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[发明专利]一种可控制多进气管路组合进气装置及刻蚀方法-CN202110381259.5在审
发明人：孟庆国;王海东;朱小庆;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控制多进气管路组合进气装置及刻蚀方法，进气管路设置于真空腔室之上，包括总进气机构、分流进气机构和上腔盖；上腔盖盖合于真空腔室之上，且上腔盖上设有多个分支进气口，利用上腔室不同位置进气，从而使腔室内部不同位置气体浓度不同，通过控制气体在腔室不同位置的浓度，来控制射频启用时气体在腔室内被高频电场电离产生的等离子体浓度不同，产生的等离子体与晶圆表面刻蚀层物质发生反应进行刻蚀或等离子体之间生成某种物质沉积在晶圆表面，通过控制腔室不同位置气体浓度及生成等离子体浓度不同，从而控制晶圆各位置在腔室内刻蚀或沉积镀膜速度不同，达到控制调节刻蚀与镀膜的均匀性。
一种控制多进气管路组合装置刻蚀方法

[发明专利]互连结构的形成方法-CN201310170457.2有效
发明人：张海洋;张城龙;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：包括提供半导体衬底；在半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、介质硬掩膜层和金属硬掩膜层，层间介质层的材料为低k材料或者超低k材料；在金属硬掩膜层中形成第一开口，第一开口贯穿金属硬掩膜层；以剩余的金属硬掩膜层为掩模，刻蚀介质硬掩膜层和层间介质层，直至在层间介质层中形成刻蚀结构，刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；在刻蚀结构中填充满牺牲层；依次去除剩余的金属硬掩膜层和牺牲层；在刻蚀结构中填充满金属材料。
互连结构形成方法

[发明专利]一种干法刻蚀凸块形貌可控的制备方法-CN201510975404.7有效
发明人：李全宝;韩冬;姚海平 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种干法刻蚀凸块形貌可控的制备方法，包括以下步骤：在衬底上附着氧化层(oxide)介质膜；在氧化层介质膜上旋涂上光刻胶PR，然后进行曝光，显影；对光刻胶PR进行烘烤，使光刻胶PR形成固定的形貌和厚度；采用RIE干法刻蚀，使用CF4和CHF3气体组合来对介质膜进行刻蚀；保持CF4和CHF3的气体总流量不变，调整CF4和CHF3气体的比例，从而获得一定的oxide和PR的选择比；通过特定oxide和PR的选择比，在介质膜刻蚀过程中，在PR形貌和厚度固定的情况下，逐渐消耗两个肩膀的PR，从而达到介质膜刻蚀呈现正梯形，最终得到底部坡度形貌可控的凸块形状。
形貌可控介质膜制备干法刻蚀凸块形貌固定的选择比刻蚀气体总流量氧化层介质刻蚀过程凸块形状光刻胶氧化层正梯形烘烤上光衬底附着上旋显影坡度肩膀消耗曝光

[发明专利]一种通过激光刻蚀制造复合多功能防伪标识的方法-CN201110119805.4有效
发明人：袁财荣;杨群峰;梁建荣;李子溪 -专利权人：云南荷乐宾防伪技术有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造复合多功能防伪标识的方法，目的在于解决现有技术中防伪标识上附着的二维码、微缩图像易损坏难保存以及防伪等级不高的缺点，采用了以下步骤：根据需要，生产出预留激光刻蚀区且激光刻蚀区背景具有防伪元素的OVD大卷箔；a、对步骤a生产的大卷箔进行疵品检测并进行剔除或标记；b、对检测好的OVD箔进行分切，加工成适合烫印的盘卷；c、将激光刻蚀区背景图案中的镀铝层利用激光刻蚀掉，保留基膜，通过刻蚀掉的空白区域和保留下的镀铝物质相组合
一种通过激光刻蚀制造复合多功能防伪标识方法

[发明专利]双结构接触孔同步刻蚀工艺-CN201610107729.8有效
发明人：杨渝书;高慧慧;吴敏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种双结构接触孔同步刻蚀工艺，通过增加感光区氧化硅层的厚度，来增大逻辑区和感光区的接触孔层间差距，然后反复利用不同刻蚀气体组合的氧化硅和氮化硅的不同刻蚀选择比，来依次完成对感光区氮化硅阻挡层，感光区氧化硅层，逻辑区氮化硅阻挡层的逐步刻蚀，最终完成双结构接触孔同步刻蚀工艺；达到在形成双结构接触孔的同时，减少逻辑区无边界接触孔在STI上的氧化硅损失的目的，避免了由于逻辑区无边界接触孔在STI过深的氧化硅损失
结构接触同步刻蚀工艺

