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[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法-CN201910342868.2在审
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液和补给液，其中补给液包括溶解剂、第二缓冲液、第二螯合剂以及第二抑制剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀液刻蚀组合补给液缓冲液抑制剂螯合剂刻蚀双氧水醇类物质去离子水显示面板调节剂对基板良品率溶解剂腐蚀

[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法-CN201910336342.3有效
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、有机酸、无机酸、调节剂、稳定剂、抑制剂、醇类物质、消泡剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液以及补给液；所述补给液包括溶解剂、第二有机酸、第二稳定剂、第二抑制剂以及第二消泡剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀组合以及方法

[发明专利]湿法刻蚀系统及湿法刻蚀方法-CN201710024793.4在审
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了湿法刻蚀系统及进行湿法刻蚀的方法。该系统包括刻蚀液储存装置，所述刻蚀液储存单元包括刻蚀液储罐、刻蚀液出口以及刻蚀液回收口，所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口设置在所述刻蚀液储罐上；刻蚀装置，所述刻蚀单元分别与所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口相连，用于利用所述刻蚀液储罐中的刻蚀液对待刻蚀件进行刻蚀处理；以及金属离子调节装置，所述金属离子调节装置与所述刻蚀液储存装置相连，用于调节所述刻蚀液中的金属离子浓度。该系统可以实现刻蚀液中金属离子浓度的自动调节。
湿法刻蚀系统方法

[发明专利]一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置-CN202210338727.5在审
发明人：刘丹;方亮;黄中浩;刘毅;林鸿涛;吴旭;张淑芳;吴芳 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋装置、刻蚀液管理系统；所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板，所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液，所述喷淋装置用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内，所述刻蚀液槽与刻蚀腔底部连通，所述刻蚀液管理系统用于向刻蚀液中补充原料；所述刻蚀腔上设有主排气管，所述主排气管上设有排气泵；所述刻蚀液槽内设有微波发生器，所述微波发生器用于加热刻蚀液，所述刻蚀液槽上设有附加排气管本发明能够使酸液浓度回升或者保持稳定，保持刻蚀液刻蚀速率稳定，避免刻蚀残留。
一种调节刻蚀浓度湿法装置

[发明专利]一种清洗刻蚀系统-CN201911367094.5在审
发明人：潘浩 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗刻蚀系统，包括清洗刻蚀液供给装置、清洗刻蚀槽和溢流装置，所述清洗刻蚀液供给装置的出液端连接所述清洗刻蚀槽的入液端，所述溢流装置的出液端连接所述清洗刻蚀液供给装置的入液端，其中，所述清洗刻蚀液供给装置用于将经过加热且均匀分布有的清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀槽中；所述清洗刻蚀槽用于利用所述清洗刻蚀液供给装置提供的所述清洗刻蚀液对待清洗刻蚀原料进行刻蚀清洗；所述溢流装置用于将所述清洗刻蚀槽溢流出的所述清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀液供给装置中。本发明所提供的清洗刻蚀系统可以加速刻蚀清洗工艺的进程，促进刻蚀反应的进行，达到提高刻蚀效率和提高清洗效果的目的。
一种清洗刻蚀系统

[发明专利]刻蚀液及刻蚀方法-CN201910338221.2在审
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液及刻蚀方法，该刻蚀液包括去离子水、双氧水、有机酸、胺类物质、弱酸弱碱盐、双氧水稳定剂以及醇类物质。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀液刻蚀双氧水双氧水稳定剂弱酸弱碱盐胺类物质醇类物质去离子水显示面板对基板良品率有机酸腐蚀

[发明专利]刻蚀液及刻蚀装置-CN201910332935.2有效
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液和刻蚀装置，该刻蚀液包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。该刻蚀装置包括存储部，用于存储所述刻蚀液；检测部，用于检测所述存储部中所述刻蚀液是否有气泡；发生部，用于在所述检测部检测到气泡时，发生超声波清除气泡，得到清除气泡后的刻蚀液；喷嘴，用于将所述清除气泡后的刻蚀液涂布在所述基板上，对所述基板进行刻蚀。上述方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀装置

