专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种碳化分级装置-CN201720278297.7有效
  • 皮超杰 - 郑州嘉晨化工科技有限公司
  • 2017-03-21 - 2017-11-14 - B03B7/00
  • 本实用新型公开了一种碳化分级装置,包括碳化分级锥形桶和碳化水力旋流器,所述碳化分级锥形桶的顶部设置有进料口,所述碳化分级锥形桶的上部设置有碳化液体排出口,所述碳化液体排出口通过管道与碳化水力旋流器上的旋流器进料口连接,所述旋流器进料口设置在碳化水力旋流器的上部,所述碳化水力旋流器通过管道与超细碳化过滤器连接。本实用新型通过设置的碳化分级锥形桶和碳化水力旋流器配合使用,将碳化首先通过碳化分级锥形桶进行初步分级,得到的碳化液体再进入碳化水力旋流器进行二次的分级,通过碳化水力旋流器的用作可得到超细的碳化液体,有效提高了碳化的分级效果,结构简单,使用方便。
  • 一种碳化硅分级装置
  • [实用新型]一种八边对称型碳化压砧-CN201921980018.7有效
  • 杜可慧 - 上海砧源材料科技有限责任公司
  • 2019-11-16 - 2020-11-10 - B01J3/06
  • 本实用新型公开了一种八边对称型碳化压砧,包括碳化压砧底部、碳化压砧腰部、碳化压砧面部、碳化压砧大台面和碳化压砧砧面,所述碳化压砧底部的底端设有所述碳化压砧砧面,所述碳化压砧底部的顶端设有碳化压砧腰部,所述碳化压砧腰部的顶端设有所述碳化压砧面部,所述碳化压砧面部的顶端设有所述碳化压砧大台面。该碳化压砧采用八边台面和碳化钨底座平面结合的方式与外部配件结合,在压砧使用时压力会从碳化压砧砧面部扩散传导到碳化压砧底部,再从碳化压砧底部传导到碳化压砧腰部,再从碳化压砧腰部传导到碳化压砧大台面,最后由碳化压砧大台面将压力传导到碳化钨底座及外部配件。
  • 一种对称碳化硅
  • [发明专利]半导体装置-CN201910110909.5在审
  • 大桥辉之;河野洋志;古川大 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-02-12 - 2020-03-24 - H01L29/06
  • 实施方式的半导体装置具备:具有第1面和第2面的碳化层、第1面侧的第1电极、第2面侧的第2电极、第1导电型的第1碳化区域、第1碳化区域与第1面之间的第2导电型的第2碳化区域及第3碳化区域、第1碳化区域与第2碳化区域之间的第1导电型浓度比第1碳化区域高的第5碳化区域、第1碳化区域与第3碳化区域之间的第1导电型浓度比第1碳化区域高的第6碳化区域、第5碳化区域与第6碳化区域之间的第1导电型浓度比第5碳化区域及第6碳化区域低的第7碳化区域、第7碳化区域与第1面之间的和第1电极接触的第1导电型的第8碳化区域、栅极电极、以及栅极绝缘层。
  • 半导体装置
  • [发明专利]一种碳化场效应管的制备方法-CN202310733282.5在审
  • 伊艾伦;欧欣;周民 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2023-06-20 - 2023-08-25 - H01L21/336
  • 本申请公开了一种碳化场效应管的制备方法,所述方法包括提供第一碳化衬底,在第一碳化衬底上外延碳化外延层;将轻离子注入碳化外延层,轻离子在碳化外延层内形成离子集聚区域,使得碳化外延层依次形成碳化薄膜层、离子集聚区和碳化键合层;提供第二碳化衬底,对第二碳化衬底与碳化键合层相互接触的表面进行导电处理;将第二碳化衬底与碳化键合层进行晶圆键合;将碳化键合层与离子集聚区域剥离,得到第一碳化衬底、碳化薄膜层和离子集聚区域形成的第一衬底结构以及第二碳化衬底与碳化键合层形成的第二衬底结构,并对第一衬底结构进行回收处理;基于第二衬底结构进行场效应管的制备,得到碳化场效应管。
  • 一种碳化硅场效应制备方法
  • [发明专利]一种复合碳化衬底及其制备方法-CN202211644873.7有效
  • 母凤文;郭超 - 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
  • 2022-12-21 - 2023-03-17 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种复合碳化衬底及其制备方法,所述衬底包括单晶碳化层以及碳化支撑层;所述单晶碳化层以及碳化支撑层之间设置有第一掺杂碳化层;所述第一掺杂碳化层和单晶碳化层之间设置有键合界面层。所述制备方法为:(1)在所述碳化支撑层上沉积第一掺杂碳化层,得到第一复合层;(2)将步骤(1)所得第一复合层与经过离子注入或激光照射的单晶碳化层相互键合,施加应力后得到所述复合碳化衬底组件;(3)热处理步骤(2)所得复合碳化衬底组件,得到所述复合碳化衬底。本发明提供的复合碳化衬底可以减轻或消除键合界面电阻,且制备方法简便高效,可控性好。
  • 一种复合碳化硅衬底及其制备方法

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