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[发明专利]一种基于衍射的套刻标记-CN202310934464.9在审
发明人：梁言 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及套刻对准领域，特别是涉及一种基于衍射的套刻标记，从上到下依次包括设置于当前层的当前层套刻标记、设置于第一前层的第一前层套刻标记及设置于第二前层的第二前层套刻标记；所述当前层套刻标记包括第一象限图案、第二象限图案、第三象限图案及第四象限图案；每个象限图案均包括多条互相平行的标记线，所述标记线均为倾斜角度的线条；每个前层套刻标记与一组对角象限图案对应，且包括多条标记线；所述第一前层套刻标记与所述当前层套刻标记组成的图案，及所述第二前层套刻标记与所述当前层套刻标记组成的图案，均为中心对称图案。本发明通过设置中心对称的、具有倾斜的标记线的套刻标记，缩短了量测时间，并减小了套刻标记的面积占用。
一种基于衍射标记

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202310949322.X在审
发明人：王晶;田宏伟;李然;陈善韬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，以解决目前的显示面板的防伪效果较差的问题。显示面板，包括：衬底层；显示像素，设置于衬底层的一侧；防伪像素，与显示像素设置于衬底层的同一侧，防伪像素用于发出光线，以形成第一设定图案，第一设定图案用于表征防伪信息；第一遮挡结构，与显示像素设置于衬底层的同一侧，第一遮挡结构远离衬底层一侧的表面与衬底层的垂直距离为第一距离，显示像素的出光表面与衬底层的垂直距离为第二距离，防伪像素的出光表面与衬底层的垂直距离为第三距离，第二距离和第三距离均小于第一距离，第一遮挡结构在衬底层上的正投影位于显示像素的出光区域和防伪像素的出光区域之间。
一种显示面板显示装置

[发明专利]测试电路结构-CN202210833273.9在审
发明人：谢承宪 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测试电路结构包括第一焊盘、第二焊盘、多个被测试器件及多个开关。开关中的每一个在第一焊盘与第二焊盘之间串联耦接到被测试器件中的每一个。开关分别由多个控制信号触发而接通。
测试电路结构

[发明专利]检测装置及其制造方法-CN202210395339.0在审
发明人：陈进吉;陈亭伃 -专利权人：睿生光电股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开提供一种检测装置及其制造方法。检测装置包括基板、导电垫、导线、光电元件以及绝缘层。基板包括第一区以及围绕第一区的第二区。导电垫设置在基板上并位于第二区中。导线设置在基板上并从第一区延伸到第二区。导线与导电垫相耦接。光电元件设置在基板上并位于第一区中。光电元件耦接于导线。绝缘层设置在光电元件上并从第一区延伸到第二区。绝缘层具有凹槽，且凹槽位于第二区中。
检测装置及其制造方法

[发明专利]重叠标记-CN202210402887.1在审
发明人：李光中 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种重叠标记包括：第一图案与第二图案。第一图案包括：多个第一条状与多个第一点状。多个第一条状沿着第一方向延伸且沿着第二方向平行排列。多个第一点状分别配置在多个第一条状之间。第二图案包括：多个第二条状与多个第二点状。多个第二条状沿着第二方向延伸且沿着第一方向平行排列。多个第二点状，分别配置在多个第二条状之间。
重叠标记

[发明专利]一种发光屏体-CN202310949551.1在审
发明人：康建喜;朱映光;张国辉;胡永岚 -专利权人：固安翌光科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种发光屏体，包括：基板，包括发光区和非发光区；发光器件层，位于基板的发光区；非金属封装层，位于发光器件层远离基板的一侧；金属封装层，位于非金属封装层远离基板的一侧以及基板的非发光区；至少一条第一金属线，位于非发光区的基板与金属封装层之间，并围绕发光区设置；第一金属线用于与信号检测装置电连接，以通过信号检测装置根据第一金属线与金属封装层构成的电容和第一金属线的电阻中的至少一种检测屏体内气泡，实现了屏体内气泡的检测。
一种发光

[发明专利]具有熔断器可选择布线阵列的硅中介层-CN201911000779.6有效
发明人： B·K·施特雷特;O·R·费伊;仲野英一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有熔断器可选择布线阵列的硅中介层。本发明揭示一种包含定位在硅衬底内的导电路径阵列或图案的硅中介层，其中所述衬底的外侧上具有多个引脚。所述引脚中的每一者连接到所述导电路径阵列的一部分。所述导电路径阵列可配置以提供经由所述导电路径阵列的一部分穿过所述衬底的第一电流路径或穿过所述衬底的第二电流路径。可定制穿过所述衬底的所述电流路径来测试各种裸片或芯片布局设计。可通过激光烧蚀所述导电路径的若干部分、沿着所述导电路径使熔断器熔断及/或致动连接到所述导电路径的逻辑门来定制穿过所述衬底的所述电流路径。
具有熔断器可选择布线阵列中介

[发明专利]显示设备-CN201810631205.8有效
发明人：李元世;金炫雄;文重守;申愛;李知恩;金光民;李承珪 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种显示设备。所述显示面板可以包括：与非显示区域重叠的检测线、连接到检测线的检测焊盘、以及将检测焊盘的输入焊盘连接到检测线的输入线。检测线可以包括第一部分和第二部分，该第一部分设置在与输入线的层级不同的层级处并且包括通过第一接触区中的第一接触孔被连接到输入线的端部，该第二部分设置在与第一部分的层级不同的层级处并且通过第二接触区域中的第二接触孔被连接到第一部分。非接触区域中的第一部分与第二部分之间的距离可以小于第一接触孔与第二部分之间的距离。
显示设备