[发明专利]一种湿法蚀刻的刻蚀率改善方法-CN202011024298.1在审
发明人：张楠楠;黄焱誊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法蚀刻的刻蚀率改善方法，包括用于刻蚀作业的刻蚀反应室，所述刻蚀反应室连接刻蚀液供料机构，所述刻蚀液供料机构连接有纯化水供料机构，所述纯化水供料机构根据刻蚀液供料机构内的刻蚀液pH值变化范围向所述刻蚀液供料机构内注入纯化水，保证所述刻蚀液供料机构内的刻蚀液氢离子浓度和氟离子浓度稳定，从而保证进入刻蚀反应室中刻蚀液的氢离子浓度和氟离子浓度稳定，保证刻蚀液刻蚀率稳定性，改善了刻蚀液刻蚀率升高问题。
一种湿法蚀刻刻蚀改善方法

[发明专利]组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法-CN202111203335.X在审
发明人：吴祥;李卫民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明的组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法，可应用于半导体制造中湿法刻蚀非导电性薄膜，其中组合型刻蚀液包括第一刻蚀液及第二刻蚀液，第一刻蚀液用于刻蚀非导电性薄膜，第二刻蚀液含有能够去除第一刻蚀液与非导电性薄膜刻蚀的反应产物的组分，或存在第三刻蚀液，含有用于去除其他的第一刻蚀液刻蚀产物的组分，以实现第一刻蚀液的使用寿命的延长。以刻蚀氮化硅用组合型刻蚀液为例，第一刻蚀液含有磷酸，第二刻蚀液含有含氟化合物；结合刻蚀设备，调整混合反应腔内刻蚀液温度与含水量，含氟化合物通过与磷酸刻蚀产物硅化合物的反应可生成特定的可去除的氟硅化合物，从而可延长第一刻蚀液的使用寿命，减少换酸操作和提高生产效率。
组合刻蚀系统方法

[发明专利]提高刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置-CN201910610959.X在审
发明人：李嘉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：一种提高金属导线制程中刻蚀液使用寿命的方法及金属导线刻蚀装置，包括：提供一刻蚀喷淋槽以及与所述刻蚀喷淋槽连通的刻蚀液槽，所述刻蚀液槽容置有刻蚀液，所述刻蚀液槽还连通一过滤装置，所述过滤装置包括一渗透膜；采用所述过滤装置对所述刻蚀液槽中的所述刻蚀液进行金属离子过滤，使所述刻蚀液中的金属离子浓度在预定使用范围内；将过滤后的部分所述刻蚀液回流至所述刻蚀液槽。本发明能够调节刻蚀液中的金属离子浓度，进一步提高刻蚀液的使用寿命。
刻蚀液过滤装置金属导线金属离子使用寿命刻蚀装置喷淋槽连通过滤槽容置渗透膜刻蚀制程

[实用新型]用于半导体芯片制造的刻蚀装置-CN202121890726.9有效
发明人：陈雅丽 -专利权人：陈雅丽
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型属于芯片制造领域，具体为用于半导体芯片制造的刻蚀装置，包括操作台、晶圆片夹取机构、刻蚀机构和清洗机构，所述刻蚀机构包括刻蚀液储藏箱、刻蚀液水泵、刻蚀液连通管、刻蚀液管道支架和刻蚀液反应池，所述刻蚀液储藏箱设置在所述操作台一侧，所述刻蚀液水泵设置在所述刻蚀液储藏箱内侧底部，所述刻蚀液连通管的一端设置在所述刻蚀液水泵的输出端外侧，所述刻蚀液反应池设置在所述操作台上方。通过本实用新型使用清洗池和流动清洗水相互配合，可以先将从刻蚀反应池中取出的晶圆片放入清洗池，从而快速稀释刻蚀液浓度，降低反应速度，然后再用流动的清洗水对晶圆片进行冲洗，彻底将晶圆片表面的刻蚀液清洗干净。
用于半导体芯片制造刻蚀装置

