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[发明专利]三维存储器及其形成方法-CN202111394532.4在审
发明人：张昆;张雷;孙昌志;高庭庭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供基底；形成包括第一刻蚀图案的第一牺牲层于所述基底上；回填所述第一刻蚀图案，形成包括第二刻蚀图案的第二牺牲层于所述第一牺牲层上，在沿垂直于所述基底的方向上，所述第一刻蚀图案的投影与所述第二刻蚀图案的投影相交；沿所述第二刻蚀图案刻蚀所述第一牺牲层，形成与所述第一刻蚀图案连通的第三刻蚀图案；沿所述第一刻蚀图案和所述第三刻蚀图案刻蚀所述基底，于所述基底中形成组合图案。本发明改善了最终形成的组合图案的形貌。
三维存储器及其形成方法

[发明专利]半导体薄膜表面刻蚀设备-CN200310110916.4无效
发明人：蔡伟;冯良桓;郑家贵;蔡亚平;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明名称为“半导体薄膜表面刻蚀设备”，属于半导体材料和器件的制造设备。本发明是针对大尺寸工件的批量刻蚀和清洗，采用机械操作，以求低成本、高生产效率、持续稳定的运行。其技术特点是：整机由一系列刻蚀、清洗、干燥单元组合成，新型溶液池和干燥台单元的设计，适用各种尺寸和材料的工件刻蚀，可选用多种刻蚀液组合。特殊池盖的设计便于自动操作，适于挥发性或腐蚀性的处理溶液。本发明可用于半导体薄膜器件的化学刻蚀。
半导体薄膜表面刻蚀设备

[实用新型]一种多层柔性电路板刻蚀组合装置-CN202023176059.6有效
发明人：宋立果 -专利权人：深圳市大川电路板有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层柔性电路板刻蚀组合装置，包括支撑架，所述支撑架的表面固定安装有调位滑杆，所述调位滑杆的表面套设有调位滑套，所述调位滑套的前表面固定安装有升降滑套，所述升降滑套的内部穿插有升降支杆本实用新型所述的一种多层柔性电路板刻蚀组合装置，属于刻蚀组合装置领域，能够改变电路板位于刻蚀池内部的位置，从而改善反应导致电路板周围的刻蚀液浓度降低的问题，进而提高了刻蚀效果，拨动框架在刻蚀池的内部移动，这样能够通过拨动框架内壁的漏网充分混合刻蚀液，并且混合过程运行稳定，能够防止对电路板造成损伤。
一种多层柔性电路板刻蚀组合装置

[发明专利]用于刻蚀金属层的组合物-CN201180047122.0有效
发明人：张郁;朴种熙;金知燦;韩志贤;杨世仁 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于刻蚀金属膜的组合物，更特别地是包括氧化剂、刻蚀控制剂、螯合剂、掏蚀抑制剂、铜腐蚀抑制剂、残余物去除剂，和余量的水的刻蚀剂组合物，用于整体性湿法刻蚀用作平板显示器的薄膜晶体管的栅电极和数据电极的金属膜本发明的组合物通过使用新的螯合剂在应用于刻蚀工艺时抑制氧化剂和铜离子的快速反应，因此提供具有优良的寿命和稳定性的刻蚀剂、具有平缓斜角的刻蚀的金属膜、合适控制的CD损耗，和良好的刻蚀形态，从而阻止较低的钼另外，如果进一步加入蒸发抑制剂时，在刻蚀装置中形成的沉积和异物的显著减少，因此可以改进关于刻蚀设备操作的产率和降低失效速率。
用于刻蚀金属组合

[发明专利]制造等离子显示器的导电组合物和后基板的方法-CN200610100230.0无效
发明人：赵镛佑;李智渊;土屋元彦 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明涉及用于等离子显示板(下文中称为PDP)的导电组合物。更具体地，本发明的导电组合物涉及对于刻蚀液具有高耐受性并适合通过化学刻蚀由隔肋材料形成隔肋的导电组合物。
制造等离子显示器导电组合后基板方法

