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[发明专利]刻蚀方法-CN200910076643.3有效
发明人：白志民 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，包括：初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，所述初刻蚀采用氟基气体和氯基气体的混合气体形成等离子体。所述氟基气体包括CF4、CH2F2、CHF3中的一种或至少两种的组合，所述氯基气体包括Cl2、CH2Cl2、CH3Cl中的一种或至少两种的组合。本发明所述的刻蚀方法，在初刻蚀步骤中增加氯基气体如Cl2作为刻蚀气体，使得Dense区图案中线条线宽的缩小量比Iso区图案中线条线宽的缩小量更大，这一趋势与PR-loading效应导致的Dense区图案中线条线宽比
刻蚀方法

[发明专利]碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法-CN201910551761.9有效
发明人：黄健;黄柘源;胡艳;邹天宇;唐可;尚艺;别佳瑛;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底‑半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
碲锌镉晶体电感耦合等离子体刻蚀工艺方法

[发明专利]一种硬掩膜组合物及其制备方法、形成图案的方法-CN202111287637.X在审
发明人：王静;毛鸿超;宋里千 -专利权人：厦门恒坤新材料科技股份有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种硬掩膜组合物及其制备方法、形成图案的方法，所述硬掩膜组合物中包含一种具有极高碳含碳量的聚合物，所述聚合物由芘衍生物与高碳含量的二元醇缩合而成，使得聚合物的烷基氢数量达到最少而芳香环数达到最大在刻蚀时，碳硬掩膜层的碳含量极度高、氢原子含量极度低时，可以赋予由其形成的硬掩膜对于碳氟化合物类的刻蚀气体的耐刻蚀性，能够减弱使用氟碳类的干法刻蚀气体刻蚀时出现的图案扭曲或弯曲现象。同时，本发明提供的用于硬掩膜组合物的聚合物因为具有刚性的稠环结构，可显示出优异地耐热性能。
一种硬掩膜组合及其制备方法形成图案

[发明专利]封装方法及显示屏-CN201711484224.4有效
发明人：刘世奇;铃木浩司;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：上述的封装方法包括：将缓冲层膜层和半导体膜层成型于基板上；制备第一金属绝缘组合结构层，其中第一金属绝缘组合结构层包括第一层间绝缘层和第一金属膜层；采用成像工艺和干法刻蚀工艺对第一金属绝缘组合结构层进行刻蚀，以形成第一金属层图案，第一金属层图案具有多个网格通孔，多个网格通孔呈矩阵式分布；制备第二金属绝缘组合结构层，第二层间绝缘层包括至少一层抗湿液刻蚀层；采用成像工艺和干法刻蚀工艺对第二金属绝缘组合结构层进行刻蚀
组合结构绝缘封装金属绝缘层显示屏干法刻蚀工艺第一金属层成像工艺烧结材料网格通孔刻蚀制备图案半导体膜层层间绝缘层防分离结构矩阵式分布侧壁凹槽缓冲层膜金属膜层使用寿命凸台结构第三层第一层刻蚀层嵌入式烧结层高粘基板抗湿粘接成型保证

[发明专利]一种碳基填充材料的制备方法-CN202110151377.7在审
发明人：胡昆兵 -专利权人：深圳瑞君新材料技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H05K3/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳基填充材料的制备方法，将碳与二氧化硅经交联后进行煅烧处理，采用腐蚀溶液去除二氧化硅，得到载体；将载体进行刻蚀，刻蚀出贯通的刻蚀孔，在载体上采用传统方法沉积形成硅晶体层，作为基体；制备填充固化性组合物，将丙烯酸聚合物、丙烯酸单体和马来酰亚胺进行混合；将固化性组合物填充于刻蚀孔内烘干干燥，使固化性组合物固化，放置焊料，再次填充固化性组合物，烘干干燥，得到填充材料层，本发明提供的碳基填充材料的制备方法
一种填充材料制备方法

