上形成隔离层，隔离层暴露出伪栅极结构表面且表面低于伪栅极结构表面；去除部分初始伪栅极层形成伪栅极层，在隔离层内形成第一开口；对第一开口暴露出的第一侧墙进行改性处理形成改性侧墙；去除第一开口底部的伪栅极层在隔离层内形成第二开口；刻蚀去除第二开口底部的伪栅介质层和改性侧墙在隔离层内形成第三开口，第三开口顶部在平行于衬底表面方向的尺寸大于第三开口底部在平行于衬底表面方向的尺寸；在第三开口内形成栅极结构。所形成的半导体结构性能得到提升。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]涂布机及涂布方法和掩膜板的形成方法-CN201810315441.9有效
发明人：赵晗 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种涂布机及涂布方法和掩膜板的形成方法，其中，涂布机包括：喷头壳体，连接所述喷头壳体的第一阀门和第二阀门，所述喷头壳体、第一阀门和第二阀门围成气压腔，所述第一阀门和第二阀门之间具有涂覆缝，所述涂覆缝与所述气压腔相互贯通；位于所述喷头壳体气压腔中的喷嘴，喷嘴中具有喷孔，所述喷孔贯穿所述喷嘴，且所述喷孔与所述气压腔相互贯通。所述涂布机能够对特定区域进行涂布。
涂布机方法掩膜板形成

[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法-CN201810770624.X有效
发明人：赵猛 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟道区，所述沟道区表面具有栅极结构，分别在栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一硅化物层和第二硅化物层，第一硅化物层和第二硅化物层到栅极结构侧壁的距离大于零；在第一硅化物层和栅极结构之间形成第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一离子；在第二硅化物层和栅极结构之间形成第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二离子，所述第一离子和第二离子导电类型相反。所述方法提高了隧穿场效应晶体管的性能。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810993858.0有效
发明人：张城龙;涂武涛;纪世良 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在所述基底上形成介质层，介质层内具有贯穿介质层的栅开口；在介质层上和栅开口内形成初始阻挡层，所述初始阻挡层覆盖栅开口底部表面和侧壁表面；形成初始阻挡层后，在栅开口内形成填充满栅开口的第一栅极层，所述第一栅极层表面与初始阻挡层齐平；回刻蚀所述第一栅极层以形成栅极层，所述栅极层顶部表面低于介质层表面；回刻蚀所述初始阻挡层以形成阻挡层，所述阻挡层顶部表面低于或齐平于栅极层顶部表面，且在介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成保护层，所述保护层填充满所述第一开口。所述方法提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811000485.9有效
发明人：周飞 -专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部结构，所述鳍部结构包括底部区和位于底部区上的顶部区，顶部区包括沿基底表面法线方向重叠的若干层复合鳍部层，各复合鳍部层均包括第二鳍部层以及位于第二鳍部层表面的第一鳍部层；在所述基底上形成第一隔离结构，所述第一隔离结构覆盖鳍部结构的底部区侧壁和至少部分最底层的第二鳍部侧壁；在最底层的第二鳍部层内形成阻挡掺杂区，阻挡掺杂区内掺杂有阻挡离子；在鳍部结构的底部区顶部形成阈值离子掺杂区，阈值离子掺杂区内掺杂有阈值电压调节离子。所述方法形成的半导体器件性能较好。
半导体器件及其形成方法

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