专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图形处理方法及装置-CN202310102242.0在审
  • 黎梓健;刘峰;章靖宁;刘禛;孟岩 - 珠海金山数字网络科技有限公司
  • 2023-02-08 - 2023-04-14 - G06T11/20
  • 本申请提供图形处理方法及装置,其中所述图形处理方法包括:接收初始图形参数,并根据所述初始图形参数生成初始图形,其中,所述初始图形参数包括图形内径、图形外径和图形环宽;接收图形调整指令,其中,所述图形调整指令中携带针对第一图形变量的第一调整信息,所述第一图形变量为所述图形内径或所述图形外径;根据所述第一调整信息和所述图形环宽,确定第二图形变量的第二调整信息,其中,所述第二图形变量为所述图形内径或所述图形外径;根据所述第一调整信息和所述第二调整信息,对所述初始图形进行调整,获得目标图形
  • 图形处理方法装置
  • [发明专利]一种辅助图形的添加方法-CN201611259536.0有效
  • 胡红梅 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2016-12-30 - 2019-10-25 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种辅助图形的添加方法,包括:提供一OPC目标图形,根据辅助图形基准规则,选取其中只能加入一根辅助图形部分的规则,建立辅助图形额外规则;把目标图形整体进行放大,使目标图形的所有边向外扩展A距离;基于辅助图形额外规则,将该辅助图形额外规则中相应目标图形之间的距离值减去2A;并且,基于A距离,将辅助图形额外规则中因目标图形整体放大而受到影响的其他参数进行相应调整;运行辅助图形额外规则,生成第一辅助图形;以第一辅助图形作为新增的参考图形,对目标图形执行辅助图形基准规则,生成第二辅助图形;将第一辅助图形,第二辅助图形和其它已有辅助图形叠加构成最终的辅助图形
  • 辅助图形目标图形基准规则放大减去叠加参考
  • [发明专利]图形识别处理方法、装置、存储介质和电子设备-CN202110778430.6在审
  • 郭彦超 - 北京易真学思教育科技有限公司
  • 2021-07-09 - 2021-08-10 - G06T11/20
  • 本公开涉及一种图形识别处理方法、装置、存储介质和电子设备,其中所述方法包括:获取绘制图形时的多个轨迹点坐标数据,基于多个轨迹点坐标数据拟合得到拟合图形;获取拟合图形图形参数,其中不同拟合图形对应的图形参数不同;若图形参数满足预设图形判定条件,则将拟合图形确定为对应的目标图形并显示该目标图形。本公开实施方案可以对拟合图形结果进行判断,在拟合图形对应的图形参数满足预设图形判定条件时,确定拟合成功,并将拟合图形确定为目标图形以显示目标图形,从而可以较为准确地确定涂鸦绘制的几何图形对应的目标图形,进而可方便地生成老师需要的目标图形,避免多次重复涂鸦操作,方便老师高效地讲课。
  • 图形识别处理方法装置存储介质电子设备
  • [发明专利]一种多尺度图形识别方法及系统-CN202110634739.8在审
  • 汪知礼 - 汪知礼
  • 2021-06-08 - 2021-08-13 - G06T5/50
  • 本发明涉及一种图形识别的技术领域,公开了一种多尺度图形识别方法,包括:获取待识别图形,将待识别图形转换为图形灰度图,并利用局部最大类间方差法对图形灰度图进行二值化处理,得到二值化图形;利用自适应图形增强算法对二值化图形进行细节增强处理;利用图形分解算法对细节增强后的图形进行分解处理,将图形的轮廓和纹理尺度信息分解到不同的图形;利用多尺度融合算法将不同尺度的图形进行融合处理,得到融合后的图形;将融合后的图形作为图形识别模型的输入,利用图形识别模型对融合后的图形进行图形识别本发明还提供了一种多尺度图形识别系统。本发明实现了多尺度的图形识别。
  • 一种尺度图形识别方法系统
  • [发明专利]光学邻近修正方法和装置-CN202310625840.6在审
  • 陈世言 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-06-30 - G03F1/36
  • 该方法包括:在原始图形中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形和第二光学辅助图形;确定在原始图形中存在异常光学辅助图形,异常光学辅助图形是由第一光学辅助图形和第二光学辅助图形形成的,异常光学辅助图形是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形;对异常光学辅助图形处理,获得包括目标光学辅助图形和原始图形的目标图形,目标光学辅助图形是指不会在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。本公开实施例的方法能够提高所需目标图形的准确性。
  • 光学邻近修正方法装置
  • [发明专利]一种版图图形的修正方法及系统-CN202211002917.6有效
  • 赵广;罗招龙;刘秀梅;吴晨雨 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-08-22 - 2022-11-22 - G03F1/36
  • 本发明涉及集成电路制造领域,并公开了一种版图图形的修正方法,至少包括:设置主图形和辅助图形;调整相邻的主图形间的主图形间距,以及主图形和辅助图形图形间距离,获得多种组合图形;修正多种组合图形,并获取多种组合图形的仿真工艺窗口信息;设置主图形间距,并根据组合图形和仿真工艺窗口信息的映射关系,获得最优组合图形,并根据多个最优组合图形的重叠度,获取最优图形间距离;以及根据最优图形间距离,为多种主图形匹配最优辅助图形。本发明提供了一种版图图形的修正方法及系统,能够提升半导体图形光学邻近校正的效率和精度。
  • 一种版图图形修正方法系统
  • [发明专利]FINFET多输入标准单元版图结构及半导体器件-CN202111005046.9在审
