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[发明专利]一种湿刻蚀装置-CN201810423918.5有效
发明人：周斌;王东方;赵策;成军;闫梁臣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种湿刻蚀装置，涉及湿刻蚀技术领域，能够解决由于待刻蚀件在刻蚀槽中传送时间较长，无法实现较薄膜层的精细刻蚀问题。所述湿刻蚀装置包括：传送单元，用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元；搬运单元，用于将位于刻蚀单元的入口侧的待刻蚀件沿刻蚀单元的外侧搬运至冲洗单元处；控制单元，用于在待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制搬运单元启动，以使搬运单元将待刻蚀件搬运至冲洗单元处的传送单元上；并控制传送单元反向运转后再正向运转，以使待刻蚀件从刻蚀单元的出口进入刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀，再从刻蚀单元的出口返回到冲洗单元内进行冲洗本发明用于湿法刻蚀。
一种刻蚀装置

[发明专利]一种刻蚀设备-CN202010157111.9有效
发明人：李奕 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及刻蚀技术领域，具体公开一种刻蚀设备。该刻蚀设备包括刻蚀腔体、沉积板和电极组件，刻蚀腔体内承载有待刻蚀工件，刻蚀腔体的一端能够通入刻蚀气体，沉积板可拆卸连接于刻蚀腔体内，且位于待刻蚀工件的上方，并对待刻蚀工件进行刻蚀。本发明提供的刻蚀设备，通过电极组件和刻蚀腔体互相配合，可以有效将附着在腔体壁的副产物刻蚀掉；将沉积板可拆卸连接于刻蚀腔体内，当刻蚀的副产物在沉积板上发生沉积时，只需更换部分组件，将沉积板从刻蚀腔体内拆除后，重新更换一个新的沉积板即可，省时省力，且成本较低，且能够及时将刻蚀的副产物清理，避免其掉落至工件上，影响工件的刻蚀质量，保证工件具有较好的刻蚀效果。
一种刻蚀设备

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110004899.4有效
发明人：黄鑫;李弘祥;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该半导体结构的制备方法包括：基底包括第一待刻蚀区和位于第一待刻蚀区外侧的第二待刻蚀区，第一待刻蚀区的刻蚀速率与第二待刻蚀区的刻蚀速率不同；同时对第一待刻蚀区和第二待刻蚀区进行至少两次刻蚀，直至第一待刻蚀区和第二待刻蚀区中刻蚀速率较小的一个的刻蚀深度等于目标刻蚀深度；在至少两次刻蚀的过程中，在前一次刻蚀完成后在第一待刻蚀区和第二待刻蚀区回填牺牲材料，并在后一次刻蚀时去除部分牺牲材料。通过在至少两次刻蚀过程之间回填牺牲材料，以减少第一待刻蚀区和第二待刻蚀区的刻蚀深度的差值，提高半导体结构的成品率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]通过晶振实现对刻蚀样品原位刻蚀监控的方法及系统-CN201610250314.6在审
发明人：张宝顺;张志利;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过晶振实现对刻蚀样品原位刻蚀监控的方法及系统。所述的方法包括：将刻蚀样品与镀有薄膜的晶振放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，以保证刻蚀样品与晶振处于相同的刻蚀条件下，并且在相同刻蚀条件下，所述刻蚀样品的刻蚀速率与所述晶振上薄膜的刻蚀速率成线性比例关系；使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述晶振上的薄膜直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述晶振上薄膜的厚度变化而实现对所述刻蚀样品的刻蚀速率的实时监控，并相应的实时调整刻蚀条件，从而实现对样品精确可控的刻蚀。本发明利用晶振等对样品的刻蚀过程进行原位监测，可以有效的计算出实时的刻蚀速率和刻蚀深度，达到精确控制的目的，同时满足复杂刻蚀的要求。
通过实现刻蚀样品原位监控方法系统

