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[发明专利]双重光刻胶及其处理方法-CN201210101344.2有效
发明人：胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：一种双重光刻胶，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层、第二光刻胶层，所述第一光刻胶层为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第二光刻胶层与第一光刻胶层反性，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层在同一曝光过程中曝光，所述正光刻胶层为含硅的水溶性正光刻胶。本发明还提供了该双重光刻胶的处理方法。采用本发明的技术方案，通过采用含氟的刻蚀气体对含硅的水溶性正光刻胶具有较高的选择比，使得双重光刻胶图案之间的转移更精准，提高了工艺的可控性。
双重光刻及其处理方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310046118.7在审
发明人：李伟峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体结构及其制造方法中，由于在具有缺陷结构的衬底的顶表面上依次形成第一光刻胶材料层和图案化的第二光刻胶层，并使第一光刻胶材料层覆盖所述缺陷结构，且第二光刻胶层和第一光刻胶材料层的正负性不同如此第一光刻胶材料层不仅能够平整化衬底顶表面，使形成在第一光刻胶材料层上的第二光刻胶层更具平整化，改善光刻工艺环境。如此可以第二光刻胶层为掩膜，通过简单便捷的第二光刻工艺在第一光刻胶材料层以去除多余的第一光刻胶材料层，以将第二光刻胶层的图案复制至第一光刻胶层，层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层构成光刻胶图案层，如此提升了制造半导体结构的效率
半导体结构及其制造方法

[发明专利]3D存储器件中台阶结构的形成方法-CN201910932697.9在审
发明人：程潇;方超;袁文旭;袁元;高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了一种3D存储器件中台阶结构的形成方法，包括：在衬底上形成第一叠层结构；在第一叠层结构上形成光刻胶层，其中，光刻胶层至少包括第一光刻胶层和第二光刻胶层；根据光刻胶层刻蚀第一叠层结构形成多级台阶；其中，第一光刻胶层的形成方法包括：在基底上涂覆光刻胶形成第一初始光刻胶层，对第一初始光刻胶层进行第一烘烤；第二光刻胶层的形成方法包括：对第一光刻胶层进行预润湿，在第一光刻胶层表面上涂覆光刻胶形成第二初始光刻胶层；对第二初始光刻胶层进行第二烘烤。所述方法通过分段涂覆光刻胶提高光刻胶层的厚度，可以通过一道光刻工艺形成更多的台阶级数，减少3D存储器件制造中的光刻工艺步骤，提高工艺的稳定性，降低工艺成本。
光刻胶层叠层结构光刻胶涂覆存储器件烘烤光刻工艺步骤多级台阶工艺成本光刻工艺预润湿中台阶衬底基底刻蚀分段制造

[发明专利]曝光方法-CN202210826955.7在审
发明人：刘志成 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层，第一光刻胶层包含第一比例的光致酸产生剂；在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，第二光刻胶层包含第二比例的光致酸产生剂；在第二光刻胶层上形成第三光刻胶层，第三光刻胶层包含第三比例的光致酸产生剂，第一比例和第三比例的值均大于第二比例的值；以掩模板为掩膜，使用光源产生的光一次性曝光第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层，形成位于第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层内的沟槽可以降低第二光刻胶层与光的反应，加快第一光刻胶层和第三光刻胶层与光的反应，从而平均三个光刻胶层与光的反应，使得最后形成的沟槽的侧壁是笔直的。
曝光方法

[发明专利]光刻胶的去除方法-CN201210501786.6有效
发明人：高腾飞;荆泉;孙建;吕煜坤;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶的去除方法，用于去除半导体衬底上的光刻胶层，所述光刻胶层经过离子注入工艺，包括：利用光学线宽仪，测量离子注入后掺杂的光刻胶层的厚度；利用离子注入工艺前的光刻胶层的厚度，减去掺杂部分的光刻胶层的厚度，获得未掺杂的光刻胶层的厚度；设置掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺参数，用于去除掺杂的光刻胶层；设置未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺参数，用于去除未掺杂的光刻胶层；在执行所述掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺和未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺时，实时反馈修正所述掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺和未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺时间。本发明能够精确地控制每一半导体衬底上的光刻胶层的刻蚀时间，提高产品的良率。
光刻去除方法