[发明专利]一种等离子分流盘的洗净剂组合及洗净方法-CN202211723252.8在审
发明人：刘志彪;祝建敏;李长苏;王少凡;陶筱林 -专利权人：杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子分流盘的洗净剂组合，属于半导体技术领域。所述洗净剂组合包括煮沸洗净剂W1、加压刻蚀洗净剂W2。其中，所述煮沸洗净剂W1为溶有无机碱、无机盐和表面活性剂的有机醇溶液；所述加压刻蚀洗净剂W2为溶有强氧化剂和刻蚀调节剂的含氟酸溶液。本发明还公开了利用上述洗净剂组合对等离子分流盘进行洗净的方法，包括煮沸洗净、兆声洗净、加压刻蚀洗净、DHF洗净、SC1洗净和SC2洗净。本发明的洗净剂组合用于经机加工后的等离子分流盘产品的洗净，可有效去除产品表面有机物、金属离子及颗粒物，实现产品超高表面洁净度。
一种等离子分流洗净组合方法

[发明专利]基片刻蚀方法-CN201310738342.9在审
发明人：李宗兴;谢秋实 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-29 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤主刻蚀步骤，向反应腔室中通入主刻蚀气体和辅助气体，所述辅助气体为可提高轰击性和/或刻蚀选择比的气体或气体组合，并随着本步骤的工艺时间的增加，按预定规则调节一种或多种工艺参数；形貌修饰步骤，用于修饰基片上刻蚀图形的形貌。本发明提供的基片刻蚀方法，其在能够获得理想的基片上刻蚀图形的形貌的前提下，可以提高工艺的可移植性和重复性。
刻蚀方法

[发明专利]一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液-CN201510353482.3在审
发明人：姚明秋;唐彬;杨杰;席仕伟 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液。所述的刻蚀方法首先在单晶硅片表面通过热氧化方法生长一层氧化硅，再通过光刻方法在单晶硅片表面形成待刻蚀图形，随后将单晶硅片上待刻蚀图形表面的氧化硅腐蚀干净，之后将单晶硅片浸入加热后的单晶硅刻蚀液中完成刻蚀所述的刻蚀液为组合物，包括四甲基氢氧化铵、曲拉通、异丙醇和水。所述的刻蚀对象为单晶硅（100）。通过本发明的单晶硅刻蚀液及刻蚀方法获得的凸角侧蚀与刻蚀深度比可达0.39，刻蚀表面粗糙度为1.27nm。通过调节本发明的刻蚀液的各组分含量能有效控制刻蚀形貌，实现高精度微结构加工。本发明的单晶硅刻蚀液具有与CMOS兼容、可精确控制刻蚀深度、低毒性、低污染的优点。
一种单晶硅刻蚀方法

[发明专利]特别用于应变或应力硅材料的刻蚀组合物、表征这种材料表面上的缺陷的方法，和用刻蚀组合物处理这种表面的工艺-CN200980113811.X有效
发明人： A·达巴迪;B·科尔贝森;J·梅尔里斯 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种适于处理各种含硅表面，包括在绝缘体表面上的应变硅以及应力硅表面的无铬刻蚀组合物。本发明的新型和独创的刻蚀组合物包含氢氟酸、硝酸、乙酸和优选为碘化钾的碱金属碘化物。
特别用于应变应力材料刻蚀组合表征这种表面上缺陷方法处理表面工艺

[发明专利]一种双氧水系金属刻蚀组合物及其制备方法-CN202210507575.7在审
发明人：徐帅;李闯;张红伟;胡天齐;黄海东;王毅明 -专利权人：江苏和达电子科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及IPC分类的C23F领域，尤其涉及一种双氧水系金属刻蚀组合物及其制备方法。组合物由主剂和辅剂混合组成；所述主剂，包括以下成分：过氧化氢，有机酸，有机碱，稳定剂，氮唑类和去离子水；所述辅剂，包括以下成分：有机酸，有机碱，稳定剂，氮唑类和去离子水。组合物有较高的铜离子负载能力，同时因为不含有氢氟酸，硝酸等强酸性物质，避免了对于刻蚀物的腐蚀性，刻蚀后的金属膜层具有适宜角度，不存在倒角，线宽损失低(小于等于0.5μm)，最高铜载量大于等于14000ppm，适宜在刻蚀液领域推广。
一种双氧水金属刻蚀组合及其制备方法