[发明专利]一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备-CN202010100444.8有效
发明人：李俊杰;李晨;朱慧珑;周娜;王桂磊;李永亮;李俊峰;殷华湘;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备，涉及等离子体刻蚀技术领域，以限制刻蚀基板的刻蚀气体的量，提高刻蚀精度。该刻蚀方法包括至少一个刻蚀周期，每个刻蚀周期均包括，提供一容置有基板的腔体。向腔体内通入刻蚀气体。当基板吸附刻蚀气体，排出腔体内处在自由状态的刻蚀气体。将吸附在基板上的刻蚀气体转换为等离子体，利用等离子体对基板进行刻蚀。本发明还提供一种应用于上述刻蚀方法的刻蚀系统，以及应用于该刻蚀系统的刻蚀控制装置。本发明提供的电子器件由上述刻蚀方法制备而成，本发明提供的电子器件应用在电子设备中。
一种刻蚀方法系统控制装置电子器件设备

[实用新型]可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备及半导体产品制造系统-CN202123012835.3有效
发明人：高前武;王嘉炜 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，包括刻蚀腔室，设置在刻蚀腔室内的基础刻蚀线圈，以及与基础刻蚀线圈连接的射频电源；还包括：设置在刻蚀腔室内并与射频电源连接的若干个辅助刻蚀线圈，每个辅助刻蚀线圈的尺寸小于基础刻蚀线圈；每个辅助刻蚀线圈用于使对应区域中的离子浓度发生变化，以调整对应区域下方晶圆的刻蚀速率。基础刻蚀线圈和辅助刻蚀线圈叠加作用，使得对应区域中的离子浓度增大，提高下方晶圆的刻蚀速率，实现了分区域进行刻蚀速率调整的目的，避免出现刻蚀不干净或刻蚀过度的现象，也规避了因微负载效应带来的缺陷，提高了刻蚀均匀性
区域性控制刻蚀速率设备半导体产品制造系统

[发明专利]高深宽比结构的刻蚀方法及MEMS器件的制作方法-CN201410345037.8有效
发明人：王红超 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种高深宽比结构的刻蚀方法，其包括主刻蚀、过渡刻蚀与过刻蚀。其中，主刻蚀工艺刻蚀半导体衬底至目标深度的上方位置时停止，形成第一刻蚀孔；过渡刻蚀控制继续刻蚀半导体衬底至目标深度，形成关键尺寸小于第一刻蚀孔的第二刻蚀孔；过刻蚀工艺刻蚀第二刻蚀孔的侧壁而最终形成目标深度的高深宽比结构本发明可保护高深宽比结构底部不被横向刻蚀，从而避免刻蚀过程中横向凹陷的产生，提高器件性能。
高深结构刻蚀方法 mems 器件制作方法

[实用新型]减少刻蚀缺陷的刻蚀结构-CN202223538047.2有效
发明人：李新国;王晶;雷鹏 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种减少刻蚀缺陷的刻蚀结构，包括：基底；位于基底上的刻蚀终结构，刻蚀终结构包括第一刻蚀终结构及第二刻蚀终结构，第一刻蚀终结构包括第一保留结构及第一刻蚀腔，第二刻蚀终结构包括第二保留结构及第二刻蚀腔；第一刻蚀腔的表面积大于第二刻蚀腔的表面积，第一刻蚀腔中形成有至少一个无效结构，两无效结构之间和/或无效结构与第一保留结构之间具有预留空腔。该刻蚀结构避免了大面积开口的刻蚀腔刻蚀时产生过多的刻蚀杂质，从而有效提高产品良率，增加刻蚀设备工作时长及延长刻蚀设备的使用寿命；另外，由于大面积开口的刻蚀腔的微负载效应减小，刻蚀结构中大刻蚀腔与小刻蚀腔的深度
减少刻蚀缺陷结构

