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[发明专利]图形化方法及鳍结构的形成方法-CN202211159707.8在审
发明人：王伯文;杨渝书 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供的图形化方法及鳍结构的形成方法，图形化方法包括：提供衬底，衬底由下至上依次形成有阻挡层及芯轴图形；形成第一侧墙材料层；执行离子注入工艺；执行刻蚀工艺以形成第一侧墙，其中，经过离子注入的第一侧墙材料层的刻蚀速率大于未经离子注入的第一侧墙材料层的刻蚀速率；去除芯轴图形；形成第二侧墙材料层；执行离子注入工艺；执行刻蚀工艺以形成第二侧墙；去除第一侧墙。本发明通过在对阻挡层及芯轴图形的顶壁上的第一侧墙材料层及第二侧墙材料层进行离子注入以提高经过离子注入部分相对于未经离子注入部分的刻蚀速率，有利于消除第一侧墙两侧的阻挡层以及第二侧墙两侧的阻挡层的厚度差，
图形方法结构形成

[发明专利]一种离子注入角度的监控方法-CN201710564657.4有效
发明人：袁永 -专利权人：邳州市鑫盛创业投资有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入角度的监控方法。所述离子注入角度的监控方法，包括：在硅衬底形成氧化层；在所述氧化层表面形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行图案化处理以形成多个相互间隔的多晶硅区域；在所述多晶硅层表面形成多个绝缘阻挡块，所述多个绝缘阻挡块相互间隔并形成相应的开口来将所述多晶硅区域裸露出来；通过所述开口并采用一定的角度对各个多晶硅区域进行离子注入处理；对所述多晶硅区域进行电阻测试，来检测在所述离子注入过程中的离子注入角度是否出现偏差。本发明提供的方法可以实现简单方便高效地监控离子注入角度。
一种离子注入角度监控方法

[发明专利]判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法-CN201210335261.X无效
发明人：顾珍;许向辉;郭贤权 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法，包括：提供经过离子注入制程段的半导体衬底；获得所述半导体衬底表面的颗粒缺陷图；确定每一掩膜层对应的颗粒缺陷比，所述颗粒缺陷比为：该半导体衬底的未被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目与该半导体衬底的被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目的比值；确定颗粒缺陷比最大的掩膜层，该掩膜层对应的离子注入工艺步骤所采用的机台即为产生颗粒缺陷的机台。本发明确定了在离子注入制程段中引起颗粒缺陷的离子注入工艺步骤和采用的离子注入机台。
判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷机台方法

[发明专利]碳化硅器件及其制备方法-CN202210526000.X有效
发明人：罗顶;徐承福;范美聪 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅器件及其制备方法，包括：提供基底结构，基底结构依次包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、第一导电类型的第一离子注入层以及第二导电类型的第二离子注入层；利用光刻工艺在第二离子注入层上形成第一图形化掩膜结构；利用第一图形化掩膜结构在基底结构中形成沟槽；在沟槽中形成栅极结构；利用栅极结构在第二离子注入层上形成第二图形化掩膜结构；利用第二图形化掩膜结构在第二离子注入层中形成开口，开口暴露出部分第一离子注入层；利用开口在暴露出的第一离子注入层中形成接触结构；以及形成与接触结构连接的导电层；第一导电类型和第二导电类型的导电类型相反。
碳化硅器件及其制备方法

[发明专利]过孔的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板-CN201710117979.4有效
发明人：段献学;宫奎 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该过孔的制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成绝缘层；采用第一次刻蚀工艺刻蚀绝缘层以在绝缘层中形成凹槽；对绝缘层的由凹槽暴露的部分进行离子注入，以形成离子注入区；采用第二次刻蚀工艺刻蚀离子注入区内的绝缘层以形成贯穿绝缘层的过孔该过孔的制备方法利用离子注入工艺，对绝缘层进行离子注入，增大离子注入区内的绝缘层密度，从而避免其被严重侧向刻蚀而产生底切倒角，提高了过孔的质量，保证了过孔的有效性，改善或消除了利用该过孔进行电连接的像素电极与源漏电极层之间接触跨断的不良现象
制备方法阵列

