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[发明专利]带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法-CN201310559750.8有效
发明人：刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层；采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层；在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口；从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面；继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面，并去掉光刻胶，获得超薄离子注入牺牲层薄膜。此种制作掩模的方法适用于碳化硅SBD、JBS二极管、MOSFET器件以及其他需要使用高温高能量离子注入的碳化硅器件。
带有选择性截止碳化硅高温离子注入制造方法

[发明专利]一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法-CN201310570937.8有效
发明人：刘新宇;汤益丹;许恒宇;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上涂敷光刻胶，采用光刻显影技术在刻蚀阻挡层表面形成选择性高温离子区域窗口；从选择性高温离子区域窗口依次对刻蚀阻挡层和高温离子注入掩蔽层进行刻蚀直至碳化硅外延衬底的表面；去除光刻胶及剩余的刻蚀阻挡层，得到侧壁光滑、陡直、可控的厚介质离子注入掩蔽层。本发明精确的对刻蚀面进行角度控制，得到侧壁光滑、陡直的厚介质离子注入掩蔽层，保证了选择性离子注入区域内的均一性良好、可控性强。
一种精确控制碳化硅高温离子注入陡直方法

[发明专利]考虑射束功率输入的晶片温度控制-CN201880055598.0有效
发明人：约翰·巴格特;乔·费拉拉;布莱恩·特里 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在离子注入系统中注入离子期间维持工件温度的系统和方法，其中使用一组预定的参数集来表征离子注入系统。在第一温度下设置受热夹盘，其将工件加热到第一温度。在加热的同时将离子注入到工件中，并通过离子注入将热能施加到工件中。通过选择性在受热夹盘上将工件加热到第二温度，在离子注入期间将工件的期望温度维持在期望精度内。至少部分地基于离子注入系统的表征来维持期望温度。通过在第二温度下选择性在受热夹盘上加热工件，减少从注入施加到工件中的热能。
考虑功率输入晶片温度控制

[发明专利]一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法-CN201711222270.7在审
发明人：王弋宇;吴佳;周正东;张文杰;刘东;杨程;史晶晶;李诚瞻;吴煜东 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。本发明可以显著提升离子注入厚掩膜的陡直性，并简化离子注入掩膜制备工艺和去除工艺。
掩膜离子碳化硅材料第一层陡直性选择性离子注入高能离子碳化硅去除离子注入掩膜表面沉积高温离子光刻显影掩膜表面制备工艺光刻胶侧壁沉积光滑刻蚀面刻显影匀光清洗阻挡

[发明专利]半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法-CN200510126243.0无效
发明人：王启元;王俊;王建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧化铝介电薄膜；在氧化铝介电薄膜上涂光刻胶；在光刻胶上刻蚀，形成带有一定间隔的凹槽的光刻胶刻蚀图形；采用硅离子注入工艺，对凹槽下的氧化铝介电薄膜进行选择性硅离子注入；采用HF化学腐蚀工艺，对进行了硅离子注入的氧化铝介电薄膜进行选择性腐蚀，形成带有线条的图形，完成半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀。
半导体衬底氧化铝薄膜离子注入腐蚀方法

[发明专利]半导体器件离子注入工艺的优化方法-CN200710172406.8有效
发明人：居建华;余兴;仇志军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件离子注入工艺的优化方法，该方法采用材料芯片实验方法，对半导体制程中离子注入工艺条件进行优化，可以加速器件开发速度和节省晶片数量。该方法包括：在晶片上覆盖光刻胶；选择实验区域进行第一次注入区域的选择性曝光和显影；在所述被暴露区域进行第一次离子注入；去除光刻胶；在所述晶片上的实验区域覆盖光刻胶；进行第二次注入区域的选择性曝光和显影；在所述被暴露区域进行第二次离子注入；去除光刻胶；依此，进行需要的第N次离子注入，获得若干组注入条件不同的芯片组，通过收集性能参数优化离子注入工艺条件。
半导体器件离子注入工艺优化方法