[发明专利]一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法-CN202111634798.1在审
发明人：顾大公;夏力;马潇;陈鹏;许从应;毛智彪 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法，该底部抗反射涂层组合物包括以下质量百分比的原料：含芳基的甘脲类低聚物溶液5‑15％、主体树脂0.5‑15％、交联剂0.1‑5％、热敏酸0.1‑1％，余量为有机溶剂该底部抗反射涂层组合物，采用含特殊基团的甘脲类低聚物溶液的作为交联剂。通过改变含芳基的甘脲类低聚物中芳基比例，方便的调整n/k值，大大降低BARC产品在n/k值方面的调整难度，减少光刻胶底部界面出现反射和诸如驻波等问题，提高光刻工艺中线宽解析度，同时可方便的调整BARC产品的刻蚀速率，降低了产品的开发难度，优化其在刻蚀工艺时的性能，具有较大的应用前景。
一种底部反射涂层组合及其制备方法

[发明专利]一种HDI板快速蚀刻组合添加剂-CN201610388559.5有效
发明人：詹有根;徐永和;余军龙;高云芳;潘青 -专利权人：浙江振有电子股份有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种HDI板快速蚀刻组合添加剂，包括缓蚀剂和刻蚀加速颗粒；所述缓蚀剂的质量百分比为10～30％，所述蚀刻加速颗粒的质量百分比为70～90％；所述蚀刻加速颗粒最小粒径为最小刻蚀宽度的1/10～1本发明提供的HDI板快速蚀刻组合添加剂，所述缓蚀剂在金属表面形成缓蚀保护层，所述蚀刻加速颗粒用于打破蚀刻底面的缓蚀保护层，使蚀刻液与蚀刻表面接触，同时，所述蚀刻加速颗粒的亲水性及丰富的孔结构，能加速蚀刻液通过快速达到蚀刻底部表面本发明提供的HDI板快速蚀刻组合添加剂能有效防止侧蚀的发生，并且能够达到快速蚀刻的目的，快速蚀刻底面。
一种 hdi 快速蚀刻组合添加剂

[发明专利]基于气相TMAH的硅刻蚀系统-CN201710539775.X有效
发明人：丑修建;徐方良;何剑;穆继亮;耿文平;侯晓娟;薛晨阳;胡磊;高翔;石树正 -专利权人：中北大学
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，包括：控制系统、传送系统、刻蚀系统和水冷系统；其中，水冷系统用于冷凝TMAH气体；刻蚀系统用于产生TMAH气体以及输送刻蚀气体至刻蚀腔体刻蚀硅片，刻蚀硅片时刻蚀腔内使用的温度为高于TMAH沸点，使TMAH呈气态的状态下对硅进行刻蚀，并且实现了对硅片非刻蚀面上结构实现了有效的保护，保证了硅刻蚀工艺与以完成工艺之间的兼容性。传送系统用于传输以及清洗所刻蚀硅片；控制系统用于控制水冷系统、刻蚀系统、传送系统的协调工作。实验研究证明，该系统实现了硅高速刻蚀的同时得到了较为光滑刻蚀表面，以及达到了同干法刻蚀一样保护了非刻蚀面结构的效果。与此同时，气相刻蚀可以通过增大刻蚀腔体的气压以进一步提高刻蚀速率。
刻蚀刻蚀系统传送系统刻蚀硅片水冷系统刻蚀腔体控制系统硅刻蚀工艺干法刻蚀结构实现刻蚀表面刻蚀气体实验研究系统实现兼容性面结构冷凝沸点硅片腔内光滑气压清洗传输协调保证

[发明专利]自动刻蚀设备-CN201510641837.9有效
发明人：曹宝龙;唐道福;黄双双;李小涌 -专利权人：惠州市特创电子科技有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：一种自动刻蚀设备包括：入板装置、显影装置、第一检查装置、刻蚀装置、第二检查装置、膨松装置、退膜装置及出板装置。刻蚀装置包括刻蚀机构及第二清洗机构，刻蚀机构包括刻蚀传送段及刻蚀组件。刻蚀组件用于向刻蚀传送段上的电路板喷洒刻蚀液。刻蚀传送段包括两排并列设置的刻蚀传送辊，刻蚀传送辊上设置有若干吸液孔，吸液孔用于产生负压，并吸取电路板上的刻蚀液上述自动刻蚀设备通过设置入板装置、显影装置、第一检查装置、刻蚀装置、第二检查装置、膨松装置、退膜装置及出板装置，即可完成整个电路板的刻蚀操作，刻蚀效率较高、自动化程度较高。此外，通过在刻蚀传送辊上设置若干吸液孔，可以提高电路板的刻蚀品质。
刻蚀电路板检查装置刻蚀设备刻蚀装置传送段传送辊吸液孔出板装置膨松装置入板装置退膜装置显影装置刻蚀液并列设置刻蚀效率清洗机构负压两排喷洒自动化

