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[实用新型]全波长晶圆刻蚀终点检测装置-CN201720455534.2有效
发明人：张德培 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：全波长晶圆刻蚀终点检测装置，它由光纤、数据探测模块和电源模块组成。光纤连接刻蚀机台与数据探测模块，实现光信号采集；数据探测模块与电源模块相连，实现数据采集和光电信息转换；电源模块与数据探测模块、机台相连，为数据采集模块供给电源，并将经过光电信息转换后的讯息传递给机台。本实用新型的优点体现在首先，实现在全波长（200‑800 nm）范围内进行晶圆刻蚀实时终点探测；其次，采用平谱面全息凹面光栅和CCD探测器组合设计，实现高分辨率、高信噪比光谱曲线。
波长刻蚀终点检测装置

[发明专利]一种进气结构及等离子刻蚀设备-CN202010379297.2在审
发明人：吴堃;杨猛 -专利权人：上海邦芯半导体设备有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种进气结构及等离子刻蚀设备。即通过对第一阀门的导通/截止控制，能够将并排的多条进气支路可调地分成两部分：一部分排列相邻的进气支路导入分配后的其中一路进气，另一部分排列相邻的进气支路导入分配后的另一路进气，进而可通过进气支路的可调节组合，来达成对气体分区及室内气体分布影响区域的可调节组合，使得室内不同气体分布影响区域的分界点不再固化，可方便用户进行自定义，最终实现对室内气体分布进行灵活把控的目的，拓展了适用范围，以及大大增加了等离子刻蚀设备在均匀性和一致性方面的调节能力，可提升刻蚀工艺的产品质量。
一种结构等离子刻蚀设备

[发明专利]用于光学元件加工的数控湿法化学刻蚀组合喷嘴-CN201710340812.4有效
发明人：张蓉竹;芈绍桂;付文静 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： B24C5/04 文献下载
摘要：本发明提供的用于光学元件加工的数控湿法化学刻蚀组合喷嘴包括外喷嘴筒、内喷嘴筒和位于内喷嘴筒内用于喷出化学刻蚀液的喷口组件，所述外喷嘴筒和内喷嘴筒均由直圆筒段和异形锥筒段构成，外喷嘴筒通过作为其筒底的环形板与内喷嘴筒联接外喷嘴筒的直圆筒段设计有乙醇蒸汽进口，外喷嘴筒内壁面和内喷嘴筒的外壁面形成用于乙醇蒸汽喷出的环形喷腔，环形喷腔的出口为长方形；所述喷口组件由成一排设置的多个喷口和与喷口相通的进液室构成，进液室设计有化学刻蚀液进口该组合喷嘴可提高对光学元件的高频误差、表面破坏层和亚表面损伤层去除的加工效率。
用于光学元件加工数控湿法化学刻蚀组合喷嘴

[实用新型]一种进气结构及等离子刻蚀设备-CN202020748311.7有效
发明人：吴堃;杨猛 -专利权人：上海邦芯半导体设备有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种进气结构及等离子刻蚀设备。即通过对第一阀门的导通/截止控制，能够将并排的多条进气支路可调地分成两部分：一部分排列相邻的进气支路导入分配后的其中一路进气，另一部分排列相邻的进气支路导入分配后的另一路进气，进而可通过进气支路的可调节组合，来达成对气体分区及室内气体分布影响区域的可调节组合，使得室内不同气体分布影响区域的分界点不再固化，可方便用户进行自定义，最终实现对室内气体分布进行灵活把控的目的，拓展了适用范围，以及大大增加了等离子刻蚀设备在均匀性和一致性方面的调节能力，可提升刻蚀工艺的产品质量。
一种结构等离子刻蚀设备

[发明专利]微机电系统器件、微机电系统加速度计及其形成方法-CN202110423645.6在审
发明人：陈亭蓉;林诗玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：使用各向同性刻蚀工艺相对于所述多个梳结构选择性地移除在侧向上环绕第一半导体部分的第二半导体部分。半导体氧化物板、所述一对内梳结构及覆盖所述多个梳结构的图案化刻蚀掩模层保护第一半导体部分免受各向同性刻蚀工艺的刻蚀剂影响。形成用于微机电系统器件的可移动结构，所述可移动结构包括半导体基质材料层的第一部分与所述一对内梳结构的组合。
微机系统器件加速度计及其形成方法

[发明专利]一种基于气体离子源刻蚀清洗的凹板印刷方法-CN202210713579.0在审
发明人：权勤顶 -专利权人：权勤顶
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B41F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于气体离子源刻蚀清洗的凹板印刷方法，该种基于气体离子源刻蚀清洗的凹板印刷方法包括如下凹板印刷设备，该种凹板印刷设备包括涂层凹板，其特征在于：所述涂层凹板的内部设置有补墨组件，所述涂层凹板的内部设置有浓度调节组件，所述涂层凹板的内部设置有报警组件；该基于气体离子源刻蚀清洗的凹板印刷方法包括如下步骤：S1：通过气体离子源刻蚀向涂层凹板上附着一层防腐蚀涂层，而后根据需求将多组凹板进行组合，S2：打开电源开始进行凹板印制
一种基于气体离子源刻蚀清洗印刷方法

[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件-CN201811178401.0有效
发明人：林志翰;高魁佑;张铭庆;杨建伦;陈昭成;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。
用于形成场效应晶体管方法以及半导体器件