[实用新型]一种晶圆级封装过程中检测漏电的封装结构-CN202321317665.6有效
发明人：顾跃君 -专利权人：贵州大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种晶圆级封装过程中检测漏电的封装结构，其包括待进行封装的芯片，顶部设置的聚酰亚胺层以及焊盘顶端设置的贯穿聚酰亚胺层的RDL，还包括残留金属和漏电检测组件，所述芯片顶部表面待封装区域设置有漏电检测组件；所述漏电检测组件包括第一弧形部、间隔槽、检测针插孔和锥形孔，第一弧形部的一侧第二弧形部，第一弧形部一侧的两端对称设置有两个平行的第一齿腿，本实用新型结构新颖，构思巧妙，便于通过对漏电检测组件的检测便于在封装前对RDL之间是否残留残留金属进行检测，无需在芯片完成封装后再检测漏电，不会出现芯片封装完成后晶圆测试检测漏电导致无法再重新再加工的情况发生，降低损失。
一种晶圆级封装过程检测漏电结构

[发明专利]测试电路、设备及系统-CN202310885703.6在审
发明人：杨杰 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开是关于一种测试电路、设备及系统，测试电路用于对半导体测试结构进行电性测试，半导体测试结构包括待测晶体管，测试电路包括电压控制模块和电流控制模块，电压控制模块包括高阻端，高阻端用于与待测晶体管的第一体端对应的第一测试垫连接，以向待测晶体管的第一体端输出测试电压；电流控制模块与电压控制模块耦接，电流控制模块包括电流控制端，电流控制端用于与待测晶体管的第二体端、源端、漏端对应的第二测试垫连接，以控制流经待测晶体管的电流。通过设置电压控制模块和电流控制模块能够避免待测晶体管除阻抗外的其他电阻值所引起的欧姆电位降对设定的测试电压造成干扰，消除了测试误差，提升了测试准确性。
测试电路设备系统

[发明专利]OLED屏体及OLED装置-CN202310949989.X在审
发明人：康建喜;朱映光;张国辉;胡永岚 -专利权人：固安翌光科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED屏体及OLED装置，其中OLED屏体，包括：基板；发光器件层，位于基板的发光区；非金属封装层，位于发光器件层远离基板的一侧；金属封装层，位于非金属封装层远离基板的一侧以及基板的非发光区；金属边框条，位于非发光区的基板与金属封装层之间，并围绕发光区设置；金属边框条的第一端和第二端用于与信号检测单元电连接，以根据金属边框条与金属封装层构成的电容检测屏体内气泡。实现了屏体内气泡的检测的同时，降低了OLED屏体的成本和体积。
oled 装置

[发明专利]等离子体损伤检测结构及检测方法-CN202210380584.4在审
发明人：吕赵鸿;黄新宇;章纬;邢勇军;杨波 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开涉及一种等离子体损伤检测结构及等离子体损伤检测方法，该检测结构包括并联于第一位线和第二位线之间的第一驱动单元和第二驱动单元，第一驱动单元包括第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管具有控制端、第一端和第二端，第二晶体管的控制端与天线连接。本公开的检测结构检测过程较为简便，且检测效率较高。
等离子体损伤检测结构方法

[发明专利]半导体监控结构及其监控方法-CN202310946002.9在审
发明人：周俊杰;梁肖;段新一 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体监控结构及其监控方法。本发明提出了一种适用于监控具有不同浅沟槽隔离STI结构密度的多个区域的绝缘材料层在同一D‑STI CMP工艺过程中的研磨厚度的半导体监控结构，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括三个器件密度不同的浅沟槽隔离STI结构区；多个STI结构，分别位于所述浅沟槽隔离STI结构区中，每个所述STI结构均包括形成在所述半导体衬底内的沟槽以及填充在所述沟槽内的绝缘材料层，而三个所述浅沟槽隔离STI结构区中所包含的所述沟槽的数目相互不同；刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖在所述形成的任意相邻两个所述STI结构之间所暴露出的所述半导体衬底的表面上，且所述绝缘材料层的顶面高于所述刻蚀停止层的顶面。
半导体监控结构及其方法

[发明专利]电子装置-CN202210347550.5在审
发明人：张晏齐;宋旻倩;郭柏村;王昱凯;萧唯伦 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开提供一种电子装置，包含发光组件、盖板以及遮光层，盖板设置于发光组件上，遮光层设置于盖板邻近发光组件的一侧上，遮光层具有标记区域，遮光层于标记区域内具有多个开口，并且，多个开口于标记区域内具有开口率，开口率大于0％且小于等于20％。
电子装置

[发明专利]反熔丝感测装置及其操作方法-CN202210955639.X在审
发明人：张志航 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝感测装置及其操作方法。反熔丝感测装置包括反熔丝感测电路、电压生成电路以及上电检测电路。在电压生成电路的上电瞬时期间，上电检测电路提供初始化电压给反熔丝感测电路的控制端，以避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状态。在上电瞬时期间结束后，电压生成电路提供控制电压给反熔丝感测电路的控制端。反熔丝感测电路基于控制电压感测反熔丝的阻态。在电压生成电路提供控制电压的期间，上电检测电路停止提供初始化电压至反熔丝感测电路的控制端。
反熔丝感测装置及其操作方法

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