“刻蚀组合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1423971个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]倾斜角度预测方法及装置、设备监控方法、介质及设备-CN202110048239.6有效
发明人：邵波;刘欣然;王春阳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开是关于一种刻蚀孔倾斜角度预测方法、刻蚀设备监控方法、刻蚀孔倾斜角度预测装置、计算机可读存储介质及电子设备。该蚀孔倾斜角度预测方法包括：确定刻蚀设备在不同运行阶段的监测样品表面待刻蚀物的刻蚀速率的预设变化范围；获取刻蚀设备在当前运行阶段的监测样品表面待刻蚀物的刻蚀速率变化曲线；在刻蚀速率变化曲线超出预设变化范围时，确定刻蚀设备当前所刻蚀的刻蚀产品的刻蚀孔的倾斜角度超过预设角度。本公开实施简单成本低，且可达到实时预测当前刻蚀产品的刻蚀孔倾斜角度的目的。
倾斜角度预测方法装置设备监控介质

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010305032.8在审
发明人：王士京;何其暘;何欣祥;卑多慧;杨明;姚达林;黄敬勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、位于基底上的刻蚀停止材料层、位于刻蚀停止材料层上的第一抗刻蚀材料层以及位于第一抗刻蚀材料层上的掺杂层；以掺杂层为掩膜，刻蚀第一抗刻蚀材料层，形成第一抗刻蚀层；以第一抗刻蚀层为掩膜刻蚀刻蚀停止材料层，形成刻蚀停止结构。本发明实施例在形成第一抗刻蚀层的过程中，以刻蚀停止材料层的顶部为刻蚀停止位置，使得掺杂层中的底部凸角不易传递到第一抗刻蚀层中，使得第一抗刻蚀层的形成质量较好；同理，形成刻蚀停止结构的过程中，以基底的顶部为刻蚀停止位置，这进一步减小了底部凸角现象对刻蚀停止结构的影响，最终使得刻蚀停止结构的形成质量较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]台阶状ONO薄膜的刻蚀方法-CN201811607216.9有效
发明人：乔夫龙;贺可强;任佳;许鹏凯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种台阶状ONO薄膜的刻蚀方法，是在SONOS存储器制造工艺中，针对阶梯状的ONO膜的刻蚀残留问题，针对台阶状ONO薄膜，对其刻蚀采用局部刻蚀和整体刻蚀的两段式刻蚀：第一段刻蚀分为两步，先进行局部的BARC刻蚀，以及再进行局部的氮化硅刻蚀；第二段刻蚀也分为两步：先进行整体的BARC刻蚀，然后进行整体的氮化硅刻蚀。本发明利用BARC/氮化膜/氧化膜相互之间的选择比，使用分段刻蚀，在选择比无法持续提升的情形下，将侧墙的需要刻蚀的薄膜进行分段处理，在每个刻蚀步骤中，充分利用不同膜之间的刻蚀速率的不同，利用下一层膜作为刻蚀终止层，提高过刻蚀量以确保侧墙薄膜被完全刻蚀干净；同时分段处理使刻蚀负荷得到降低，获得更大的工艺窗口。
台阶 ono 薄膜刻蚀方法

[发明专利]刻蚀方法-CN201910842922.X有效
发明人：曹子贵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀方法，包括：第一步骤：初始化；第二步骤：根据刻蚀工艺加载相对应的工艺程式，并确认所述刻蚀工艺的需求刻蚀速率；第三步骤：获取刻蚀机台的实时刻蚀速率；第四步骤：比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小；第五步骤：若所述需求刻蚀速率大于所述实时刻蚀速率，调用第一暖机工艺程式并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率小于所述实时刻蚀速率，调用第二暖机工艺程式并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率等于所述实时刻蚀速率，调用所述刻蚀工艺程式。通过比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小，刻蚀机台对应执行不同的工序，实现了刻蚀机台的实时刻蚀速率的主动干预和动态调整。
刻蚀方法

