“刻蚀组合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1423971个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于半导体工业中等离子刻蚀残留物的清洗液组合物-CN200610030170.X无效
发明人：刘兵;彭洪修;王淑敏 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C11D7/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体工业中等离子刻蚀残留物的清洗液组合物，清洗液组合物包括清洗有效量的溶剂、缓冲水溶液、氟化物、抗冻剂、聚合物抑制剂。本发明的清洗液组合物可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，而且不会侵蚀SiO₂、PETEOS、硅、低介质材料和一些金属物质(如Ti、Al、Cu)。
用于半导体工业中等离子刻蚀残留物清洗组合

[发明专利]互连结构的形成方法-CN201310222161.0有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：并在半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、粘附层、保护层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成第一开口，第一开口贯穿所述硬掩膜层；进行等离子体处理和清洗工艺；以剩余的所述硬掩膜层为掩模，依次对所述保护层、粘附层和层间介质层进行刻蚀，直至在所述层间介质层中形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；在所述刻蚀结构内填充满金属材料，并去除剩余的所述硬掩膜层、保护层和粘附层。本发明形成金属插塞和金属互连线中的一种或其组合数量准确且形貌较佳，包含所形成金属插塞和金属互连线中的一种或其组合的半导体器件的性能较佳。
互连结构形成方法

[发明专利]一种蚀刻液组合物及其氮化钽薄膜的湿法刻蚀方法-CN201811099131.4在审
发明人：王进 -专利权人：绵阳致知高新科技有限责任公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻液组合物及其氮化钽薄膜的湿法刻蚀方法，所述的蚀刻液组合主要为氢氟酸、十二烷基氨基丙酸、邻二氮菲和水组成的混合物。与现有技术相比，本发明提出一种针对氮化钽薄膜的蚀刻组合物，用于氮化钽薄膜的蚀刻时，能够提高并控制蚀刻速度，并且有效抑制了光刻胶层的劣化，其结果是能够得到表面平坦光滑的蚀刻面。突破现有干法刻蚀技术壁垒，研发出了薄膜电阻领域中氮化钽薄膜的湿法刻蚀技术。推进氮化钽薄膜电阻的市场化应用，为国家电子信息技术的快速发展贡献一份力量。
氮化钽薄膜蚀刻蚀刻液组合物湿法刻蚀氮化钽薄膜电阻电子信息技术干法刻蚀技术湿法刻蚀技术蚀刻组合物氨基丙酸薄膜电阻表面平坦光刻胶层邻二氮菲十二烷基有效抑制混合物氢氟酸蚀刻面蚀刻液劣化光滑壁垒应用力量

[发明专利]图案形成方法-CN200710128050.8无效
发明人：木原尚子;稗田泰之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：提供一种图案形成方法，其中包括下列步骤：将包括嵌段共聚物、硅化合物、以及用于溶解上述组分的溶剂的组合物涂布到对象上，以便在该对象上形成一层该组合物；使该层组合物进行嵌段共聚物的自组织，以使相分离成其中定位有通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较高抗刻蚀性能的硅化合物的第一相和包含通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较低的抗刻蚀性能的聚合物相的第二相，从而形成具有精细图案的图案层；以及用这样形成的图案层作为掩模刻蚀该对象
图案形成方法

[发明专利]一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法-CN201610574275.5在审
发明人：高明超;王耀华;刘江;赵哿;金锐;温家良;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，包括在第一金属层上方采用化学气相沉积方法形成第一薄膜层并对第一薄膜层刻蚀形成第一窗口；对第一窗口处暴露出的第一金属层进行反溅刻蚀；将第二金属层采用溅射方法生长在第一金属层和第一薄膜层形成的组合结构表面，并对第二金属层进行刻蚀；在第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面涂覆第二薄膜层，对第二薄膜层刻蚀形成用于焊接的第二窗口。
一种压接式 igbt frd 芯片正面电极加工方法