[发明专利]静态随机存储器的制备方法-CN202110252700.X有效
发明人：周儒领;金起準;詹奕鹏 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存储器的制备方法，所述方法在执行N型离子注入之前对部分多晶硅层执行预非晶化离子注入，能防止在N型离子注入过程中因多晶硅层中的晶粒尺寸过大，而导致注入的离子纵向扩散，穿过栅氧化层进入所述同时，提高了N型离子注入对多晶耗尽效应的抑制效果。此外，因后续形成的上拉PMOS晶体管和下拉NMOS晶体管共用同一栅极结构，故执行所述预非晶化离子注入还能够抑制N型离子注入中离子的横向扩散，避免N型离子注入对后续形成的上拉PMOS晶体管的阈值电压造成影响且两次离子注入使用同一掩膜，制备成本低，工艺简单。
静态随机存储器制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710011110.1有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成伪栅极结构；分别在伪栅极结构两侧的衬底中形成源区和漏区，源区和漏区中具有源漏掺杂离子；在源区和漏区上形成介质层，介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁；去除伪栅极结构，在介质层中形成开口；对开口底部的衬底进行第一离子注入或第二离子注入，或者对开口底部的衬底进行第一离子注入和第二离子注入；第一离子注入的方向朝向源区，在开口底部的衬底中注入第一阻挡离子，形成第一阻挡层；第二离子注入的方向朝向所述漏区，在开口底部的衬底中注入第二阻挡离子，形成第二阻挡层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]离子注入工艺对准质量的检验方法-CN201610935706.6有效
发明人：贺冠中 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入工艺对准质量的检验方法，包括：在半导体基底的预定区域形成具有第一图形的覆盖层；同时在半导体基底的目标区域和覆盖层上形成掩膜层，目标区域为需进行离子注入工艺的区域；以掩膜层为掩膜，先进行离子注入工艺；以掩膜层为掩膜，刻蚀覆盖层，形成第二图形；根据第一图形和第二图形的相对位置，检验离子注入工艺是否对准。本发明提供方法根据第一图形和第二图形的相对位置，即可检验离子注入工艺是否对准，解决了离子注入工艺去除掩模后无法判断离子注入图形对准质量的问题，尽早检测离子注入对准质量，使对准异常的产品无需完成后续生产流程
离子注入工艺对准质量检验方法

[发明专利]一种离子注入剂量测量方法-CN202310488061.6在审
发明人：崔伟胜;张若兵 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：一种离子注入剂量测量方法，用于在离子注入装置对被处理物完成离子注入后的离子注入剂量的测量，该装置包括交流高压电极、直流负电压电极以及多孔地电极，被处理物放置在直流负电压电极朝向多孔地电极设置的阻挡介质上；测量方法包括：获取在直流负电压电极上施加的电压值，以及直流负电压电极与被处理物离子注入后上表面电荷层之间的电容值；根据电压值和电容值计算注入被处理物的电荷量；根据电荷量确定离子注入剂量。本发明通过离子注入前后的系统稳态参数计算离子注入剂量，无需测量离子注入过程中的暂态参数，解决了传统离子注入测量方法需对注入电流实时高精度检测，技术要求难度大、成本高的问题，可极大降低离子注入技术的应用成本
一种离子注入剂量测量方法

[发明专利]一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法-CN202010104556.0在审
发明人：桑玲;吴鹏飞;赛朝阳;王耀华;金锐;查祎英;杨霏;夏经华;姜春艳;吴军民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法。本发明包括：根据目标值采用TRIM仿真继而确定n型掺杂离子的注入能量和剂量的仿真值；根据仿真值对碳化硅外延层进行离子注入；对注入后的碳化硅外延层进行SIMS检测获得实际注入值，比较实际注入值与目标值之间的偏差；根据偏差对仿真值进行校准，根据校准后的仿真值再次进行离子注入；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的n型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。
一种掺杂离子注入准确度提升方法