[发明专利]一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法-CN201910338924.5在审
发明人：王钊;杨洁;郑霈霆;孙海杰;朱佳佳;陈石;冯修;郭瑶;於琳玲;朱思敏 -专利权人：晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型离子注入工艺，特别涉及一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法。该方法包括以下步骤：①在制绒后的P型硅片表面第一次离子注入磷，选择注入低剂量的磷，注入同时选择高加速电压；②退火激活+推结，使形成的磷扩散结表面掺杂浓度低，有效磷掺杂浓度分布随深度变化较为平缓，形成方阻为140‑180ohm/sq的轻扩区；③第二次磷离子注入：本次注入剂量高磷的磷，目的是在硅片近表面形成高浓度的磷扩散层；④激光掺杂：激光选择性激活第二次离子注入的磷；⑤清洗。本发明通过降低电池磷扩散结内复合，提升磷扩散方阻均匀性和减少电池串联电阻损失，进一步提升PERC电池效率。
磷扩散离子激光选择性掺杂的匹配激活退火方阻均匀性表面掺杂电池串联电池效率电阻损失激光掺杂加速电压磷扩散层浓度分布深度变化新型离子注入剂量低剂量近表面有效磷硅片次磷方阻高磷推结制绒清洗掺杂电池复合

[发明专利]一种制作选择性掺杂结构的方法-CN201710408257.4有效
发明人：林建伟;王建明;吴兴华;季根华;刘志锋;刘勇 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作选择性掺杂结构的方法，包括以下步骤：对硅基体进行表面制绒和清洗处理；在硅基体表面进行离子注入；对离子注入面进行激光局部处理形成重掺杂区域；对硅基体进行注入后的清洗处理；高温退火形成轻掺杂区域并对重掺杂区域进行重构，最终制得选择性掺杂结构。其有益效果是：工艺简单，相对使用离子注入进行整面均匀掺杂的工艺，仅增加激光局部处理一道工序；相对其他制作选择性掺杂结构的方法，本方法重掺杂区域具有更大的结深，所制电池的反向漏电小，并联电阻高；注入后清洗有利于在退火后形成低表面浓度的轻掺杂区域，提高所制电池的开路电压和短路电流；使用离子注入可获得较均匀的掺杂量，所制轻掺杂区域的方阻均匀性好。
一种制作选择性掺杂结构方法

[发明专利]选择性形成沟槽的方法-CN200910207745.4有效
发明人：朱品蒨;陈信琦;郑博伦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-10-22 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性形成沟槽的方法。首先，提供基材。基材包含第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件具有掺杂剂。其次，进行湿蚀刻，以选择性在第二半导体元件周围的基材中形成一组沟槽、选择性对第一半导体元件进行第一源极/漏极离子注入，或是选择性对第二半导体元件进行第二源极/漏极离子注入。
选择性形成沟槽方法

[发明专利]一种无源漏重掺杂NMOS器件的制备方法-CN200410053297.4无效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明有关一种无源漏重掺杂NMOS器件的制备方法，其在常规工艺的多晶硅栅积以后，对NMOS栅进行选择性离子注入，然后作栅的刻蚀工艺，接着进行缓变结离子注入，最后作自对准硅化物。本发明选择性地对NMOS进行离子注入，一方面减小晶体管的多晶硅耗尽，另一方面用来调节多晶硅电阻率。取消高剂量的源漏注入，采用低剂量高能量离子注入取代，有效地降低热载流子效应，提高器件的成品率。
一种无源掺杂 nmos 器件制备方法

[发明专利]利用离子注入形成选择性掺杂和制备高效晶体硅太阳能电池的方法-CN201310574856.5无效
发明人：黄海冰;王建波;王丽春;吕俊;赵建华;王艾华 -专利权人：中电电气（南京）光伏有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及用离子注入形成选择性掺杂和制备高效晶体硅太阳能电池的方法，1）通过热生长、CVD、PVD、ALD方法或化学凝胶生长法在硅片基体一面形成一层一定厚度的半掩膜材料，作为后续离子注入工艺形成分区掺杂的半掩膜；半掩膜材料选择：SiOx、SiOxNy、SiNx或TiOx等；2）对晶硅电池的某一面或者某一面的特定区域进行图案化刻蚀处理，形成所需要的选择性掺杂图案：刻蚀处理后的图案区将会形成重掺杂区；3）根据电池结构的设计，在晶硅电池的某一面或者与某一面的特定区域进行与衬底相同掺杂类型或者相反掺杂类型的离子注入掺杂；4）退火：在退火的过程中，形成选择性的分区掺杂。掺杂，离子注入选择合适的工艺参数。
利用离子注入形成选择性掺杂制备高效晶体太阳能电池方法

