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[发明专利]一种集成型低温度系数的薄膜电阻及制作方法-CN202310159690.4在审
发明人：刘丹丹 -专利权人：商丘师范学院
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成型低温度系数的薄膜电阻及制作方法，包括NTC薄膜电阻和PTC薄膜电阻，NTC薄膜电阻下方设置有衬底，NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻之间设置有绝缘介质层，NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻均设置有电接触点，NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻通过电接触点串联接线；所述NTC薄膜电阻、PTC薄膜电阻和绝缘介质层均为薄膜结构。借助于掩膜光刻技术分别对NTC薄膜电阻、绝缘介质层以及PTC薄膜电阻进行图案化制作。本发明采用了薄膜电阻结构，并将NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻串联起来，通过调整两者的图案的尺寸使两者的温度系数相互抵消，获得具有低温度系数的复合的薄膜电阻。
一种集成温度系数薄膜电阻制作方法

[实用新型]调整薄膜电阻阻值的组件-CN201821609866.2有效
发明人：林茂;李艳国;陈蓓 -专利权人：广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01C17/245 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种调整薄膜电阻阻值的组件，用于增大薄膜电阻的阻值，包括阻值检测电路及刷子，所述刷子用于去除电阻层的基材，所述阻值检测电路用于检测薄膜电阻的阻值；使用调整薄膜电阻阻值的组件时，利用刷子擦拭薄膜电阻去除电阻层的基材，利用阻值检测电路能够检测薄膜电阻的阻值。检测到薄膜电阻的阻值比设计阻值小时，通过刷子去除电阻层的基材的过程中，阻值检测电路持续检测薄膜电阻的阻值，通过观察薄膜电阻阻值的变化来停止使用刷子除基材，进而方便地控制薄膜电阻的阻值。
薄膜电阻刷子阻值检测电路基材电阻层去除检测本实用新型持续检测刷子擦拭停止使用观察

[发明专利]应变传感器及其应用-CN202111425608.5在审
发明人：李学瑞;李炯利;王刚;罗圭纳;于公奇;王旭东 -专利权人：北京石墨烯技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：应变传感器包括设有安装腔和过线孔的弹性件，过线孔与安装腔连通，弹性件能随应变而变形；包含有惠斯通半桥电路单元的检测模块，惠斯通半桥电路单元设于安装腔内，惠斯通半桥电路单元包括第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻和第四薄膜电阻，第一薄膜电阻和第二薄膜电阻的长度方向相同，第三薄膜电阻和第四薄膜电阻与第一薄膜电阻和第二薄膜电阻垂直设置；第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻和第四薄膜电阻的引线经由过线孔露出于弹性件
应变传感器及其应用

[实用新型]一种新型耐高温薄膜电阻-CN201620162034.5有效
发明人：赵传辉 -专利权人：赵传辉
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元器件领域，具体涉及一种新型耐高温薄膜电阻，它包括金属导热板，所述金属导热板上端设置有薄膜电阻绝缘基板，所述薄膜电阻绝缘基板上端设置有梯形凹槽，所述梯形凹槽内设置有电阻薄膜层，所述电阻薄膜层上端为平面，所述电阻薄膜层两端连接有电极，所述电极连接有外引电极，通过金属导热板很好的导热，使得电子设备产生的热量被传导出薄膜电阻，通过薄膜电阻绝缘基板能很好的使得电阻薄膜层绝缘开，电阻薄膜层很好的安装在梯形凹槽内，增加了薄膜电阻的稳定性，电极能很好的使得薄膜电阻接入电路中，通过外引电极能增加薄膜电阻的连接距离，整个薄膜电阻结构紧凑，设计原理简单，具有很好的导热和隔热性能，值得推广。
一种新型耐高温薄膜电阻

[发明专利]薄膜电阻器的制造方法-CN97111136.7无效
发明人：陈木元;陈泰铭 -专利权人：国巨股份有限公司
申请日： 1997-05-08 - 公布日： 1997-11-26 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：一种薄膜电阻器的制造方法，先提供绝缘基底，再在其上形成覆盖薄膜电阻层和用烧蚀法除掉其一部分，形成成型薄膜电阻层，用印刷法形成导体引线层，或形成成型导体引线层后，才去掉部分覆盖薄膜电阻层形成成型薄膜电阻层，亦可在形成覆盖薄膜电阻层前后对基底划线，形成相连绝缘基底晶片，并在其上形成成型薄膜电阻层及导体引线层，形成相连薄膜电阻晶片后用物理破裂法从基底分出相连薄膜电阻晶片形成分立薄膜电阻晶片。
薄膜电阻器制造方法