[实用新型]一种线路板蚀刻设备-CN202220140729.9有效
发明人：聂小兵 -专利权人：惠州威尔高电子有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：且机体的两侧对称开设有进料口和出料口；轴辊输送机构，所述轴辊输送机构设置在机体内腔中部；辅助输送机构，所述辅助输送机构对称设置在机体两侧且与轴辊输送机构相对应；喷淋机构，所述喷淋机构具有两个且相对设置在机体内腔中，用于将刻蚀液喷洒在线路板上；吸收机构，所述吸收机构具有两个且相对设置在机体内腔中，所述吸收机构与喷淋机构相对应，用于吸收刻蚀液；本实用新型过喷淋机构和吸收机构组合且对称设置，可优化刻蚀效率，且可对刻蚀液进行回收；通过回收泵机提供吸力将喷淋机构喷淋的刻蚀液通过回收管回收
一种线路板蚀刻设备

[发明专利]刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法-CN201910655162.1在审
发明人：白靖宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种刻蚀装置，包括：刻蚀腔体；承载板，其位于刻蚀腔体内，承载板上用于放置晶圆；喷头，其位于所述承载板的上方，所述喷头用于向所述晶圆喷出刻蚀液；多个加热装置，其安装在所述承载板上，且用于给晶圆加热；其中，每个加热装置独立加热以用于改变每个加热装置上方的刻蚀液的刻蚀速率。本申请实施例还公开了一种刻蚀系统和刻蚀方法。
承载板晶圆喷头加热装置刻蚀液刻蚀多个加热装置独立加热刻蚀腔体刻蚀系统刻蚀装置刻蚀腔喷出加热申请体内

[实用新型]刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备-CN202021001856.8有效
发明人：谢毅;周公庆;马志强;王璞 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备，涉及硅片刻蚀装置技术领域。一种刻蚀滚轮，刻蚀滚轮的作用面具有多个周向设置的凸棱，相邻的两个凸棱之间形成有凹槽，凸棱为弯曲状结构。该刻蚀滚轮的凸棱为弯曲状，该结构使得凸棱在刻蚀过程中具有一定的携带酸液的能力，进而增加刻蚀滚轮的携带酸液的能力，降低对氢氟酸的需求量，从而可以降低酸的使用量，刻蚀效果也更加稳定。同时，弯曲结构能够提高凸棱的形变能力，使得刻蚀滚轮在与硅片等材料作用接触的过程中能够发生形变，可以有效弥补和抵消硅片在抖动、震动过程中的一些位移，进而可以保证刻蚀工序的背面刻蚀效果正常，降低失效片的产生
刻蚀滚轮组件设备

[发明专利]一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀装置及其方法-CN202110331324.3有效
发明人：丁建宁;孙涛;李绿洲;上官泉元 -专利权人：江苏大学;常州大学;常州比太科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀方法，包括S1：将预制绒的硅片进行清洗和预处理；S2：将去除损伤后的硅片放至装载台的载板后，依次通过装载腔和工艺缓冲腔进入工艺腔；S3：打开抽真空设备，SF6、O2和SiCl4刻蚀气体从线性离子源布气孔均匀的进入工艺腔；S4：打开射频电源和磁场装置，刻蚀气体电离产生等离子体；高能离子在电场作用下垂直地射向样品表面，进行物理轰击，完成硅片在工艺腔内的刻蚀；S5：硅片随着载板从工艺腔依次经过卸载缓冲腔和卸载腔，最后至卸载台被取出。本发明将多个大尺寸线性离子源组合在一起，实现大面积均匀刻蚀。通过装载腔、卸载腔和输送机构的协同作用可以实现硅片的连续动态刻蚀，大大提高了RIE产能。
一种连续制备大面积纳米反应离子刻蚀装置及其方法

