专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]干法刻蚀第一金属的方法-CN201110388943.2无效
  • 张瑜;黄君;李程 - 上海华力微电子有限公司
  • 2011-11-30 - 2012-04-04 - H01L21/768
  • 本发明公开了种干法刻蚀第一金属的方法,该方法包括:提供半导体基底;半导体基底上依次沉积刻蚀阻挡、介电、介电保护金属硬掩膜、底部抗反射和光刻胶;光刻胶进行图案化处理,形成图案化的光刻胶;以图案化的光刻胶为掩膜,对底部抗反射金属硬掩膜进行刻蚀,形成进行主刻蚀的刻蚀窗口;对所述刻蚀窗口内的介电保护和介电进行干法刻蚀,所述刻蚀工艺采用C5F8、Ar和O2作为刻蚀气体,所述C5F8、Ar和O2的流量比为2.2∶50∶1-3∶50∶1,以使刻蚀停止在刻蚀阻挡;对刻蚀阻挡进行过刻蚀工艺,去除刻蚀阻挡,形成铜金属沟槽。
  • 刻蚀第一金属方法
  • [发明专利]沟槽刻蚀方法及第一金属制造方法-CN201610596506.2有效
  • 陈宏;曹子贵;王卉;徐涛 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2016-07-27 - 2019-05-03 - H01L21/308
  • 本发明提供种沟槽刻蚀方法及第一金属制造方法,在所述沟槽刻蚀方法中,在对氧化物掩膜进行刻蚀以实现沟槽图形转移时,能够根据测量出的氧化物掩膜的沉积厚度,来适应性调整所述刻蚀停止在所述间介质中的深度,从而可以根据所述深度适应性调整后续间介质主刻蚀的深度,形成种反馈机制,可以保证形成的沟槽的形貌和特征尺寸的稳定性,进而提高产品良率;而采用本发明的沟槽刻蚀方法制作的第一金属,由于其形成的第一金属沟槽的形貌和特征尺寸的稳定性较佳,因此第一金属在该第一金属沟槽中具有较好的填充效果,能够与其下方的金属插塞接触良好,避免了第一金属的电阻值漂移、寄生电容增加、漏电等问题。
  • 沟槽刻蚀方法第一金属制造
  • [发明专利]第一金属布局方法及集成电路-CN202011266113.8在审
  • 张思萌;蔡晓波;任建军 - 上海亿存芯半导体有限公司
  • 2020-11-13 - 2021-02-19 - G06F30/392
  • 本发明提供了第一金属布局方法,包括计算得到绕线格点线间距,以所述第一金属a或所述第一金属b的长度方向为第一方向,然后以所述第一方向为延伸方向以及间距为所述绕线格点线间距设置多条绕线格点线,其中,所述第一金属a和所述第一金属b的长度方向相同,沿所述绕线格点线设置第一金属c,沿所述绕线格点线设置第一金属e和第一金属f,增加了第一金属的布线通道数,提高了布通率,且有源区和栅极接触孔数量大于或等于个,无需额外占用第一金属的布线通道,接触孔数量增加,从而增加了版图的可靠性。本发明还提供了种集成电路。
  • 一层金属布局方法集成电路
  • [发明专利]包括具有角部的第一金属区域的基底-CN201810282616.0有效
  • 弗洛里安·维纳 - 赛米控电子股份有限公司
  • 2018-04-02 - 2022-03-11 - H05K1/02
  • 本发明涉及种包括具有角部的第一金属区域的基底,所述基底包括陶瓷板(2),该基底包括第一金属区域(5),该第一金属区域(5)具有角部(6),第一金属区域被布置在所述陶瓷板(2)的第一主表面(2a)上,其中,第一金属区域(5)具有第一角部(6),该第一角部(6)将第一金属区域(5)的直的第一金属区域边缘部分(5a)连接至第一金属区域(5)的直的第二金属区域边缘部分(5b),第二金属区域边缘部分与第一金属区域(5)的第一金属区域边缘部分(5a)垂直地延伸,其中,第一金属区域(5)的第一角部(6)具有50μm至180μm的角部半径(R)。本发明提供了种耐受温度变化的可靠基底。
  • 包括有角第一金属区域基底
  • [发明专利]第一金属的制作方法-CN200710044550.3无效
  • 王学娟;刘杰;周文磊;何萍 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-08-03 - 2009-02-04 - H01L21/768
