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[发明专利]一种去除硅片边缘SiO2的方法-CN202310821320.2在审
发明人：秦董礼 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆制造，公开了一种去除硅片边缘SiO2的方法。本发明中所提供的去除硅片边缘SiO2的方法，包括如下步骤：将保护罩罩设在硅片表面上，使需要保护的硅片表面置于保护罩内，使用氮气与氢氟酸溶液混合对硅片暴露在保护罩之外的区域进行喷射腐蚀去除SiO2，使用氮气吹干硅片表面液体，将硅片从保护罩上取下收纳。所述保护罩上设有密封圈，所述密封圈与硅片边缘抵接密合，将罩设在保护罩内的硅片表面给密封隔离。使得硅片边缘SiO2去除彻底，腐蚀边界齐整，有效减少了腐蚀边界的宽度。
一种去除硅片边缘 sio2 方法

[发明专利]蚀刻气体以及蚀刻方法-CN202280019716.9在审
发明人：岩崎淳平;谷本阳祐 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻具有氮化硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。一种蚀刻气体，含有亚硝酰氟，并且作为杂质含有硝酰氟，硝酰氟的浓度为0.0001质量ppm以上且100质量ppm以下。一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中使该蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，所述蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，所述非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象。蚀刻对象物具有氮化硅。
蚀刻气体以及方法

[发明专利]改善长、短沟道区器件研磨负载的方法-CN202310960968.8在审
发明人：王淑祥;马杏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种改善长、短沟道区器件研磨负载的方法，提供衬底，衬底上形成有短沟道区以及长沟道区，长、短沟道区上均形成有层间介质层，层间上形成有沟槽，沟槽中形成有侧墙以及多晶硅层，多晶硅层在短沟道区之间的间距小于其在长沟道区之间的间距；在层间介质层、多晶硅层上形成硬掩膜层，之后利用硬掩膜层相对于多晶硅层具有高选择比的研磨液研磨硬掩膜层及其下方的层间介质层、硬掩膜层，使得层间介质层、多晶硅层在短沟道区的高度低于其在长沟道区的高度；去除剩余的多晶硅层，之后形成覆盖沟槽的金属层；研磨金属层至目标厚度。本发明使金属栅研磨之后长沟道区与短沟道区的高度基本上齐平，改善了芯片的电学性能。
改善沟道器件研磨负载方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210385675.7在审
发明人：王军;苏欣若;刘昌伙;厉渊;杨乐 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：以所述图形化层为掩膜，采用等离子体刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成第一孔洞以及位于所述第一孔洞下的若干相互隔离的第二孔洞，所述图形孔洞与所述第一孔洞相互连通，各所述第二孔洞分别与所述第一孔洞相互连通，所述等离子体刻蚀的方法包括：进行第一阶段刻蚀以形成所述第一孔洞，所述第一阶段刻蚀在所述第一孔洞靠近顶部的侧壁表面产生副产物，所述副产物具有电荷；在所述第一刻蚀阶段之后，进行第二阶段刻蚀，采用刻蚀等离子体刻蚀所述待刻蚀层以形成所述若干第二孔洞，且所述刻蚀等离子体具有与所述副产物相同的电荷，获得的各所述第二孔洞尺寸远小于所述第一孔洞，利于提高芯片的集成度。
半导体结构形成方法

[发明专利]蚀刻方法-CN202080005208.6有效
发明人：服部孝司;赵煜;小林浩之;大竹浩人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了提供一种以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地对氧化硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，而在所述蚀刻方法中通过向处理室内供给处理用的气体来对膜结构进行蚀刻，在所述膜结构中，在配置于所述处理室内的晶片上预先形成的氧化硅膜及氮化硅膜沿上下方向交替地层叠而成的膜层的端部构成槽或孔的侧壁，其中，在所述蚀刻方法中，向所述处理室内供给氟化氢及醇的蒸气，并将所述晶片维持在‑20℃以下、期望维持在‑20至‑60℃的温度，并对所述氧化硅膜从所述端部起横向地进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN202280015232.7在审
发明人：横田聪裕;寺岛亮;村上智;斋野高遥 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：所公开的等离子体处理装置包括：腔室、等离子体生成部、多个环状电磁体单元、电源、至少一个光学传感器及控制部。多个环状电磁体单元相对于通过腔室内部空间的轴线设置成同轴状。至少一个光学传感器检测腔室10内的沿径向的等离子体的发光强度分布。控制部控制电源以根据等离子体的发光强度分布来调整分别供给到多个环状电磁体单元的电流。
等离子体处理装置方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201780030915.9有效
发明人：辻晃弘;本田昌伸;渡边光 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。该方法包括：第一步骤，在收纳有被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在被处理体上形成包含碳氟化合物的堆积物；和第二步骤，使用包含于堆积物中的碳氟化合物的自由基，蚀刻第一区域，反复执行包含第一步骤和第二步骤的流程。
蚀刻方法

[发明专利]大气压等离子体发生装置-CN201880096124.0有效
发明人：神藤高广 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：目的在于提供能够抑制NOx的产生的大气压等离子气体发生装置。大气压等离子体发生装置具备用于加热从产生等离子体的反应室喷出的等离子气体的加热器。控制装置基于由NOx传感器输出的信号控制加热器，以使NOx浓度为阈值以下。由此，能够将NOx的生成量限制为阈值以下。
大气压等离子体发生装置