[实用新型]一种石墨烯刻蚀废液节能减排设备及系统-CN201821683208.8有效
发明人：郑明松;杨露 -专利权人：上海衡洁环保科技有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯刻蚀废液节能减排设备及系统，包括废液收集装置、电解回收装置和循环净化装置，废液收集装置连接电解回收装置，电解回收装置中设有蚀刻废液氧化再生装置，通过石墨烯刻蚀废液节能减排设备中废液收集装置、电解回收装置和循环净化装置的组合工作，使石墨烯刻蚀废液避免了传统的直接排放造成的环境伤害，在废液的处理中，通过电解氧化得到具有商业价值的铜板，同时利用循环净化装置实现废液的循环利用，达到节能减排的目的，有效降低了生产成本，设备自动化程度高，系统操作维护简单，实现了对石墨烯刻蚀废液节的综合控制和处理，本实用新型结构简单、实用性强、易于使用和推广。
电解回收装置刻蚀废液石墨烯废液收集装置循环净化装置节能减排设备本实用新型废液氧化再生装置设备自动化电解氧化环境伤害节能减排蚀刻废液系统操作循环利用直接排放综合控制传统的铜板生产成本维护

[实用新型]一种防过刻的垂直腔面激光器芯片结构-CN202022090808.7有效
发明人：韩春霞 -专利权人：武汉仟目激光有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：所述衬底上依次层叠有缓冲层、N型DBR层、多量子阱层、P型DBR层、AlxGaAs层及帽层，所述AlxGaAs层及帽层还设有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包括含砷(As)或者含磷(P)系列或者两者的组合物。该结构在制造过程里，在刻蚀过程中不会出现将P型DBR刻蚀掉一部分的情况，因此当器件处于工作状态时也就不会出现当工作电流较大时载流子会因为浓度过大出现载流子分布不均匀，从而从根本上提高了器件结构性能可靠性
一种垂直激光器芯片结构

[发明专利]GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法-CN201010535878.7无效
发明人：刘晓燕;沈燕;徐化勇;李树强;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法，所述GaN基垂直结构LED包括在SiC衬底上依次生长有N型GaN层、量子阱层、P型GaN层和欧姆接触层，用机械研磨法将SiC衬底减薄，再用ICP法刻蚀SiC衬底的剩余部分，ICP刻蚀停止在GaN面上，刻蚀气体是Cl2、BCl3、SF6、O2、Ar、CHF3、CF4之一或组合。
gan 垂直结构 led sic 衬底剥离方法

[发明专利]双面YBCO薄膜结构的超导开关-CN201210434185.8无效
发明人：王豫;桂志兴;李海涛;严仲明;王亮;刘阳 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L39/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面YBCO薄膜结构的超导开关，工作于在液氮温区具有电、磁以及其优化组合的控制方式，开关主体由双面结构的YBCO薄膜材料构成。超导层被刻蚀空隙(100)阻挡分割成曲折路径；超导层上具有若干散布的刻蚀空孔(3)，且正反两面的刻蚀空孔呈交错排布。
双面 ybco 薄膜结构超导开关

[发明专利]纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法-CN200810059020.0有效
发明人：董文;乐孜纯;梁静秋 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2008-01-07 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法，包括步骤如下：(A)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版；(B)对硅衬底进行常规清洁处理；(C)在经步骤(B)处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为1－3微米的普通紫外负性光刻胶使用步骤(A)制成的光刻掩模版；(E)在光刻胶图形结构上生长一层厚度为100－250纳米的铝金属薄膜；(F)去除光刻胶膜，形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构；(G)进行深度硅材料刻蚀，制成硅材料一维纳米聚焦X射线组合透镜。
纳米聚焦射线组合透镜制作方法

[实用新型]组合掩膜版-CN201821269953.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种组合掩膜版，该组合掩膜版包括第一子掩膜版和第二子掩膜版，第一子掩膜版上形成有第一光掩膜图形，第二子掩膜版上形成有第二光掩膜图形，第一光掩膜图形和第二光掩膜图形具有重迭在同一曝光区域内的交互插排图形本实用新型将复杂的掩膜图形分解为两个简单的子掩膜图形，在一个刻蚀制程中转印至基底上，简化了刻蚀工艺并提高了套刻精度。
光掩膜图形掩膜版组合掩膜掩膜图形本实用新型刻蚀工艺曝光区域插排基底刻蚀套刻制程重迭分解

[发明专利]一种微透镜阵列及其制备方法-CN201810961148.X有效
发明人：贾金升;孙勇;刘娟;张洋;侯伟杰;张兵强 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种微透镜阵列的制备方法，包括以下步骤：制备毛坯板：毛坯经过棒管组合、拉丝、排板及熔压制成周期复合结构的毛坯板；离子束刻蚀：利用离子束刻蚀该毛坯板的表面。
一种透镜阵列及其制备方法

[发明专利]抗蚀剂用聚合物及抗蚀剂组合物-CN200480003128.8有效
发明人：百濑阳;大竹敦;上田昭史;藤原匡之;竹下优;林亮太郎;岩井武 -专利权人：三菱丽阳株式会社
申请日： 2004-01-29 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C08F220/34 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂用聚合物及抗蚀剂组合物，其中该抗蚀剂用聚合物包括具有氰基的特定构成单元、具有酸脱去性基团的构成单元、具有内酯骨架的特定构成单元，且在DUV准分子激光刻蚀、电子束刻蚀等中作为抗蚀剂树脂使用时
抗蚀剂用聚合物抗蚀剂组合

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