[实用新型]晶圆刻蚀设备-CN201821664178.6有效
发明人：刘洪浩;张文福;高英哲 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆刻蚀设备，包括：刻蚀腔体；与所述刻蚀腔体连接的回收槽，用于存储从所述刻蚀腔体内排出的刻蚀液，并循环输出至所述刻蚀腔体；浓度检测装置，连接至所述回收槽，用于检测所述回收槽内的刻蚀液浓度；补液管路，连通至所述回收槽，与所述浓度检测装置连接，用于当所述回收槽内的刻蚀液浓度低于一设定值时，向所述回收槽内补充初始刻蚀液，所述初始刻蚀液的浓度大于所述回收槽内的刻蚀液浓度。所述晶圆刻蚀设备在刻蚀过程中进入刻蚀腔室内的刻蚀液浓度稳定，可通过刻蚀时间准确控制对晶圆的刻蚀厚度。
回收槽刻蚀液刻蚀腔体刻蚀设备晶圆浓度检测装置刻蚀腔刻蚀本实用新型补液管路刻蚀过程浓度稳定准确控制排出种晶连通存储室内体内输出补充检测

[发明专利]一种刻蚀装置-CN201610589276.7在审
发明人：李明晖;杨晓峰;陈建;刘林;刘俊毅;刘定红 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开一种刻蚀装置，包括壳体，壳体形成缓冲腔室和刻蚀腔室，缓冲腔室和刻蚀腔室之间设置有开关组件，开关组件打开时连通缓冲腔室和刻蚀腔室且待刻蚀件从缓冲腔室进入刻蚀腔室，缓冲腔室内设有控温模块，控温模块用于根据刻蚀腔室的温度调节待刻蚀件的温度，待刻蚀件在门体打开时进入缓冲腔室，控温模块根据刻蚀腔室的温度调节待刻蚀件的温度，使得待刻蚀件的温度向着刻蚀腔室的温度变化，以使待刻蚀件的温度趋向于刻蚀腔室的温度，进而在待刻蚀件从缓冲腔室进入刻蚀腔室后，缩短待刻蚀件刻蚀速率不均匀以及反应速率偏低的时间，保证整个刻蚀工艺时间内刻蚀率的稳定，提高产品良率。
一种刻蚀装置

[发明专利]一种GaN基Micro-LED低损伤刻蚀方法-CN202211084815.3在审
发明人：莫春兰;胡民伟;王立;李新华;陈芳;郑畅达;彭如意;陈湘婷 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基Micro‑LED低损伤刻蚀方法，包括：在GaN基Micro‑LED上形成刻蚀掩膜，以及对GaN基Micro‑LED进行刻蚀，特征是：对GaN基Micro‑LED刻蚀分为四个步骤，①钝化：通入钝化气体在刻蚀掩膜和GaN基Micro‑LED的表面生成一层聚合物作为钝化膜；②刻蚀：使用主刻蚀气体对钝化膜进行刻蚀，完成对钝化膜刻蚀后，继续对GaN基Micro‑LED进行刻蚀；③清扫：通入惰性气体对表面进行清扫；④以钝化‑刻蚀‑清扫的方式循环进行，最终完成刻蚀；所述刻蚀方式为Cl基气体对钝化层和需刻蚀层一同刻蚀，利用刻蚀的各向异性，完成对GaN基Micro‑LED低损伤刻蚀。本发明在刻蚀GaN的过程引入能产生聚合物的钝化气体，最大可能地保护刻蚀侧壁，降低了刻蚀损伤对侧壁的影响，最终达到低损伤刻蚀GaN的目的。
一种 gan micro led 损伤刻蚀方法