[发明专利]从硅晶片制造复杂刀片几何体和增强刀片几何体的方法-CN200580018355.2有效
发明人：詹姆斯·休斯;瓦迪姆·达斯卡尔;约瑟夫·基南;埃迪拉·基斯;苏珊·查维兹 -专利权人：贝克顿·迪金森公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：所述方法包括通过安装晶片来准备单晶或者多晶晶片并使用数种方法之一在晶片中刻蚀沟槽。形成斜面刀片表面的沟槽的机加工方法包括金刚石刀片锯、激光系统、超声机械、热锻压和刨槽机。其它的方法包括湿刻蚀(各向同性和各向异性)及干刻蚀(各向同性和各向异性，包括反应性离子刻蚀)、以及这些刻蚀步骤的组合。然后，将晶片放在刻蚀剂溶液中，其以均匀的方式各向同性地刻蚀晶片，从而均匀地除去晶态的或者多晶材料层，产生单、双或者多斜面刀片。可以在晶片中机加工出几乎任何角度，并且在刻蚀后仍保留机加工的角度。
晶片制造复杂刀片几何体增强方法

[发明专利]一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法-CN201811099021.8在审
发明人：王进 -专利权人：绵阳致知高新科技有限责任公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，所述的蚀刻液组合主要为硝酸铈铵、氢氟酸、十八烷基三甲基氯化铵、2—氧乙酸基丁导酸和水的混合物。与现有技术相比，本发明提出一种针对镍铬硅薄膜的蚀刻组合物，用于镍铬硅薄膜的蚀刻时，能够提高并控制蚀刻速度，并且有效抑制了光刻胶层的劣化，其结果是能够得到表面平坦光滑的蚀刻面。突破现有技术壁垒，研发出了薄膜电阻领域中镍铬硅薄膜的湿法刻蚀技术。推进镍铬硅薄膜电阻的市场化应用，为国家电子信息技术的快速发展贡献一份力量。
镍铬硅薄膜蚀刻液组合物蚀刻薄膜电阻湿法刻蚀十八烷基三甲基氯化铵电子信息技术湿法刻蚀技术蚀刻组合物表面平坦光刻胶层技术壁垒硝酸铈铵有效抑制混合物氢氟酸蚀刻面蚀刻液氧乙酸劣化光滑应用力量

[发明专利]用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物-CN201110427483.X无效
发明人：李友兰;李石;李铉奎;李恩远 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本文公开一种用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物，以所述组合物的总重量计，所述组合物包括：过氧化氢5～30wt％、含氟化合物0.01～5wt％、可溶于水的环胺化合物0.1～5wt％、无机酸0.1～10wt％和余量的水
用于欧姆接触刻蚀组合

[发明专利]集流体、电芯、电池-CN201711418135.X有效
发明人：郭明奎;王耀辉;黄亚萍;赵丰刚 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01M4/76 文献下载
摘要：本发明提供一种集流体、电芯、电池，所述集流体表面上设置有未贯通的刻痕凹槽形成的刻蚀图案，所述刻蚀图案由多个连续或不连续的闭合曲线围成的图形组成，闭合曲线为直线形成的闭合曲线、曲线形成的闭合曲线、或直线和曲线组合形成的闭合曲线
流体电池

[发明专利]用于低k刻蚀后的无损灰化工艺和系统-CN200680028670.8有效
发明人：西野雅;道格拉斯·M·特瑞克凯特 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供了一种用于低介电常数(低k)层中的特征刻蚀之后的衬底灰化的工艺。低k层可包括超低k材料或多孔低k材料。该工艺可被配置为去除刻蚀副产物，同时保留特征的临界尺寸。灰化工艺包括使用含氮和含氢的化学物质以及包括氧元素的钝化化学物质，例如O₂、CO、或CO₂或其任意组合。
用于刻蚀无损灰化工艺系统

[发明专利]一种耐刻蚀光刻胶组合物-CN202011541244.2在审
发明人：徐娟;周建;王猛 -专利权人：阜阳申邦新材料技术有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种耐刻蚀光刻胶组合物，其原料包括：10‑35重量份的复合酚醛树脂、1‑8重量份的重氮类感光剂、30‑65重量份的有机溶剂；所述复合酚醛树脂由线型酚醛树脂、金属改性酚醛树脂组成。通过特定方法把金属引入到酚醛树脂的主链结构中，获得金属改性酚醛树脂，将其以特定配比与线型酚醛树脂配合作为基体树脂，用于光刻胶组合物，体系相容性好，在不影响光刻胶其他性能的基础上，提高了耐刻蚀性。
一种刻蚀光刻组合

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