[发明专利]抗辐射功率MOSFET的工艺制备方法-CN201910038040.8在审
发明人：赵建坤;罗志勇;赵丽新 -专利权人：无锡浩真微电子有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括：氧化圆晶片的有源区的第一区域形成二氧化硅掩蔽层，对二氧化硅掩蔽层选择性蚀刻后通过硼离子注入形成P+型P阱；氧化晶圆片表面形成二氧化硅层，对二氧化硅层选择性蚀刻后，通过磷离子注入形成N型JFET；在圆晶片表面涂覆光刻胶并进行选择性曝光产生图形窗口，通过硼离子注入形成P型P阱；在圆晶片表面涂覆光刻胶并进行选择性曝光产生图形窗口，通过砷和磷离子注入形成N型Source；清洗圆晶片表面，并对清洗后的圆晶片表面进行热氧化生成二氧化硅作为栅介质层
圆晶片抗辐射二氧化硅掩蔽层表面涂覆光二氧化硅层功率MOSFET 选择性曝光选择性蚀刻工艺制备图形窗口栅介质层磷离子硼离子源区清洗晶圆片表面第一区域二氧化硅制备过程热氧化后置制备

[发明专利]使用选择性介质淀积的双极晶体管及其制造方法-CN200810081207.0有效
发明人： B·T·弗格利;D·V·霍拉克;古川俊治 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用选择性介质淀积的双极晶体管结构及其相关的制造方法。使用在半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模将外部基极区域注入到半导体衬底，在所述注入之后，选择性地淀积垂直间隔物层。所述离子注入掩模的一部分嵌入到所述垂直间隔物层内的孔的侧壁内并对准所述孔的侧壁。在制造所述双极晶体管时，所述垂直间隔物层的所述选择性淀积减小了热预算并降低了工艺复杂度。
使用选择性介质双极晶体管及其制造方法

[发明专利]用于减小I/O NMOS反短沟道效应的离子注入-CN200310109227.1有效
发明人：钱文生;那炜;郭永芳;肖胜安;姚泽强 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2003-12-10 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于减小I/O NMOS反短沟道效应的选择性沟道离子注入，其工艺步骤为：首先，在P沟道和APT离子注入后，淀积2000多晶硅；第二步，采用I/ONMOS LDD光刻版刻去该管栅区的多晶硅；第三步，淀积氧化硅700；第四步，湿法腐蚀氧化硅800，形成宽度为700的两个内侧墙，随后进行调整阈值电压的离子注入；最后，除去多晶和氧化物，继续正常的工艺流程，进行栅氧化层淀积。通过选择性硼注入，硼的分布比常规的沟道全注入要均匀，消除了沟道两端的峰状分布。
用于减小 nmos 沟道效应离子注入

[发明专利]提高离子注入区的深宽比的制造方法-CN201711178339.0有效
发明人：吴智勇;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高离子注入区的深宽比的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底的正面依次形成第一隔离层和第一多晶硅层；步骤二、形成第二介质层；步骤三、进行光刻将离子注入区之外的区域打开并将离子注入区之外的第二介质层；步骤四、进行选择性多晶硅外延生长形成第二多晶硅层；步骤五、去除第二介质层；步骤六、以第二多晶硅层为阻挡层进行离子注入形成所需深度的离子注入区；步骤七、之后去除第二多晶硅层、第一多晶硅层和第一隔离层。本发明能使离子注入区的宽度和深度分开可调，从而能提高离子注入区的深宽比。
提高离子注入制造方法

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