[发明专利]具半球形图形结构半导体器件的制造方法及半导体器件-CN202310847624.6在审
发明人：刘杨;戴益善;胡艳;孙清;刘凌峰 -专利权人：合肥芯昊半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种具半球形图形结构半导体器件的制造方法及半导体器件，该制造方法包括：提供半导体衬底，基于纳米压印工艺在半导体衬底的表面形成覆盖半导体衬底表面的半球形掩膜；采用恒定流量比例的SF6与C4F8的混合气体在感应耦合等离子体刻蚀设备中对半球形掩膜执行干法刻蚀，以在半导体衬底表面形成沿平面上规则间隔排布的半球形图形结构。在本发明中，将SF6作为刻蚀气体而将C4F8作为保护气体，通过恒定流量比例的SF6与C4F8，以控制对半球形掩膜及半导体衬底实现各向同性刻蚀，通过C的沉积保护从而取得了半球形图形结构表面光滑的技术效果。
半球形图形结构半导体器件制造方法

[发明专利]蚀刻处理方法-CN202280005768.0在审
发明人：服部孝司;山田将贵;秋永启佑 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率、以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜的方法。因此，本发明的蚀刻处理方法是一种干式蚀刻方法，对于在配置于处理室内的晶片上预先形成的、氧化硅膜被氮化硅膜上下夹持而层叠的膜层的端部构成槽或者孔的侧壁的膜构造，向所述处理室内供给处理用气体，在不使用等离子的状态下进行蚀刻，其特征在于，在将该氟化氢气体的分压设为x(Pa)时，将所述晶片在(0.040x‑42.0)℃以下的低温从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。
蚀刻处理方法

[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置-CN202280018118.X在审
发明人：藤堂飒哉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开提供面内均匀性良好的基板处理技术。本公开涉及的等离子体处理方法包含：在基板支持部上配置基板的工序；向腔室内供给用于处理基板的处理气体的工序；向上部电极或者下部电极供给具有第一频率的第一高频，在上部电极与下部电极之间生成处理气体的等离子体的工序；以及向上部电极或者下部电极供给具有比第一频率低的第二频率的第二高频，控制在上部电极或者下部电极与等离子体之间形成的电场的工序，生成等离子体的工序包含基于第二高频的相位控制第一高频的供给的工序。
等离子体处理方法以及装置

[发明专利]垫结构及制造方法-CN201780023358.8有效
发明人： H·T·吴;N·B·帕迪班德拉;R·巴贾杰;D·莱德菲尔德;A·乔卡里汉;M·山村;M·科尔内霍 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供用于制造使用在抛光工艺中的抛光制品的方法与设备。在一个实施例中，提供形成抛光垫的方法。此方法包括在基板上沉积垫形成光聚合物的未固化第一层。此方法进一步包括在未固化垫形成光聚合物的第一层上方定位第一光掩模。第一光掩模包括具有至少一孔洞的图案化材料片。此方法进一步包括将垫形成光聚合物的未固化第一层暴露于电磁辐射，以选择性地使此垫形成光聚合物的未固化第一层的暴露部分聚合，以形成在垫形成光聚合物的第一层内的垫支撑结构。
结构制造方法

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201780053402.X有效
发明人：松井则政 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明目的在于抑制基板的损伤并且提高基板的处理效率。为了实现该目的，基板处理装置具备：处理槽，收容磷酸水溶液，且对已浸渍于该磷酸水溶液中的基板施加蚀刻处理；水蒸气供给机构，供给水蒸气；非活性气体供给机构，供给非活性气体；混合机构，从水蒸气供给机构被供给水蒸气，并且从非活性气体供给机构被供给非活性气体，且混合所供给来的水蒸气和非活性气体以生成混合气体；气泡产生器，从混合机构被供给混合气体，并且将所供给来的混合气体吹出至磷酸水溶液中以产生混合气体的气泡；以及流量调整机构，调整水蒸气供给机构所供给的水蒸气的流量和非活性气体供给机构所供给的非活性气体的流量，以使混合气体的湿度成为目标湿度。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置的制造工艺判定装置、基板处理系统、基板处理装置的制造工艺判定方法、学习模型组、学习模型组的生成方法以及程序-CN202080004996.7有效
发明人：花田克司;藤原佑挥 -专利权人： SPP科技股份有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地抑制判定精度的降低的基板处理装置的制造工艺判定装置等。制造工艺判定装置(20)具备：工艺日志获取部(21)，其获取基板处理装置(10)的工艺日志数据；以及判定部(22)，其基于工艺日志数据来制作输入数据，基于输入数据来进行与基板处理装置的制造工艺有关的判定。判定部具备多个学习模型(25)，所述多个学习模型(25)分别被输入输入数据，分别输出与制造工艺有关的判定结果，所述多个学习模型是通过使用互不相同的教师数据进行机器学习而生成的。判定部能够切换要使用多个学习模型中的哪个学习模型来进行判定。
处理装置制造工艺判定系统方法学习模型生成以及程序

[发明专利]一种晶体硅表面倒金字塔结构制备方法-CN202310834253.8在审
发明人：彭奎庆;霍晨亮 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅表面倒金字塔结构制备方法，属于新材料技术领域。本发明通过对太阳能电池制备过程中的碱腐蚀方法进行改进，提出了一种新型的晶体硅表面腐蚀方法，可用于晶体硅表面大面积微纳米尺度倒金字塔阵列绒面结构制备。该技术简单易行，不需要酸性溶液，成本低廉无污染，可工业化生产，所制备的大面积微纳米尺度倒金字塔阵列绒面光吸收性能优异，因此在太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
一种晶体表面金字塔结构制备方法

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