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- [发明专利]选择性外延生长方法-CN202310922972.5在审
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周康;孙伟虎;杨德明;赵正元;张守龙
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-07-25
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2023-10-27
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H01L21/205
- 本申请公开了一种选择性外延生长方法，包括：提供一衬底，该衬底用于集成HBT器件和CMOS器件，从俯视角度观察，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于集成HBT器件，第二区域用于集成CMOS器件，第一区域的衬底上形成有HBT器件的基区；通过选择性外延生长工艺在基区上生长外延层作为HBT器件的外基区，在生长外延层的过程中，通过通入包含硅烷的反应气体以控制外延层厚度的一致性。本申请通过在Bi‑CMOS工艺中，在通过选择性外延生长工艺在基区上生长外延层作为HBT器件的外基区时，通过通入包含硅烷的反应气体以控制外延层厚度的一致性，从而提高了HBT器件外基区厚度的一致性，在一定程度上提高了器件产品的良率。
- 选择性外延生长方法
- [发明专利]一种沟道处理方法及存储介质-CN202310826153.0在审
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杨欣;郭振强;黄鹏;孙少俊
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-07-06
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2023-10-24
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H01L21/762
- 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种沟道处理方法及存储介质；于紧前的沟槽成型步骤形成基础拓扑即沟槽隔离结构（111），于内缩PB（Pull Back）的沟槽上进一步构造处置层的介质结构，即第五膜结构（050）；进而可结合沟槽隔离结构（111）的物理特征，例如浅沟槽隔离结构STI（Shallow Trench Isolation），生成功能单元，又如存储介质；其中，第五膜结构（050）可采用去耦合等离子氮化工艺DPN（Decoupled Plasma Nitridation）来构造，可有效缓冲高宽比制程HARP（High Ratio Process）在沟道产生的应力，亦可确保特定载流子的迁移率；其方法可有效改善静态随机存储器SRAM（Static Random Access Memory）的失配（Mismatch）特性，提升器件的一致性（Uniformity）、减少漏电并提升产品良率；其方法及产品的制备无须添置步骤，可在原制程上灵活升级。
- 一种沟道处理方法存储介质
- [发明专利]静电放电保护电路-CN202310853607.3在审
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范炜盛
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-07-11
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2023-10-20
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H02H9/04
- 一种静电放电保护电路，所述静电放电保护电路包括：位于高压电源输入端及低压电源输入端之间的静电泄放子电路及静电触发子电路，其中：所述静电泄放子电路，由至少一个并联连接的nLDMOS晶体管构成，用于在ESD发生时，泄放ESD电流；所述静电触发子电路，与所述静电泄放子电路中nLDMOS晶体管的栅极连接，用于触发所述静电泄放子电路执行ESD电流泄放操作，并提高所述nLDMOS晶体管的栅极电位，使得所述nLDMOS晶体管的栅极电位大于所述nLDMOS晶体管的栅极耦合电位。采用上述方案，可以在泄放ESD电流的同时，提高LDMOS的静电泄放能力。
- 静电放电保护电路
- [发明专利]多晶硅层形成方法-CN202310889600.7在审
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蔡毅;吴家辉;郑刚;张宾;王瑞瀚;王晓康;施磊
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-07-19
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2023-10-17
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H01L21/28
- 本申请公开了一种多晶硅层形成方法，包括：S1：提供一晶圆，晶圆包括形成有沟槽的衬底，衬底上形成有硬掩膜层，晶圆被置于沉积机台的工艺腔室中；S2：将工艺腔室的温度调节至第一温度，并在第一温度下，在硬掩膜层上沉积第一薄膜层，第一薄膜层填充沟槽；S3：在第一温度下，在第一薄膜层上沉积第二薄膜层；S4：在第一温度下，在第二薄膜层上沉积第三薄膜层；S5：将工艺腔室的温度升高至第二温度，并在第二温度下，在第三薄膜层上沉积第四薄膜层；其中，第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层均为掺杂多晶硅，第四薄膜层为非掺杂多晶硅。本申请通过在最上层形成一层非掺杂多晶硅，能够抑制P元素析出，降低对机台及晶圆的污染。
- 多晶形成方法
- [发明专利]闪存器件及其制备方法-CN202310854276.5在审
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王壮壮;杜怡行;姚春;顾林
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-07-12
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2023-10-17
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H10B41/50
- 本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供衬底、衬垫氧化层和浮栅层，衬底包含存储区和外围逻辑区；在浮栅层、衬垫氧化层和部分厚度的衬底中形成若干沟槽；在沟槽中填充隔离材料层；在隔离材料层和浮栅层表面形成光刻胶层；利用打开存储区光罩得到保留光刻胶层，其中，保留光刻胶层覆盖外围逻辑区和存储区交界处的隔离材料层；刻蚀存储区内的沟槽中的部分隔离材料层。本申请通过利用一打开存储区光罩，该打开存储区光罩只打开存储区内部区域，不打开外围逻辑区和外围逻辑区和存储区交界处区域，使得外围逻辑区和存储区交界处的隔离材料层上表面和浮栅层上表面齐平，从而消除外围逻辑区和存储区交界处的台阶高度差。
- 闪存器件及其制备方法
- [发明专利]显影方法-CN202310894285.7在审
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刘希仕;姚振海;王绪根;朱联合;彭嘉力;李少鹏
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-07-19
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2023-10-13
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G03F7/16
- 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种显影方法，包括：对覆盖在测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层进行第一显影操作；基于第一显影操作前、后覆盖在测试晶片上的光刻胶厚度差与光刻胶厚度差阈值之间的大小关系，确定测试晶片的强显影能力区和弱显影能力区；对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层，进行第二显影操作；当强显影能力区上的光刻胶厚度差大于所述光刻胶厚度差阈值时，和/或，当弱显影能力区上的光刻胶厚度差小于所述光刻胶厚度差阈值时，重复上述步骤直至所有区的光刻胶厚度差一致。
- 显影方法
- [发明专利]一种监测腔体泄漏的方法-CN202310658216.6在审
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王林;童光辉;赵嘉;杜廷卫;王阔
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-06-05
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2023-10-13
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G01M3/38
- 本申请公开了一种监测腔体泄漏的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：实时获取来源于刻蚀机台的设备腔体内的第一光谱信号和第二光谱信号，所述第一光谱信号用于监测第一元素，所述第一元素为存在于空气中的一种元素；所述第二光谱信号用于监测第二元素，所述第二元素为不存在于所述设备腔体中的一种元素；识别所述第一光谱信号的光强，作为第一光强；识别所述第二光谱信号的光强，作为参照光强；基于所述第一光强和参照光强的比值，判断所述设备腔体是否发生泄漏故障。通过对第一光谱信号和第二光谱信号的获取和识别，实现了能够实时监测设备腔体是否发生泄漏的效果。
- 一种监测泄漏方法
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