[发明专利]离子注入机和采用此离子注入机的离子注入方法-CN96112929.8无效
发明人：吴相根;文常营;金定坤;金度亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1996-09-16 - 公布日： 1997-09-10 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF+和B+或P+，结果，半导体器件的产量可以被提高。
离子注入采用方法

[发明专利]一种监控Ge离子注入质量的方法-CN201710146467.0有效
发明人：王梦慧;张立;赖朝荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控Ge离子注入质量的方法，首先提供一测试样本，其次选择与被监控Ge离子相同原子质量的As离子代替Ge离子,保持其余注入条件不变，对测试样本进行离子注入，然后待高温退火后，量测离子注入层的方块电阻，根据方块电阻的量测值结果，对与被监控Ge离子相同原子质量的As离子注入质量进行判断，等效于对被监控Ge离子注入质量进行判断。由于原子质量相同，导致其在离子注入机中通过磁场分析仪路径和加速路径也相同，从而，在其余注入条件相同的时候，离子注入的深度和角度也应该等同。因此，可以采用监控灵敏度更高的Rs监控方法对Ge离子注入质量进行监控，满足先进工艺对Ge离子注入质量的监测需求。
一种监控 ge 离子注入质量方法

[发明专利]降低光刻胶层在等离子体浸没式离子注入中降解的方法-CN200980145214.5无效
发明人：马丁·A·希尔金;卡提克·桑瑟南姆;延·B·塔;彼得·I·波尔什涅夫;马耶德·A·福阿德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种用于工件的等离子体浸没式离子注入方法，该工件在其顶表面具有光刻胶掩模，该方法用以防止由该光刻胶碳化引起的光刻胶失效。该方法包括执行连续离子注入子步骤，每一个所述离子注入子步骤都具有一段持续时间，在该段持续时间期间，仅该光刻胶层的部分顶部分受到离子注入损害。在每一个所述连续离子注入子步骤之后，通过执行灰化子步骤除去该光刻胶的该部分顶部分，并且同时将该光刻胶层剩余部分留在原位置。该连续离子注入子步骤的数目足以达到该工件中的预设离子注入剂量。
降低光刻等离子体浸没离子注入降解方法

[发明专利]高维持电压低触发电压的硅控整流器结构-CN202210669575.7在审
发明人：庚润;田志;姬峰;王奇伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供一种高维持电压低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底,P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔的第一、二、三浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间设有第一N型离子注入层，第三浅沟槽隔离的一侧设有部分横跨N阱和P阱的第二P型离子注入层；P型衬底上设有间隔的第四、五浅沟槽隔离，第四、五浅沟槽隔离间设有第三N型离子注入层，N阱上还设有栅极，栅极的一侧设有部分横跨N阱和P阱的第二N型离子注入层，第二N型离子注入层与第二P型离子注入层间设有第六浅沟槽隔离，栅极和第四浅沟槽隔离间设有第三N型离子注入层。
维持压低触发电压整流器结构

[发明专利]可调高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构-CN202210669459.5在审
发明人：庚润;田志;姬峰;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供一种可调高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔分布的第、二浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间形成有第一N型离子注入层，第二浅沟槽隔离的一侧形成有第一栅极、第一、二P型离子注入层；P阱上设有依次间隔分布的第三浅沟槽隔离和第四浅沟槽隔离，第三浅沟槽隔离和第四浅沟槽隔离间形成有第三P型离子注入层，第二N型离子注入层一部分横跨N阱和P阱，第二N型离子注入层另一部分位于P阱；第二P型离子注入层和第二N型离子注入层间设有第五浅沟槽隔离。
可调维持电压触发整流器结构