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[实用新型]一种平板陶瓷膜元件的检漏设备-CN202223462114.7有效
发明人：张千里;姜春亮;周劼 -专利权人：中粼水务有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：本实用新型属于膜元件的检漏技术领域，具体为一种平板陶瓷膜元件的检漏设备，包括底座、曲型架、安装架和控制盒；所述底座的顶部四角设置有立柱，所述立柱的顶部设置有工作台，所述工作台的顶部设置有输送通道，所述输送通道的内腔设置有传输组件；所述曲型架设置在工作台的顶部一侧，所述工作台的顶部设置有顶板，所述顶板的底部设置有升降杆，所述升降杆的底部设置有升降板，所述升降板的顶部设置有风机，所述升降板的底部设置有连接端口，所述升降板的底部设置有流量传感器，且流量传感器的探头延伸至连接端口内腔；在使用的过程中，自动上料，自动检测，同时具有自动技术功能，实用性强，有助于提高检测效率。
一种平板陶瓷膜元件检漏设备

[发明专利]钻孔铣口一体机-CN202111376011.6有效
发明人：刘常斌;赵清田;张永志;姜春亮 -专利权人：临沂市鲁蒙水表制造有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B23P23/02 文献下载
摘要：本发明公开了钻孔铣口一体机，包括安装平台，安装平台上设置有打孔机，安装平台上设置有推动机构，推动机构上设置有移动机构，移动机构上设置有调节部件；以及打磨机构，打磨机构包括打磨部件、连接板、调节部件、转动部件、连接齿轮、固定齿条和固定齿轮，通过固定电机转动使移动块在固定螺纹杆上移动，通过移动气缸、固定气缸可以对不同口径大小的产品进行固定，保证了产品的尺寸准确度，通过推动气缸的推动可以推动滑动板在限位杆上滑动，打孔机对产品进行打孔，同时打磨机构可以对产品的口径进行打磨铣口，结构紧凑，操作方便，通过转动转动螺纹杆，限位伸缩杆和限位弹簧的限位，使安装块在转动螺纹杆移动，方便使用者更换打磨带。
钻孔一体机

[实用新型]一种平板陶瓷膜片过滤器-CN202223519236.5有效
发明人：张千里;姜春亮;周劼 -专利权人：中粼水务有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01D63/08 文献下载
摘要：本实用新型属于陶瓷膜片过滤器技术领域，具体为一种平板陶瓷膜片过滤器，包括底座、过滤器罩壳和控制盒；所述底座的底部四角设置有支撑脚架，所述底座的顶部中间设置有收集箱；所述过滤器罩壳设置在收集箱的顶部，所述过滤器罩壳的内腔顶部和底部分别设置有上安装座和下安装座，所述上安装座和下安装座之间设置有陶瓷膜片，所述罩壳的内腔顶部设置有冲洗主管，所述冲洗主管的一端贯穿过滤器罩壳设置有连接端口，所述冲洗主管的底部底部设置有连接软管，且连接软管的底部贯穿上安装座与陶瓷膜片连接；其结构合理，在使用的过程中，可以防止陶瓷膜片的内部结茧，同时方便对陶瓷膜片的表面进行清洗，清洗效率高。
一种平板陶瓷膜片过滤器

[发明专利]快恢复二极管的制备方法-CN202310133058.2在审
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：提供一第一N型衬底；在第一N型衬底的一侧设置铂材料层，并进行第一次退火处理，去除铂材料层；或者，对第一N型衬底进行电子辐照处理，并进行第二次退火处理；提供一第二N型衬底；将第一N型衬底与第二N型衬底键合；在第一N型衬底远离第二N型衬底的一侧形成阳极，并在第二N型衬底远离第一N型衬底的一侧形成阴极，以提高快恢复二极管的软度。
恢复二极管制备方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其载流子浓度控制方法-CN202310256833.3有效
发明人：李伟聪;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其载流子浓度控制方法，其中，该绝缘栅双极型晶体管包括基底、绝缘层、金属层、介质层和传感层，该基底内设置有至少两个栅极结构及设置于两个相邻的栅极结构之间的漂移区；绝缘层设置于基底上；金属层设置于绝缘层上；传感层设置于金属层上，传感层包括传输单元和感应单元，传输单元穿过绝缘层和金属层与基底相接，感应单元穿过绝缘层、金属层及部分基底延伸至漂移区内；介质层设置于传感层与金属层及传感层与绝缘层之间。本方案可以降低绝缘栅双极型晶体管的关断损耗。
绝缘栅双极型晶体管及其载流子浓度控制方法

[实用新型]半导体器件-CN202223423034.0有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件包括第一金属区和第二金属区，其中，第一金属区包括主体部和延伸部，延伸部包括至少三条金属走线，至少三条金属走线由主体部向外延伸，至少三条金属走线分别朝至少三个方向延伸；第二金属区包围第一金属区，第二金属区与第一金属区之间具有间距。本方案可以提高元胞区电流分布的均匀性。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202310075946.3有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件，包括终端区和设于所述终端区内且包含有若干个元胞单元的有源区，所述有源区上平行排布有若干个相互交错的浅沟槽和沟槽深度大于所述浅沟槽的深沟槽，所述浅沟槽和所述深沟槽内设有第一多晶硅层，所述终端区的顶角对称设有朝向所述有源区延展的终端沟槽组，所述终端沟槽组包括内部结构相同的第一终端沟槽、第二终端沟槽和第三终端沟槽，所述第一终端沟槽和所述第二终端沟槽的两端朝向所述有源区弯折有一定角度。本申请改善了晶圆翘曲，提高了芯片性能和良率。
半导体器件