[实用新型]等离子刻蚀装置-CN202022828311.0有效
发明人：谢飞;姚森;赵亮亮;张文杰;邵克坚;王猛;朱宏斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子刻蚀装置，包括：刻蚀腔，刻蚀腔内设置有静电吸盘和与静电吸盘相对设置的上电极，静电吸盘用于支撑并夹持待刻蚀的晶圆，所述上电极用于通入刻蚀气体并解离通入的刻蚀气体形成等离子体；所述刻蚀腔的腔室壁中设置有加热模块，加热模块用于在采用等离子刻蚀所述待刻蚀晶圆时，对所述刻蚀腔的腔室壁进行加热，以使得刻蚀过程中产生的聚合副产物更多的形成在所述待刻蚀晶圆上已形成的刻蚀孔的底部。通过在刻蚀腔的腔室壁中中设置加热模块，在进行等离子体刻蚀时，通过加热模块对刻蚀腔的腔室壁中进行高温加热，使得刻蚀腔的腔室壁表面粘附的聚合副产物会脱落到已形成的刻蚀孔的底部，以保护已形成的刻蚀孔底部的材料，防止过刻蚀的发生。
等离子刻蚀装置

[发明专利]一种湿刻蚀装置及方法-CN201710707461.6在审
发明人：何军 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿刻蚀装置及方法，该装置包括刻蚀槽、喷淋装置、多个滚轮；滚轮设置在刻蚀槽的内部，用于承载待刻蚀的基板；喷淋装置设置在滚轮的上方，用于喷淋刻蚀液；刻蚀槽存储有刻蚀液，且刻蚀液液面高于基板。本发明提供的湿刻蚀装置及方法，可以保证基板刻蚀的均一性，也能保证基板的刻蚀速率。
一种刻蚀装置方法

[发明专利]一种刻蚀设备-CN201610004465.3有效
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀设备，涉及显示装置的制造领域。其中，刻蚀设备包括：用于使用刻蚀液对基板进行刻蚀的刻蚀室，所述刻蚀室包括侧板和盖板组成；加热机构，用于至少对所述刻蚀室的盖板进行加热，阻止刻蚀过程中挥发的刻蚀液蒸汽在所述盖板上冷凝。本发明的方案通过对刻蚀室盖板进行加热，可以防止刻蚀液蒸汽在盖板冷凝形成滴液，减少液滴滴落在基板上而产生的刻蚀不均现象，从而改善了刻蚀效果。
一种刻蚀设备

[发明专利]一种刻蚀方法-CN202010047760.3在审
发明人：朱瑞苹;王京;陈国动 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：主刻蚀步骤，所述主刻蚀步骤用于在待刻蚀层上进行孔刻蚀；开口修饰步骤，所述开口修饰步骤用于去除所述主刻蚀步骤在所述孔的开口处形成的刻蚀沉积物；循环交替进行主刻蚀步骤和开口修饰步骤，以在所述待刻蚀层上形成预设深度的孔。由此与主刻蚀步骤交替进行的开口修饰步骤，去除了主刻蚀步骤在待刻蚀层上形成的孔开口处的刻蚀沉积物，避免了沉积物在孔开口处的堆积造成的底部失真。通过本发明，提高了刻蚀良率。
一种刻蚀方法

[发明专利]刻蚀方法与刻蚀组成物-CN201410068712.7有效
发明人：杨大弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法与刻蚀组成物。该刻蚀方法包括首先，提供衬底；接着，进行刻蚀，以在上述衬底中形成至少一开口；继而，在开口中形成辅助刻蚀层，以覆盖至少一刻蚀残留物；上述辅助刻蚀层包括载体、介质以及包覆于载体中的刻蚀成分；再来，对该辅助刻蚀层进行处理工艺，上述处理工艺包括对上述辅助刻蚀层施加能量或使上述辅助刻蚀层暴露于气体下，使得上述辅助刻蚀层中的载体破裂，藉此释放出上述刻蚀成分，并对上述刻蚀残留物进行刻蚀。
刻蚀方法组成

[发明专利]一种刻蚀方法及基板-CN201510089744.X有效
发明人：叶江波 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法及基板，其中刻蚀方法包括湿刻蚀步骤，将涂有光阻层的待刻蚀基板放入刻蚀溶液中，对待刻蚀基板中的金属层进行刻蚀，得到第一基板；反应离子刻蚀步骤，利用反应离子刻蚀工艺对第一基板中的第一绝缘层进行刻蚀，刻蚀后去除光阻层，得到第二绝缘层未被刻蚀的基板。本方法有效避免了因采用ICP刻蚀工艺而对基板造成的过刻蚀，保证了刻蚀后所得到的基板的均匀性和可靠性，使得基板的电器迁移率、电阻和电容等参数都接近于规格值。
一种刻蚀方法