  • 阮筱津;高唯欢;胡晓明 - 上海华力微电子有限公司
  • 2021-08-30 - 2021-11-30 - H01L27/02
  • 本发明提供一种FINFET多输入标准单元版图结构,包括有源区图形、六个栅条图形、有源区金属图形、有源区金属截断图形、栅线金属图形、输入连接孔图形、连接金属图形,四个栅条金属图形依次位于中间的四个栅条图形上且位于两个有源区图形之间,四个栅条金属图形交错排布且均偏向对应栅条图形的同一侧,第一金属图形至第四金属图形依次覆盖四个输入连接孔图形,第五金属图形位于第四金属图形相对第三金属图形的两个有源区金属图形上且位于相应的栅条图形之间。本发明中,利用有源区金属截断图形以截断有源区金属图形,以使得栅条金属图形可以交错排布,从而达到栅条金属图形上的连接金属图形紧凑排布的目的,以解决多输入标准单元布置不紧凑的问题。
  • finfet输入标准单元版图结构半导体器件
  • [发明专利]目标版图优化方法-CN202211343908.3在审
  • 何大权;魏芳;陈翰;张辰明 - 上海华力微电子有限公司
  • 2022-10-31 - 2023-01-31 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种目标版图优化方法,包括:对第一金属层图形使用标准模型进行OPC修正得到第一OPC图形;对第一OPC图形使用工艺窗口模型模拟得到模拟图形,并从中标记出桥接图形和断线图形;选择第一金属层和桥接图形接触的第一图形边并移动第一距离得到第二金属层图形;选择第二金属层图形与断线图形接触的第二图形边并移动第二距离得到第一目标图形;选择第一目标图形与桥接图形接触的第三图形边并向图形内部方向移动第一距离,得到第三金属层图形;选择第三金属层图形与断线图形接触的第四图形边并向图形外部方向移动第二距离,得到第二目标图形;对第二目标图形基于标准模型和工艺窗口模型进行OPC修正,得到第二OPC图形
  • 目标版图优化方法
  • [发明专利]半导体器件版图结构-CN202310692640.2有效
  • 张振;陈星;王焕琛 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-08-18 - G06F30/392
  • 本发明提供一种半导体器件版图结构,包括第一互连图形层、第二互连图形层至第n互连图形层,第一互连图形层包括位于冗余图形区的至少两个第一冗余金属图形、第三冗余金属图形和第四冗余金属图形,第二互连图形层至第n互连图形层均包括位于冗余图形区的至少两个第二冗余金属图形、第三冗余金属图形和第四冗余金属图形;第三冗余金属图形、第四冗余金属图形和第二冗余金属图形的面积均不同,第四冗余金属图形与第二冗余金属图形的形状不同,第四冗余金属图形与第三冗余金属图形的形状不同,可以提高冗余图形区的图形填充率,提高冗余图形区的图形均匀性,由此改善实际半导体器件制备中化学机械研磨的负载效应,避免互连层间短路和互连层表面凹陷。
  • 半导体器件版图结构
  • [发明专利]双重图形曝光掩模制造方法及双重图形曝光方法-CN201010240544.7无效
  • 朴世镇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-07-23 - 2012-02-08 - G03F1/72
  • 一种双重图形曝光掩模制造方法及一种双重图形曝光方法,其中双重图形曝光掩模制造方法包括:提供目标图形,所述目标图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形包括至少两个分立的第一子图形,相邻的第一子图形之间具有相同的第一间隙,所述第一图形的第一子图形的特征尺寸小于第二图形的特征尺寸;根据所述第一图形形成第三图形,所述第三图形包括与第一子图形对应的分立的第二子图形;提取第三图形中的偶数位的第二子图形,并保持偶数位的第二子图形位置不变,形成第四图形;将第二图形写入第一掩模版;将第四图形写入第二掩模版。本发明提供的双重图形曝光掩模制造方法简单且分解精度高。
  • 双重图形曝光制造方法
  • [发明专利]配对图形的插入方法、设备和存储介质-CN202010302925.7有效
  • 张兴洲 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-04-17 - 2023-10-24 - G06F30/392
  • 本申请公开了一种配对图形的插入方法、设备和存储介质,包括:在集成电路版图插入第一配对图形;沿插入方向,在距离第一配对图形预定距离的位置插入第二配对图形,第二配对图形是与第一配对图形在形状上匹配的图形;当第一配对图形和第二配对图形中存在任一配对图形不满足配对图形插入标准时,沿移动方向移动第一配对图形和第二配对图形,直至第一配对图形和第二配对图形满足配对图形插入标准。本申请通过在集成电路版图中插入在形状上相互匹配的第一配对图形和第二配对图形,通过移动第一配对图形和第二配对图形以满足配对图形插入标准,在实现了在集成电路版图中自动插入配对图形的基础上,降低了配对图形的插入错误几率
  • 配对图形插入方法设备存储介质
  • [发明专利]光刻图形检测方法及系统-CN201911157399.3在审
  • 张添寿 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-11-22 - 2021-05-25 - H01L21/66
  • 本发明涉及一种光刻图形检测方法及系统,光刻图形检测方法包括:提供第一子图形;提供第二子图形,且第二子图形与第一子图形构成待测的第一图形;基于第一中心点将第一图形旋转第一预设角度得到第二图形;判断第一图形与第二图形是否完全重合,并基于判断结果确定第一图形是否为合格图形。通过检查新图形与原图形是否完全重合,判断原图形是否对称,能够方便、准确地验证设计的光刻图形是否合格。
  • 光刻图形检测方法系统

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