[发明专利]一种沟槽及其蚀刻方法-CN201811121879.X在审
发明人：刘坤;赵艳黎;陈喜明;周正东;郑昌伟;龚芷玉;张文杰;刘锐鸣;李诚瞻 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽及其蚀刻方法，上述沟槽形成在SiC衬底中，上述刻蚀方法包括：提供SiC材质衬底，在衬底表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层表面形成光刻胶；图案化光刻胶，干法刻蚀硬掩膜层以在硬掩膜层上形成沟槽图案；以及去除光刻胶，经由硬掩膜层上的沟槽图案干法刻蚀衬底，以在衬底中形成沟槽；其中，采用特殊的刻蚀气体组合，化学腐蚀与物理轰击相结合的方法刻蚀SiC衬底材料，且刻蚀衬底所采用的组合气体的气体流量大于刻蚀硬掩膜层所采用的气体流量，刻蚀衬底所设定的射频源功率和偏压功率均大于刻蚀硬掩膜层所设定的射频源功率和偏压功率。根据本发明所提供的蚀刻方法所刻蚀的沟槽底部和顶角圆滑，侧壁陡直，能够满足后续器件的电学特性要求。
一种沟槽及其蚀刻方法

[发明专利]二维层状材料的原子级精度无损逐层刻蚀方法-CN202110675975.4在审
发明人：黎松林;周健 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维层状材料的原子级精度无损逐层刻蚀方法，包括以下步骤：利用表面处理技术，在待刻蚀材料表层制造晶格缺陷；在待刻蚀材料表层上沉积热扩散牺牲材料；将待刻蚀材料在一定温度下热退火，使扩散牺牲材料扩散进入待刻蚀材料表层，形成合金层；利用选择性化学反应去除扩散牺牲材料及其合金层，完成局部刻蚀；待刻蚀二维层状材料包括金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物、石墨烯、黑磷中的一种或组合；扩散牺牲材料包括低原子半径金属、低原子半径非金属材料、小分子有机物中的一种或组合。本发明中牺牲层没有扩散进入待刻蚀材料的内部保留层，因而刻蚀工艺不损害材料保留层晶格，保持了材料的本征电学性能，是一种无损刻蚀技术。
二维层状材料原子精度无损刻蚀方法

[发明专利]可控制栅极结构长度的刻蚀工艺-CN200410089397.2无效
发明人：张双燻;李化杨;王晓武 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种可控制栅极结构长度的刻蚀工艺，它是利用硬式掩膜层(hard mask)，来提高对多晶硅层刻蚀时的选择比，在对多晶硅层的刻蚀工艺中，采用三阶段的刻蚀(第一主刻蚀/第二主刻蚀/过度刻蚀)；在第一主刻蚀刻蚀气体中，包含四氟化碳来加强整个图案化硬式掩膜层及多晶硅层侧壁的高分子薄膜沉积物，使高分子薄膜沉积物转变为高分子薄膜组合物；高分子薄膜组合物能有效抵抗卤化物对多晶硅层的侧蚀，使得多晶硅层的水平宽度，不致因侧蚀所减少，图案化后的硬式掩膜层更能够抵抗刻蚀气体的侵蚀，维持应有的图案，解决通常因图案化光阻因被侵蚀变形，导致整个栅极结构可能变小进而产生次始漏电的问题。
控制栅极结构长度刻蚀工艺

[发明专利]用于形成金属互连的刻蚀剂组合物-CN201080035646.3无效
发明人：梁承宰;李昔准;张尚勋;李俊雨;林玟基;权五柄;朴英哲 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于刻蚀包括选自铟基透明导电层、铝基金属层和钛基金属层中的一种或更多种的金属层的刻蚀溶液组合物；其中，铟基透明导电层、铝基金属层和钛基金属层用作像素电极、栅电极、源电极和漏极电极的导线。该刻蚀溶液组合物在刻蚀铟基透明导电层、铝基金属层和钛基金属层的各层方面是优异的，并且在刻蚀铝-镧基合金层方面是特别优越的。此外，可以用于对包括铟基透明导电层、铝基金属层和钛基金属层的三层进行有效的成批刻蚀。
用于形成金属互连刻蚀组合