  • 本发明提供了第一金属的制作方法,该第一金属制作在已制成接触孔的半导体器件上,且其从下至上依次包括粘附扩散阻挡。现有技术在制作第一金属时在去除自然氧化后并未进行热处理,而使水蒸气残留形成气泡状缺陷。本发明的方法先去除自然氧化;然后进行热处理,其中,该热处理的温度范围为350到680摄氏度,时间范围为30到60秒;接着制作粘附;最后制作扩散阻挡。本发明的方法可将去除自然氧化后所残留的水蒸气彻底去除,从而可避免第一金属上出现气泡状缺陷,并可大大提高第一金属的牢固性。
  • 一种一层金属制作方法
  • [发明专利]金属管材第一的缠绕方法-CN202011144109.4在审
  • 朱建秋;蒋立飞;谈万顺;徐建忠 - 江苏兴荣高新科技股份有限公司
  • 2020-10-23 - 2022-05-13 - B21C47/04
  • 本发明涉及金属管材第一的缠绕方法,其技术方案:金属管材第一的缠绕方法,其特征在于:在缠绕头的主盘或主盘侧板上装有组定位块;第一缠绕时,所述定位块进入主盘侧板和副盘之间与正在缠绕的第一的那圈管子的靠近主盘侧接触,使正在第一缠绕的那圈管子不能向主盘方向产生超差管缝;随着第一管子缠绕排线的进行,所述副盘与定位块之间的宽度尺寸同步增加。采用上述技术方案后,用于铜铝盘管第一缠绕管材的均匀缠绕,并使被缠绕第一管子在合适的位置爬上第二。为金属盘管的自动化缠绕打好基础。
  • 一种金属管材一层缠绕方法
  • [发明专利]第一路径延迟补偿-CN201180013832.1无效
  • 塞格·弗兰库斯·浮路岗 - 华为技术有限公司
  • 2011-09-23 - 2012-11-28 - H04L12/26
  • 种网络组件,其包括转发物理(PHY)单元,所述转发物理单元包括源队列(SQ),其中所述转发PHY单元经配置以测量所述转发PHY单元与目的地节点之间的单向物理延迟。还揭示种网络组件,其包括:转发PHY单元,其经配置以在网络物理处将多个符号发送到目的地节点,且在网络物理处从所述目的地节点接收所述符号;以及SQ,其经配置以对从所述目的地节点传回的所述符号进行排队,其中所述转发PHY单元进步经配置以处理所述排好队的符号以基于虚拟延迟时间计算出半往返延迟。
  • 一层路径延迟补偿
  • [发明专利]种芯片以及电子设备-CN201711456835.8在审
  • 蒋其梦;崔晓娟 - 华为技术有限公司
  • 2017-12-27 - 2019-07-05 - H01L23/64
  • 本申请提供了种芯片以及电子设备,以释放前道介质更多的内部空间。芯片包括第一金属、第二金属、前道介质以及填充介质第一金属与第二金属之间设有填充介质第一金属与第二金属设于前道介质上,第一金属以及第二金属之间用于设置MIM电容,第一金属第一侧面用于与MIM电容的第一金属电连接,第二金属的第二侧面用于与MIM电容的第二金属电连接;前道介质设有第一前道金属以及第二前道金属第一金属第一前道金属电连接,第二金属与第二前道金属电连接,第一金属以及第一前道金属用于将第一金属引入前道介质,第二金属以及第二前道金属用于将第二金属引入前道介质
  • 介质层第二金属层第一金属层金属层金属极电子设备金属层电芯片电连接填充侧面引入释放申请
  • [发明专利]集成电路-CN202010368022.9在审
  • 彭士玮;庄惠中;曾健庭;林威呈;吴国晖 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-04-30 - 2021-07-16 - H01L23/535
  • 种集成电路包括第一金属,此第一金属具有邻近于第一边界的第一第一金属条带及邻近于第二边界的第二第一金属条带,第二边界与第一边界相对。第一第一金属条带及第二第一金属条带、第一边界及第二边界彼此平行。电路进步包括第二金属,此第二金属具有第一第二金属条带及邻近于第一第二金属条带的第二第二金属条带。第一第二金属条带在第一第一金属条带处连接第一金属条带及第二第二金属条带在第二第一金属条带处连接第一金属条带。第一第二金属条带及第二第二金属条带中的每者彼此平行。
  • 集成电路

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