[发明专利]刻蚀液处理装置-CN201811540513.6在审
发明人：沈海洋 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液处理装置，该装置包括药液槽，用于容纳刻蚀液，刻蚀液用于对基板进行刻蚀；承载槽，用于承载基板以及容纳刻蚀后的刻蚀液；第一药液管，一端与药液槽连接，另一端设置在基板上，第一药液管用于将药液槽中的刻蚀液传输至基板上，使刻蚀液对基板进行刻蚀；第二药液管，一端与药液槽连接，另一端与承载槽连接，第二药液管用于将刻蚀后的刻蚀液传输至药液槽中；检测模块，用于检测刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液是否受到污染，得到检测结果；处理模块，用于根据检测结果，对刻蚀液和/或刻蚀后的刻蚀液进行处理。该方案通过设置检测模块和处理模块，可以提高刻蚀性能以及基板的良品率。
刻蚀液刻蚀药液槽药液管基板处理模块处理装置检测结果承载槽对基板容纳承载基板检测模块刻蚀性能设置检测一端设置传输良品率检测污染

[实用新型]晶圆刻蚀设备-CN201821664178.6有效
发明人：刘洪浩;张文福;高英哲 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆刻蚀设备，包括：刻蚀腔体；与所述刻蚀腔体连接的回收槽，用于存储从所述刻蚀腔体内排出的刻蚀液，并循环输出至所述刻蚀腔体；浓度检测装置，连接至所述回收槽，用于检测所述回收槽内的刻蚀液浓度；补液管路，连通至所述回收槽，与所述浓度检测装置连接，用于当所述回收槽内的刻蚀液浓度低于一设定值时，向所述回收槽内补充初始刻蚀液，所述初始刻蚀液的浓度大于所述回收槽内的刻蚀液浓度。所述晶圆刻蚀设备在刻蚀过程中进入刻蚀腔室内的刻蚀液浓度稳定，可通过刻蚀时间准确控制对晶圆的刻蚀厚度。
回收槽刻蚀液刻蚀腔体刻蚀设备晶圆浓度检测装置刻蚀腔刻蚀本实用新型补液管路刻蚀过程浓度稳定准确控制排出种晶连通存储室内体内输出补充检测

[实用新型]一种导电薄膜喷淋刻蚀装置-CN202223547326.5有效
发明人：臧世伟 -专利权人：重庆金美新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了喷淋刻蚀技术领域中的一种导电薄膜喷淋刻蚀装置，包括刻蚀液供料组件和刻蚀液雾化喷淋组件，刻蚀液供料组件用于制备及存储刻蚀液，其出料端设有调节液体流量的刻蚀液计量泵，刻蚀液雾化喷淋组件包括用于对刻蚀液进行雾化的雾化器、用于对刻蚀液进行喷淋的喷淋腔，雾化器与刻蚀液供料组件连接，位于喷淋腔内的喷淋口通过管道与雾化器连接，用于将雾化后的刻蚀液喷淋至穿过喷淋腔的导电薄膜的表面。本实用新型采用喷淋雾化的方式，对薄膜的表面进行刻蚀，可以避免喷淋刻蚀时对导电薄膜的基层造成损伤，并且刻蚀的效果更加均匀、可控。
一种导电薄膜喷淋刻蚀装置

[实用新型]一种常温湿法刻蚀槽-CN202122084964.7有效
发明人：陈五奎;曹卫宏;耿荣军;陈辉;庞坤 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型所要解决的技术问题是提供一种可在常温状态下的进行湿法刻蚀、便于补充刻蚀液、可根据室温的变化调整刻蚀液的温度、便于调整刻蚀液与硅片接触面的长度的常温湿法刻蚀槽。该刻蚀槽包括刻蚀槽本体，蚀槽本体内设置有隔板，隔板的上端设置有矩形缺口，所述矩形缺口处设置有挡液结构。该刻蚀槽在使用时，先根据硅片与刻蚀液液面的预设距离调整矩形缺口的深度，然后向第一储液腔内加入足量的刻蚀液，并使得第一储液腔内的刻蚀液便会通过矩形缺口流入到第二储液腔内，当第二储液腔内流入一定量的刻蚀液时，停止向第一储液腔内加入刻蚀液，然后启动其他程序进行刻蚀，操作简单，适合在湿法刻蚀技术领域推广应用。
一种常温湿法刻蚀

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