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- [发明专利]干法刻蚀第一金属层的方法-CN201110388943.2无效
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张瑜;黄君;李程
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上海华力微电子有限公司
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2011-11-30
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2012-04-04
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H01L21/768
- 本发明公开了一种干法刻蚀第一金属层的方法,该方法包括:提供一半导体基底;半导体基底上依次沉积刻蚀阻挡层、介电层、介电保护层,金属硬掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层;光刻胶层进行图案化处理,形成图案化的光刻胶层;以图案化的光刻胶层为掩膜,对底部抗反射层和金属硬掩膜层进行刻蚀,形成进行主刻蚀的刻蚀窗口;对所述刻蚀窗口内的介电保护层和介电层进行干法刻蚀,所述刻蚀工艺采用C5F8、Ar和O2作为刻蚀气体,所述C5F8、Ar和O2的流量比为2.2∶50∶1-3∶50∶1,以使刻蚀停止在刻蚀阻挡层;对刻蚀阻挡层进行过刻蚀工艺,去除刻蚀阻挡层,形成铜金属层沟槽。
- 刻蚀第一金属方法
- [发明专利]包括具有角部的第一金属层区域的基底-CN201810282616.0有效
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弗洛里安·维纳
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赛米控电子股份有限公司
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2018-04-02
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2022-03-11
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H05K1/02
- 本发明涉及一种包括具有角部的第一金属层区域的基底,所述基底包括陶瓷板(2),该基底包括第一金属层区域(5),该第一金属层区域(5)具有角部(6),第一金属层区域被布置在所述陶瓷板(2)的第一主表面(2a)上,其中,第一金属层区域(5)具有第一角部(6),该第一角部(6)将第一金属层区域(5)的直的第一金属层区域边缘部分(5a)连接至第一金属层区域(5)的直的第二金属层区域边缘部分(5b),第二金属层区域边缘部分与第一金属层区域(5)的第一金属层区域边缘部分(5a)垂直地延伸,其中,第一金属层区域(5)的第一角部(6)具有50μm至180μm的角部半径(R)。本发明提供了一种耐受温度变化的可靠基底。
- 包括有角第一金属区域基底
- [发明专利]集成电路-CN202010368022.9在审
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彭士玮;庄惠中;曾健庭;林威呈;吴国晖
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2020-04-30
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2021-07-16
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H01L23/535
- 一种集成电路包括第一金属层,此第一金属层具有邻近于第一边界的第一第一金属层条带及邻近于第二边界的第二第一金属层条带,第二边界与第一边界相对。第一第一金属层条带及第二第一金属层条带、第一边界及第二边界彼此平行。电路进一步包括第二金属层,此第二金属层具有第一第二金属层条带及邻近于第一第二金属层条带的第二第二金属层条带。第一第二金属层条带在第一第一金属层条带处连接第一金属层条带及第二第二金属层条带在第二第一金属层条带处连接第一金属层条带。第一第二金属层条带及第二第二金属层条带中的每一者彼此平行。
- 集成电路
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