[发明专利]薄膜电阻结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法-CN202310075975.X在审
发明人：何鹏;潘林;袁海旭;杨磊 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种薄膜电阻结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法，其中薄膜电阻结构包括：薄膜电阻层；位于所述薄膜电阻层上的第一介质层，所述第一介质层暴露出所述薄膜电阻层的部分表面；金属板，所述金属板与暴露出的所述薄膜电阻层接触所述薄膜电阻结构由所述薄膜电阻层、所述第一介质层和所述金属板堆叠形成，因此有效减少了所述薄膜电阻结构占用的器件空间。另外，所述薄膜电阻层无需通过电极条串接，且所述金属板直接与暴露出的所述薄膜电阻层接触，因此有效降低了所述薄膜电阻结构的制作成本。
薄膜电阻结构及其形成方法半导体

[实用新型]一种薄膜氢气传感器-CN202023155903.7有效
发明人：汪献忠;李建国;张志辉;赫树开 -专利权人：河南省日立信股份有限公司;河南省智仪系统工程有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种薄膜氢气传感器，包括基底，基底模面上设有对氢气敏感的测氢薄膜电阻、对温度敏感的测温薄膜电阻以及加热薄膜电阻；测温薄膜电阻和加热薄膜电阻为具有同一圆心的圆环形结构，测温薄膜电阻上设有一个断开的第一缺口形成第一测温终端和第二测温终端，加热薄膜电阻上设有一个断开的第二缺口形成第一加热终端和第二加热终端，测氢薄膜电阻设置测温薄膜电阻和加热薄膜电阻当中测氢薄膜电阻为并线双螺旋结构。本实用新型的薄膜氢气传感器相对结构简单，且制作工艺简单，周期短，成本可控，稳定可靠性强，可满足在氢燃料电池汽车应用中的成本要求。
一种薄膜氢气传感器

[发明专利]一种薄膜电阻器及其制备方法-CN201910383849.4有效
发明人：杨俊锋;庄彤;丁明建;刘宇鹏;赖辉信 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明涉及电阻元件技术领域，尤其涉及一种薄膜电阻器及其制备方法。本发明提供的薄膜电阻器，包括基板、薄膜电阻层和电极层；所述薄膜电阻层包括NbN薄膜层和TaN薄膜层；所述NbN薄膜层与基板接触，所述TaN薄膜层与电极层接触。本发明所述的薄膜电阻层通过将NbN薄膜和TaN薄膜复合，可以显著提高氮化钽电阻材料的功率密度；根据实施例的记载，本发明所述的薄膜电阻器的功率密度可达到12.2～17.6W/mm2，较TaN薄膜单独作为电阻材料层时的功率密度提高了50～120％。
一种薄膜电阻器及其制备方法

[发明专利]薄膜电阻阻值调整方法及系统、PCB电路板、印制设备-CN202211415504.0在审
发明人：林荣富;郑李娟;王成勇;关志锋;唐有军 -专利权人：珠海杰赛科技有限公司;广东工业大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜电阻阻值调整方法及系统、PCB电路板、印制设备。其中，薄膜电阻阻值调整方法包括：获取成型薄膜电阻的目标电阻阻值、实际电阻阻值、宽度值和工艺方阻值；在实际电阻阻值大于目标电阻阻值的情况下，对目标电阻阻值和实际电阻阻值进行差值计算处理得到电阻阻值偏差值；根据电阻阻值偏差值、宽度值和工艺方阻值进行计算处理得到长度设计值；根据长度设计值在成型薄膜电阻上印制表面电阻。根据本发明实施例的方案，能够通过在成型薄膜电阻上并联具有长度设计值的表面电阻，使得成型薄膜电阻的局部阻值失效，以调小成型薄膜电阻的阻值，将偏大的成型薄膜电阻阻值调整至合格范围，提高产品的合格率。
薄膜电阻阻值调整方法系统 pcb 电路板印制设备