[发明专利]高深宽比图形的形成方法-CN202010687576.5在审
发明人：杨要华;马立飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：所述形成方法包括：在半导体衬底上形成第一光刻胶层和位于所述第一光刻胶层上的第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行曝光和显影工艺，以将光罩上的目标图案转移至所述第二光刻胶层上，形成图案化的第二光刻胶层；以所述图案化的第二光刻胶层为掩膜层，对所述第一光刻胶层进行曝光和显影工艺，以将所述第二光刻胶层上的图案转移到所述第一光刻胶层上。由于本发明先在半导体衬底上形成一层预设厚度的第一光刻胶层，再在所述第一光刻胶层上形成厚度小于第一光刻胶层厚度的第二光刻胶层，之后采用不同光源对其分别曝光显影，从而避免了光刻胶层曝光显影不充分，导致形成在衬底上的光刻胶层的景深小的问题
高深图形形成方法

[发明专利]光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构-CN202111515560.7在审
发明人：曹堪宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构，光刻胶图案的形成方法包括，在目标层上形成光刻胶结构，光刻胶结构包括设置在目标层上的光刻胶层、以及设置在光刻胶层上的光波传输层；在第一介质中对光刻胶结构进行曝光处理，在光刻胶层形成曝光图像，光波传输层用于提升光刻胶层的光刻分辨率。在本公开中的光刻胶图案的形成方法，通过光波传输层提高曝光图像的分辨率，提高光刻胶图案的精度。
光刻图案形成方法胶结

[发明专利]图形化光刻胶层的形成方法、晶圆级芯片封装方法-CN201310463712.2在审
发明人：陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种图形化光刻胶层的形成方法、晶圆级芯片封装方法，该封装方法在制作用来形成再布线的图形化光刻胶层中，先在基底上涂敷第一粘度的第一光刻胶层，所述第一粘度小于100cp，使得第一光刻胶层为低粘度光刻胶层，再在第一光刻胶层上涂敷第二粘度的第二光刻胶层，所述第二粘度大于第一粘度，然后再对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光、显影，由于低粘度光刻胶层的黏附性比高粘度光刻胶层的黏附性弱，因此，本发明中的图形化光刻胶层比现有图形化光刻胶层更容易被去除，使得位于通孔内的图形化光刻胶层不会有残留
图形光刻形成方法晶圆级芯片封装

[发明专利]用于光刻胶的曝光后烘焙的方法和设备-CN200680018005.0无效
发明人： K·埃里安;M·塞巴德 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在用于对化学增强光刻胶层进行图样化的方法中，在衬底上提供光刻胶层，光刻胶层包括具有第一溶解度的第一状态的光刻胶分子。将光刻胶层的预定区域暴露到第一辐射中，以在光刻胶层的所暴露的预定区域中生成催化物。将光刻胶层暴露到第二辐射中，并将光刻胶层的预定区域中的光刻胶分子从第一状态转换到具有第二溶解度的第二状态，光刻胶分子的转换通过催化物来催化，以及光刻胶分子的催化转换的活化能通过光刻胶分子中对第二辐射的吸收来降低用预定的显影剂来显影光刻胶层。
用于光刻曝光烘焙方法设备

[发明专利]双重光刻胶结构及其处理方法-CN201210101490.5有效
发明人：胡华勇;伍强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：一种双重光刻胶结构，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层反性，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间形成有中间层，所述中间层用于防止正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散此外，本发明还提供了该双重光刻胶结构的处理方法。采用本发明的技术方案，可以避免正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散，影响双重光刻胶上的图案的精细程度，同时由于蚀刻选择比的提高，上层光刻胶图形转移到下层光刻胶的保真度得以提高。
双重光刻胶结及其处理方法