[发明专利]一种蚀刻液组合物及其应用-CN202210944827.2在审
发明人：刘功础 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请提供一种蚀刻液组合物及其应用，蚀刻液组合物包括以下组分，以质量百分含量计：氧化剂15％‑25％、主螯合剂0.1％‑5％、辅助螯合剂0.1％‑3％、主缓蚀剂0.01％‑3％、辅助缓蚀剂0.01％‑2％、无机盐蚀刻剂0.1％‑5％、醇类稳定剂0.1％‑5％、含氟刻蚀剂0.01％‑3％以及溶剂余量。本申请能够延长刻蚀液的使用寿命至7000ppm，极大地降低了生产制造过程中蚀刻液的成本，同时，提升蚀刻均一性和蚀刻稳定性，改善了蚀刻液的刻蚀性能及安全性能。
一种蚀刻组合及其应用

[实用新型]一种多层柔性电路板刻蚀组合装置-CN201920779959.8有效
发明人：王芳君;姚正昌;王成根;邵艳 -专利权人：深圳市耐特电路板有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及柔性电路板刻蚀设备技术领域，具体为一种多层柔性电路板刻蚀组合装置，包括支架，支架的上端面设置有刻蚀池，刻蚀池的内腔设置有左右相互对称的第一隔板和第二隔板，第一隔板和第二隔板将刻蚀池分为三部分，有益效果为：本实用新型利用压力泵代替搅拌轴，利用刻蚀液的循环流动实现液体的充分混合，避免搅拌过程对电路板造成损伤；通过将电路板安装在安装框内，进而增大电路板的强度，放置电路板漂浮，造成刻蚀不充分，同时利用液压缸实现自动升降
隔板电路板刻蚀池本实用新型支架多层柔性电路板电路板安装柔性电路板充分混合刻蚀设备刻蚀组合循环流动自动升降安装框搅拌轴刻蚀液上端面压力泵液压缸刻蚀内腔对称漂浮损伤

[发明专利]一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺-CN202111522470.0在审
发明人：孙捷;杜佳怡;严群;杨天溪;黄忠航;林畅;张永爱;周雄图;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗
一种硅片键合后去衬底湿法刻蚀工艺

[实用新型]一种晶圆定位系统-CN201720214100.3有效
发明人：睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆定位系统，包括光源、透镜组合一、透镜组合二、光探测器、晶圆、定位腔旋转盘。晶圆放置于定位腔旋转盘上，晶圆边缘有小槽，光源和透镜组合一在晶圆边缘上形成了一个沿着晶圆径向的平行线光源，平行线光源光线一半照射在晶圆边上，另一半会无阻拦的透过透镜组合二聚焦在光探测器上。通过分析光强随晶圆旋转角度变化曲线，判断晶圆中心和晶圆边缘小槽位置，保证确保每片晶圆进入刻蚀腔后，晶圆中心与刻蚀腔内圆形静电吸盘的中心重合，小槽的方向始终一致，以便下一步晶圆刻蚀工艺的顺利进行。
一种定位系统

[发明专利]掩膜版图的形成方法-CN202111679044.8在审
发明人：游林;张婉娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种掩膜版图的形成方法，包括：提供初始版图，初始版图中包括沿第一方向排布且平行于第二方向的第一图形和第二图形，所述第一图形长于所述第二图形；将第一图形分割为若干子图形；将第二图形和若干子图形进行拆分组合在不改变现有的刻蚀偏差表的情况下，通过将第一图形分割为若干子图形；将第二图形和若干子图形进行拆分组合，以形成在不同的掩膜版图上。使得刻蚀偏差表中已收集的图形环境能够覆盖实际设计中的图形环境，进而对光学邻近修正提供正确修正数据，以减少第一图形的刻蚀后检测尺寸偏大，第二图形的刻蚀后检测尺寸偏小的问题。另外，也不需要收集大量详细数据重新建立刻蚀模型，能够有效提升修正效率。
版图形成方法