[发明专利]粘结的促进-CN200810190986.8无效
发明人： A·艾格利;尹志伟;黄永光 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种粘结的促进以及镍和镍合金层的刻蚀方法，尤其涉及半导体集成电路装置中模具与镀镍引线框架间的粘结促进。刻蚀组合物包括无机酸和杂环氮化合物。另外，上述刻蚀方法可以包括阳极刻蚀镍或镍合金层。
粘结促进

[发明专利]一种非均匀等高梯度细胞捕获芯片的制备方法-CN201510922170.X有效
发明人：刘侃;项坚真;陈婷;方义;邹恒 -专利权人：武汉友芝友医疗科技股份有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非均匀等高梯度细胞捕获芯片的制备方法，其步骤1、基底的选择及处理基底是玻璃、石英或者硅；清洗，去除玻璃表面的油污等杂质；2、刻蚀掩膜制备对玻璃基底进行烘干处理，得到要刻蚀的区域；3、湿法刻蚀将选择的基底经过刻蚀掩膜处理后，按照旋转速率将基底旋转放入到刻蚀液中，使基底在刻蚀液中的旋转角度，得到不同等高面的非均匀等高梯度的结构。4、打孔；5、盖片与基底的组合制备微流芯片选取盖片与基底进行组合制备微流芯片，得到具有得到不同等高面的非均匀等高梯度细胞捕获芯片。
一种均匀梯度细胞捕获芯片制备方法

[发明专利]曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序-CN200580039229.5无效
发明人：泽井和夫;园田明弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，剥离抗蚀剂图形，通过散射测量技术测定上述多个部位的被刻蚀膜的图形的形状，根据逐次曝光的曝光量以及聚焦值、抗蚀剂图形的线宽和刻蚀图形的线宽，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围
曝光条件设定方法衬底处理装置计算机程序

[发明专利]一种新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物及其应用-CN201810892261.7有效
发明人：邓海;张妍 -专利权人：珠海雅天科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物及其应用，所述树脂组合物制得的光刻胶线条高宽比大于3，所述树脂组合物包括至少一种含有苯乙烯、苯乙烯的衍生物、含有脂环烷烃的丙烯酸酯类化合物和本发明还包括上述新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物在光刻领域的应用。与现有技术相比，本发明方案的新型高宽比大于三的半导体光刻用抗刻蚀树脂组合物具有制备工艺简单、制造成本低廉且应用前景广等优点。
一种新型大于半导体光刻刻蚀树脂组合及其应用

[发明专利]一种相变材料的干法刻蚀方法-CN201010619487.3无效
发明人：夏梦姣;饶峰;宋志棠;吴良才;刘波 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变材料的干法刻蚀方法，采用离子束干法刻蚀，该方法包括以下步骤：步骤一，在氧化硅衬底上磁控溅射生长相变材料薄膜；步骤二，经过清洗、涂胶、前烘、曝光、显影步骤后，得到刻蚀准备片；步骤三，利用含氟气体与辅助气体，在刻蚀气压为20~80mTorr、刻蚀功率为150~300W的条件下刻蚀后，得到流片；步骤四，将刻蚀完成的流片去胶后进入下一道工序。通过对各种气体配比、气压、功率、时间等刻蚀参数的控制及它们的不同组合，得到良好的刻蚀侧壁及表面形貌，为后续工艺做好准备，使器件达到更精准的水平。
一种相变材料刻蚀方法