[发明专利]减少光刻胶使用量的方法及其应用-CN202211618295.X在审
发明人：余亮;高晓义 -专利权人：上海飞凯材料科技股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少光刻胶使用量的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻胶湿膜；加热所述第一光刻胶湿膜，得到第一光刻胶层；通过第一印刷网版在所述第一光刻胶层上印刷，得到第二光刻胶湿膜；加热所述第二光刻胶湿膜，得到第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层具有开孔；以及对所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层的叠加区域通过光掩膜版进行对准曝光，然后显影，以使显影后的所述第二光刻胶层和显影后的所述第一光刻胶层共同形成图形化光刻胶层，其中，所述图形化光刻胶层具有孔隙。本发明能够减少光刻胶的使用量。本发明还提供了一种所述的减少光刻胶使用量的方法在半导体先进封装制程中的应用。
减少光刻使用方法及其应用

[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置-CN201710329127.1有效
发明人：李海旭;曹占锋;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置，该方法包括：形成平坦化层；在平坦化层上形成透明导电氧化物层和金属层；在金属层上涂布光刻胶，并对光刻胶进行构图，形成光刻胶全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶全去除区；刻蚀掉光刻胶全去除区内的金属层；采用灰化工艺，去除光刻胶半保留区内的全部光刻胶以及光刻胶全保留区域的部分光刻胶；刻蚀掉光刻胶全去除区内的透明导电氧化物层，形成透明导电氧化物层图形；刻蚀掉光刻胶半保留区内的金属层，形成金属层图形；剥离光刻胶全保留区内的光刻胶。本发明中，在进行灰化工艺之前，并不湿刻掉光刻胶全去除区内的透明导电氧化层，在进行灰化工艺时，透明导电氧化层对平坦化层进行保护。
一种阵列制作方法显示装置

[发明专利]混合光刻胶、金属电极的制备方法-CN202310176660.4在审
发明人：孙铮 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2023-02-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请提供一种混合光刻胶、金属电极的制备方法，涉及发光技术领域。该混合光刻胶的原料包括负性光刻胶和消光光刻胶，两者体积比为(2.5‑3.5)：1。金属电极的制备方法包括：在设定结构表面使用负性光刻胶进行第一涂覆，得到第一光刻胶层；继续使用混合光刻胶进行第二涂覆，得到第二光刻胶层；对双层光刻胶层进行曝光，得到具有设定图案的双层光刻胶层；在具有设定图案的第二光刻胶层上设置金属层；对金属层下的双层光刻胶层进行剥离，得到金属电极。
混合光刻金属电极制备方法

[发明专利]形成掩模图案的方法-CN200710187587.1无效
发明人：郑宇荣;沈贵潢 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：根据本发明，在衬底上形成负性光刻胶层。曝光负性光刻胶层的一些区域。使曝光的负性光刻胶层显影。在含有负性工作光刻胶层的衬底上形成正性光刻胶层。烘焙衬底使得氢气在负性工作光刻胶层的边界部分扩散进入正性光刻胶层。显影其中扩散有氢气的正性光刻胶层。
形成图案方法

[发明专利]一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置-CN201810097795.0在审
发明人：胡海峰;张明;丁贤林;马伟杰;刘欢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置，该制作方法包括：在基底上形成膜层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形，第二光刻胶图形位于第一光刻胶图形的至少相对的两侧，与第一光刻胶图形间隔设置；对待构图的膜层进行湿刻，使得第一光刻胶图形和第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀，第二光刻胶图形下方的膜层从基底上脱离，第一光刻胶图形下方的膜层形成膜层图形采用上述方法形成的膜层图形，能够避免底切问题，从而提高了显示产品良率及性能。
光刻胶图形膜层膜层图形显示基板显示装置掩膜版基底制作光刻胶层间隔设置显示产品刻胶层底切刻蚀良率显影曝光脱离

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