[发明专利]一种新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法-CN201911291575.2在审
发明人：张楷亮;黄金荣;王芳;李宇翔;王路广;胡凯 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型相变材料Cr‑SbTe的干法刻蚀方法，用于相变存储器限域结构的制备，属于半导体存储器中的工艺领域。该方法主要包括以下步骤：a、在氧化硅衬底上采用磁控溅射生长Cr‑SbTe合金薄膜；b、利用紫外光刻技术在薄膜表面形成2um宽度条形光刻胶掩膜；c、采用混合气体对合金薄膜进行刻蚀；d、刻蚀后样品置于丙酮中去除光刻胶该刻蚀方法采用SF6+O2+Ar的气体组合刻蚀Cr‑SbTe相变薄膜材料，其工艺简便，刻蚀后最优条件下Cr‑SbTe薄膜对光刻胶选择比最大可达1.34，刻蚀沟槽侧壁角度倾斜度小，刻蚀后薄膜表面粗糙度小，为后续器件的制备提供了工艺基础。
一种新型相变材料 cr sbte 刻蚀方法

[发明专利]一种磁性存储轨道的制备方法、设备和磁性存储轨道-CN201310382143.9有效
发明人：林殷茵;韦竹林;赵俊峰;杨伟;杨凯;傅雅蓉 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种磁性存储轨道的制备方法，包括通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数；在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。
一种磁性存储轨道制备方法设备

[发明专利]一种氮化镓材料的干法刻蚀方法-CN03157390.8无效
发明人：罗毅;韩彦军;薛松;胡卉;郭文平;邵嘉平;孙长征;郝智彪 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl₂/N₂/O₂这三种气体混合而形成的反应气体生成的等离子体而进行刻蚀，可获得高的刻蚀选择比和高的GaN的刻蚀速率。由于本发明在干法刻蚀氮化镓材料系中利用了三种气体组合做为反应气体，既可获得高的刻蚀选择比，又可获得高的GaN的刻蚀速率。同时可获得无残渣，无刻痕光滑的刻蚀表面。通过调节氧气在这三种混合气体中的相对含量，即可调节选择性刻蚀比和刻蚀速率，实验结果表明，对GaN和Al_0.28Ga_0.72N的选择性刻蚀比为60∶1，对GaN的刻蚀速率达到320nm/min。
一种氮化材料刻蚀方法

[发明专利]硅层刻蚀剂组合物、制备其的方法及形成图案的方法-CN202010025962.8有效
发明人：全唱守;吴政玟;李晓山;韩勋;鲁珍圭;尹嚆重;申东雲 -专利权人：三星电子株式会社;东友精细化工有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：一种硅层刻蚀剂组合物、制备其的方法及形成图案的方法，所述组合物包含约1重量％到约20重量％的烷基氢氧化铵；约1重量％到约30重量％的胺化合物；约0.01重量％到约0.2重量％的包括疏水基团及亲水基团两者的非离子表面活性剂；以及水，所有重量％都是基于所述硅层刻蚀剂组合物的总重量。
刻蚀组合制备方法形成图案

[发明专利]喷漆性优良的PC/ABS组合物及其制备方法-CN201611219919.5有效
发明人：刘辉辉;李强;罗明华;辛敏琦 -专利权人：上海金山锦湖日丽塑料有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种喷漆性优良的PC/ABS组合物及其制备方法，所述组合物包括以下重量份数的各组分：PC树脂：50～80；ABS树脂：10～40；滑石粉：3～5；抗氧剂：0.1～1；润滑剂：0.1～1。与现有技术相比，本发明所提供的该种PC/ABS组合物，加入滑石粉使其注塑时析出在制件表面，提高制件耐油漆刻蚀能力，解决了喷漆咬低和开裂的问题，同时油漆对PC/ABS的适当刻蚀保证了喷漆后的结合力，制备的PC/ABS组合物喷漆性能优良，油漆结合力高。
喷漆优良 pc abs 组合及其制备方法