[实用新型]半导体封装结构-CN202223599454.4有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括载片台、支撑架、第一芯片和第二芯片。其中，支撑架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面的一侧与载片台连接，第一表面的另一侧悬空，与载片台形成收纳空间；第一芯片设置于支撑架的第二表面上；第二芯片设置于载片台上，部分第二芯片位于收纳空间内。本方案可以减小芯片的封装面积。
半导体封装结构

[实用新型]半导体封装结构-CN202223599497.2有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括载片台和芯片模组，芯片模组设置于载片台上，芯片模组包括第一芯片和第二芯片，部分第二芯片位于第一芯片和载片台之间，第二芯片包括相对设置的阴极面和阳极面，阴极面背向载片台。本方案可以减小芯片模组的封装面积。
半导体封装结构

[发明专利]高压碳化硅功率器件终端及其制造方法-CN202310047582.8有效
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种高压碳化硅功率器件终端及其制造方法，包括N型衬底，N型衬底的顶层设有N型漂移区，N型漂移区的顶层设有深沟槽组和浅沟槽组，在N型漂移区内且位于深沟槽组和浅沟槽组的底部，分别设有第一P型埋层和第二P型埋层，P型结终端扩展区设于N型漂移区顶层且位于深沟槽组和浅沟槽组两侧，N型漂移区的顶层设有与P型结终端扩展区连接的P型基区，P型基区上连接有阳极金属，在N型漂移区上设有覆盖P型结终端扩展区、深沟槽组和浅沟槽组的氧化介质层，氧化介质层延展至P型基区并与阳极金属接触。本申请终端结构耐压更高，可减小终端尺寸，降低器件击穿电压对JTE区浓度的敏感程度。
高压碳化硅功率器件终端及其制造方法

[发明专利]快恢复二极管的制备方法-CN202310122538.9在审
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本申请提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：提供一第一N型衬底，在第一N型衬底的一侧形成N型外延层，对N型外延层和第一N型衬底进行第一次电子辐照处理，并进行第一次退火处理；提供一第二N型衬底；对第二N型衬底进行第二次电子辐照处理，并进行第二次退火处理；其中，第一次电子辐照处理的辐照剂量大于第二次电子辐照处理的辐照剂量，将第一N型衬底与第二N型衬底键合；在N型外延层远离第二N型衬底的一侧形成阳极，并在第二N型衬底远离N型外延层的一侧形成阴极，以提高快恢复二极管的软度。
恢复二极管制备方法

[发明专利]半导体封装结构-CN202211717716.4在审
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括封装框架，封装框架上设置有载片台，载片台上设置有芯片模组，芯片模组包括第一芯片、第二芯片和支撑架。该支撑架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面的一侧与载片台连接，第一表面的另一侧悬空，与载片台形成收纳空间；第一芯片设置于支撑架的第二表面上；第二芯片设置于载片台上，部分第二芯片位于收纳空间内。本方案可以减小芯片的封装面积。
半导体封装结构

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管-CN202211070222.1有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管，包括：提供第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底的顶面两侧分别制作第二导电类型的基区，在两个基区分别制作第一导电类型的源区，在半导体衬底的顶面制作第一金属层和第二金属层，在第一金属层和第二金属层的表面制作保护层，其中，保护层包括对应于第一金属层的第一镂空区，第一金属层暴露于第一镂空区的部分构成发射极，在发射极的表面制作支撑层，支撑层与保护层的厚度相等，并且支撑层与保护层之间设有间隙；对半导体衬底的底面进行减薄，并依次制作第一导电类型的缓冲区、第二导电类型的集电区和集电极；去除支撑层。本申请可以提高IGBT的制作良率。
绝缘栅双极型晶体管制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管-CN202211029687.2有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：基底；第一金属层，设置于基底的上表面；第二金属层，设置于基底的上表面，并与第一金属层间隔设置；第一绝缘层，覆盖第一金属层和第二金属层，第一绝缘层包括对应于第一金属层的第一镂空区以及对应于第二金属层的第二镂空区；第一金属层暴露于第一镂空区的部分构成发射极，第二金属层暴露于第二镂空区的部分构成栅电极；第二绝缘层，设置于发射极的表面，并覆盖发射极的一部分，第二绝缘层与第一绝缘层的厚度相等。通过在发射极的表面设置第二绝缘层，并且第二绝缘层仅覆盖发射极的一部分。当对基底的背面进行减薄时，第二绝缘层可以对悬空的发射极进行支撑，以防止器件变形量过大而破裂。
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]半导体封装结构-CN202211715252.3在审
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括封装框架，该封装框架上具有载片台，载片台上设置有芯片模组，芯片模组包括第一芯片和第二芯片，部分第二芯片位于第一芯片和载片台之间，第二芯片包括相对设置的阴极面和阳极面，阴极面背向载片台。本方案可以减小芯片模组的封装面积。
半导体封装结构

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