[发明专利]一种薄膜氢气传感器、制作方法及工作方法-CN202011550706.7在审
发明人：汪献忠;李建国;张志辉;赫树开 -专利权人：河南省日立信股份有限公司;河南省智仪系统工程有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种薄膜氢气传感器、制作方法及工作方法，包括基底，基底模面上设有对氢气敏感的测氢薄膜电阻、对温度敏感的测温薄膜电阻以及加热薄膜电阻；测温薄膜电阻和加热薄膜电阻为具有同一圆心的圆环形结构，测温薄膜电阻上设有一个断开的第一缺口形成第一测温终端和第二测温终端，加热薄膜电阻上设有一个断开的第二缺口形成第一加热终端和第二加热终端，测氢薄膜电阻设置测温薄膜电阻和加热薄膜电阻当中测氢薄膜电阻为并线双螺旋结构。本发明的薄膜氢气传感器相对结构简单，且制作工艺简单，周期短，成本可控，稳定可靠性强，可满足在氢燃料电池汽车应用中的成本要求。
一种薄膜氢气传感器制作方法工作方法

[发明专利]调整半导体结构中的薄膜电阻层的阻值的方法-CN202011251737.2在审
发明人：张维峻;符云飞;张幼弟;黄清俊;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种调整半导体结构中的一薄膜电阻层的阻值的方法，包含形成该薄膜电阻层，其中该薄膜电阻层材质包含氮化钛，该薄膜电阻层具有一原始阻值，在该薄膜电阻层上方形成一具有拉力的掩模层，且该具有拉力的掩模层改变该薄膜电阻层的一晶格尺寸，使得该薄膜电阻层的一晶格尺寸变大，并且降低该薄膜电阻层的该原始阻值。
调整半导体结构中的薄膜电阻阻值方法

[发明专利]金属电阻器装置及其制造方法-CN02805449.0无效
发明人：河朝雄;金承贤;李东洙;禹贤廷;朴东衍 -专利权人：伊诺斯泰克有限公司
申请日： 2002-02-22 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属电阻器及其制造方法。第一绝缘薄膜形成在基体上，光敏薄膜作用在绝缘薄膜上，通过使绝缘薄膜形成图案而形成绝缘薄膜图案。金属薄膜在绝缘薄膜图案内和光敏薄膜内形成后，除去光敏薄膜，在绝缘薄膜图案内形成金属薄膜图案。在金属薄膜图案和绝缘薄膜图案上，形成第二绝缘薄膜，在金属薄膜图案的衬垫区连接有导线，然后制成金属薄膜电阻器，其上具有在导线上和导线周围的保留薄膜。通过蚀刻绝缘薄膜，利用图案形成工艺，以形成金属薄膜图案，可以克服装置的磨损或者寿命降低的问题，易于控制金属薄膜电阻器的电阻，通过制造高电阻的金属薄膜电阻器温度，可以提高灵敏度，所述电阻器具有减小线宽的金属薄膜图案
金属电阻器装置及其制造方法

[发明专利]用于集成电路的可调电阻薄膜电阻器-CN202110980560.8在审
发明人： C-J·古;B·塞尔;P-H·王 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：公开了用于集成电路的可调电阻薄膜电阻器、相关系统和制作方法。这样的可调电阻薄膜电阻器包括耦接至电阻薄膜的电极，该电阻薄膜包括基础金属氧化物和第二金属元素。所述电阻器是可基于该电阻薄膜的成分中的第二金属元素的浓度而调节的。
用于集成电路可调电阻薄膜电阻器

[发明专利]电调制改变电阻的实现方法及可变电阻器件-CN200610127448.5无效
发明人：连贵君;熊光成 -专利权人：北京大学
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电调制改变异质结构薄膜样品电阻的实现方法，即将导电电阻薄膜设置在低电阻的半导体衬底上，通过施加并调制垂直于半导体和导电电阻薄膜之间界面的电压，改变导电电阻薄膜的水平方向电阻值。本发明还提供一种电调制改变电阻的器件，包括导电电阻薄膜，导电电阻薄膜设置在半导体衬底上，在导电电阻薄膜上设置两个水平电极，在半导体衬底上设置第三个电极，在半导体衬底和导电电阻薄膜之间设置调整电路。
调制改变电阻实现方法可变器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03101095.4有效
发明人：椎木美香 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2003-01-10 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：提供了一种具有精确的分压比和小的电阻值温度系数的高精度增殖电阻电路，并利用此增殖电阻电路来提供具有高精度和小温度系数的半导体器件。例如，提供了诸如电压探测器和调压器之类的半导体器件。使薄膜电阻器上的导体以及薄膜电阻器下方的导体的电位几乎等于采用薄膜电阻器的增殖电阻电路中各个薄膜电阻器的电位。此外，若多晶硅被用于薄膜电阻器中，则借助于使多晶硅薄膜电阻器的薄膜厚度薄，以及借助于使引入到多晶硅薄膜电阻器的杂质为p型，抑制了电阻值的分散，且消除了电阻值的温度依赖性。
半导体器件及其制造方法

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