[发明专利]等离子体刻蚀的终点监测方法-CN200710094531.1有效
发明人：刘乒;张世谋;杜珊珊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀的终点监测方法，在进行等离子体刻蚀的反应室内壁形成刻蚀交换层；在反应室内通入刻蚀剂对被刻蚀膜层进行等离子刻蚀，刻蚀交换层中包含所述刻蚀剂中包含的元素；监测反应室内被刻蚀膜层的OES曲线，当所述被刻蚀膜层的OES曲线的斜率为0时，即为刻蚀终点。这种终点判断方法可以准确的控制等离子体刻蚀的刻蚀终点，适合65nm及其以下半导体制作工艺中对于等离子体刻蚀工艺刻蚀终点的精确控制。
等离子体刻蚀终点监测方法

[发明专利]接触窗结构及其形成方法-CN202011000651.2在审
发明人：吴秉桓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触窗结构及其形成方法，所述形成方法，在所述目标层表面上形成刻蚀垫片后，形成覆盖所述基底、目标层和刻蚀垫片的介质层；刻蚀所述介质层，在所述介质层中形成刻蚀孔，所述刻蚀孔底部暴露出所述刻蚀垫片的顶部表面；沿刻蚀孔去除所述刻蚀垫片，形成与刻蚀孔连通的刻蚀通道，所述刻蚀通道暴露出目标层的部分表面，所述刻蚀通道与刻蚀孔构成接触窗结构。本发明的方法，可以防止未开窗的问题，并且在形成接触窗结构的过程中，也不会存在加大刻蚀强度的问题，因而使得刻蚀孔顶部的尺寸不会增大，能与设计的尺寸保持一致，减小了形成刻蚀孔的刻蚀难度。
接触结构及其形成方法

[发明专利]一种基片的刻蚀方法-CN201510564304.5有效
发明人：张君 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够在保证刻蚀时具有足够的刻蚀选择比的前提下，解决刻蚀时产生难以清洗干净的聚合物，造成LED前级电压高的问题。所述基片的刻蚀方法所刻蚀的基片上预先形成有具有所需要的图形的光阻层，该刻蚀方法包括：粗刻蚀阶段，以光阻层为掩膜，采用第一刻蚀气体对基片进行刻蚀，第一刻蚀气体包含碳；精刻蚀阶段，以光阻层为掩膜，采用第二刻蚀气体对经过粗刻蚀阶段的基片进行刻蚀，第二刻蚀气体不包含碳。前述基片的刻蚀方法适用于GaN基LED中GaN衬底上SiO
一种刻蚀方法

[发明专利]一种超低K介质材料刻蚀深度的控制方法-CN201510266174.7有效
发明人：孙武;李莉;杨乐 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种超低K介质材料刻蚀深度的控制方法，该方法包括以下步骤：首先，设定刻蚀机上刻蚀气体的气体流量，利用所述刻蚀气体刻蚀一晶圆上的超低K介质材料层，然后测量所述晶圆的超低K介质材料层的刻蚀深度；接着，根据测量的所述刻蚀深度，由APC系统来判断所述刻蚀深度是否偏离目标深度；若所述刻蚀深度偏离所述刻蚀深度，则由所述APC系统输出调整的气体流量参数，刻蚀机根据所述参数来调整刻蚀气体流量，进而使下一片晶圆的刻蚀深度更加接近所述目标深度本发明通过APC反馈来调整机台上刻蚀气体的流量，并通过晶圆和晶圆间刻蚀流量的不同来改变超低K介质材料的刻蚀深度，从而使刻蚀深度满足工艺要求。
一种介质材料刻蚀深度控制方法

[发明专利]刻蚀机和改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法-CN202011049322.7有效
发明人：白宇;丁奥博;孟艳秋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种刻蚀机改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法。其中，方法包括以下步骤：预先判断刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式；确定刻蚀机的后续工作为部分工作模式时，目标晶片放置于部分刻蚀区中；放置有目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区，未放置有目标晶片的刻蚀区为闲置刻蚀区；选取模拟晶片放置于闲置刻蚀区中；在部分工作模式下，使得对目标刻蚀区的目标晶片，与，对闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致的刻蚀操作。刻蚀机用于执行该方法。本申请可以解决相关技术中，刻蚀机不同刻蚀区在不同工作情形，产生工作环境差异的问题。
刻蚀改善不同工作环境差异方法