[发明专利]多层膜材料的干法刻蚀方法-CN200410001388.3无效
发明人：川井健治 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明提供多层膜材料的干法刻蚀方法，它是含有金属薄膜的多层膜材料的干法刻蚀方法，其特征是将含有羰基的气体和含有卤元素的气体中的至少一种气体和电子给予性气体组合使用作为刻蚀气体的多层膜材料的干法刻蚀方法。通过这种方法，可以提高刻蚀速度和刻蚀各向异性等刻蚀特性，减少生成图案侧壁聚合物膜(9)，同时可以有效除去生成的图案侧壁聚合物膜(9)。
多层材料刻蚀方法

[发明专利]用于光刻介质组合物的化合物、聚合物以及光刻介质组合物-CN202310256923.2在审
发明人：张爱强;吴嘉龙;陈仁治;江一敏;师东 -专利权人：嘉庚创新实验室
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08G8/20 文献下载
摘要：本申请涉及用于光刻介质组合物的化合物、聚合物以及光刻介质组合物，该聚合物具有下述通式(1)所示的结构单元。本申请的化合物以及聚合物在溶解性和耐刻蚀性方面均具有优异的性能，兼顾耐刻蚀性的同时优化了其溶解性，非常适合作为耐刻蚀介质层材料。#imgabs0#
用于光刻介质组合化合物聚合物以及

[发明专利]基板清洁组合物、基板处理方法、以及基板处理设备-CN201811075544.9有效
发明人：崔海圆;姜基文;崔基勋;A·科里阿金;许瓒宁;李在晟;林权泽;金勇勲;李相昊 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种无水基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。所述无水基板清洁组合物包括含氟刻蚀化合物、溶解所述刻蚀化合物的溶剂、以及作为含磷化合物的粘结剂。
清洁组合处理方法以及设备

[实用新型]一种拼接式的干法刻蚀设备-CN201720601522.6有效
发明人：李东滨;黎培朝 -专利权人：广东瑞芯源技术有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拼接式的干法刻蚀设备，包括有设置于反应腔内的多个托盘单元、以及至少一个用于放置被刻蚀件的安装座，多个所述托盘单元组合拼接成固定托盘，其中，多个所述托盘单元组合成型有至少一个供安装座相配合安装的安装槽；所述多个托盘单元组合拼接以将安装座及放置于安装座顶面上的被刻蚀固定安装于安装槽中。
一种拼接刻蚀设备

[发明专利]一种可反应性树脂及其光成像组合物-CN200610020314.3无效
发明人：王跃川;巫文强 -专利权人：四川大学
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C08G63/91 文献下载
摘要：本发明公开了一种可反应性树脂及其光成像组合物，可反应性树脂由环氧树脂改性超支化聚酯制备，光成像组合物包含该可反应性树脂、单官能和多官能(甲基)丙烯酸酯、光引发剂以及助剂，光成像组合物光固化后对玻璃、硅晶片、金属基材有优异的附着力，特别适合用光成像、强酸刻蚀方法在这些基材上加工制作微细结构，如微器件、微光学元件等。本发明还公布了与光成像组合物配合使用，对玻璃，硅晶片、金属基材等进行深度刻蚀的化学刻蚀剂。
一种反应树脂及其成像组合

[发明专利]一种铜钼合金刻蚀液组合物及其制备方法-CN202310022120.0在审
发明人：刘长乐;徐帅;李闯;张红伟;胡天齐;黄海东;王毅明 -专利权人：江苏和达电子科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及专利IPC分类的C23F领域，尤其涉及一种铜钼合金刻蚀液组合物及其制备方法。铜钼合金刻蚀液组合物，主剂，以质量百分比计，原料包括：过氧化物5～20％，有机酸1～18％，有机碱1～20％，过氧化物稳定剂0.1～5％，缓蚀剂0.01～1％，助剂2～8％，超纯水补充余量；辅剂，以质量百分比计本发明提供的一种铜钼其能够具有适宜的刻蚀速率，避免了现有技术中铜钼刻蚀液的缺点，有效提高了刻蚀液的对于铜钼合金的刻蚀质量，适宜在刻蚀液领域推广，具有广阔的发展前景。
一种合金刻蚀组合及其制备方法