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[发明专利]一种具备核壳结构的转移印章及其制备方法-CN202310326456.6在审
发明人：严群;郎太福;林畅;林鑫;卢玉;潘魁;孙捷;黄忠航;杨天溪;张恺馨;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室;福州大学;晋江市博感电子科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章，包括软壳、硬核和基板层；所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层，包覆于具有高机械强度的硬核之外，构成转移头；所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。
一种具备结构转移印章及其制备方法

[发明专利]基于Micro-LED自发热原位结晶钙钛矿量子点的色转换方法-CN202110853100.9有效
发明人：叶芸;段燕宇;郭太良;秦新智;陈恩果;徐胜 -专利权人：闽都创新实验室;福州大学
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Micro‑LED自发热原位结晶钙钛矿量子点的色转换方法，采用过饱和结晶法生长钙钛矿量子点，通过喷墨打印将钙钛矿量子点前驱体溶液打在Micro‑LED阵列上的不良溶剂中进行振荡反应，原位生成钙钛矿量子点溶液；利用Micro‑LED自发热使得钙钛矿量子点原位结晶，覆盖在由黑矩阵隔开的蓝光Micro‑LED阵列上；通过蓝光Micro‑LED激发红绿钙钛矿量子点纳米晶发出红光和绿光，结合蓝光Micro‑LED本身所发出的蓝光，实现一个像素单元的发光，多个重复的像素单元有序排列，即实现Micro‑LED的色转换。该方法的实现工艺及条件简单，且有利于提高钙钛矿量子点纳米晶的性能。
基于 micro led 发热原位结晶钙钛矿量子转换方法

[发明专利]基于电压调制与时间调制协同的高灰阶电润湿显示器件的方法-CN202210512040.9有效
发明人：林志贤;梅婷;林珊玲;郭太良;张永爱;林坚普;赵敬伟;费千懿;王利翔;吴宇航 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明提出一种基于电压调制与时间调制协同的高灰阶电润湿显示器件的方法，首先将输入的图像数据量化为n位四进制，并将行显示周期T划分为n个子周期，同时对各个子周期加权，在同一个子周期内，赋予显示单元四个不同的电压幅值，每个子周期电压幅值不同，且成一定倍数关系，在行显示周期T的显示时间内，依次对各个子周期逐位显示，组成4n的亮度灰度。本发明能够通过幅度调制对驱动电路和显示器件的响应速度要求低的优点，弥补电润湿采用PWM调制因为显示器件不能响应过窄的脉冲而下降的显示质量，同时通过PWM调制驱动电路易实现的优点，弥补电润湿采用幅度调制电路复杂的缺点，实现电润湿电子纸更高灰阶的显示效果。
基于电压调制时间协同高灰阶电润湿显示器件方法

[发明专利]基于全内反射自由曲面的Mini-LED背光模组-CN202210851900.1有效
发明人：陈恩果;叶道春;林梓滨;叶芸;徐胜;郭太良 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全内反射自由曲面的Mini‑LED背光模组，包括自下而上设置的背光单元、扩散膜。背光单元由若干Mini‑LED光源、Mini‑LED底座和自由曲面导光板组成的调光单元构成。所述自由曲面导光板底部为圆柱形，底部圆柱正上方为具有反射和透射功能的锥形自由曲面，使得Mini‑LED发出的部分光线在导光板水平传播，部分光线经由棱环形透射微结构向上准直透射出光。下表面设置有阶梯式光线耦出微结构，在导光板内水平传播的光线经由此结构后准直向上出射。本发明将Mini‑LED光源发出的光通过可准直光线的自由曲面导光板转化为大面积均匀柔和的面光源，省去棱镜膜从而可减薄模组厚度，同时具有较高出光亮度、低功耗及可区域调光的优点。
基于反射自由曲面 mini led 背光模组

[发明专利]LED芯片无损阵列检测装置及方法-CN202110532053.8有效
发明人：吴朝兴;陈荣;郭太良;张永爱;周雄图;王堃;刘晔 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
led 芯片无损阵列检测装置方法

[发明专利]Mini-LED光源内嵌式背光模组-CN202210856865.2有效
发明人：陈恩果;林梓滨;江昊男;叶道春;叶芸;徐胜;郭太良 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini‑LED光源内嵌式背光模组，该背光模组包括自下而上设置的背光单元、下扩散膜、水平棱镜增亮膜、垂直棱镜增亮膜和上扩散膜，背光单元可分为若干个区域调光单元，每个调光单元由反射片、单个Mini‑LED光源和导光板组成。调光单元中位于Mini‑LED光源上方的导光板上的耦合导光微结构为具有反射和透射功能的结构，导光板的下表面设置有网点或者凹槽等微结构，导光板的上表面正中间设置图案化的反射点。本发明通过将Mini‑LED光源发出的光通过导光板上的耦合导光微结构入射到导光板中，通过导光板下表面的微结构以及上表面的反射点的作用，出射形成面光源，在保证均匀性和光效的前提下，减少了光源数量，降低了功耗，同时降低了背光模组的厚度。
mini led 光源内嵌式背光模组

[发明专利]基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法-CN202110973110.6有效
发明人：李福山;郑悦婷;孟汀涛;赵等临;胡海龙;郭太良 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法，通过在LED中利用朗缪尔单层制备技术和转移印刷技术引入高精度图案化的绝缘层，以缩小发光单元尺寸及消除漏电流，可实现高发光效率超高分辨率发光器件的制备。本发明的漏电流阻挡层利用朗缪尔单层制备技术获取，绝缘材料体系局限性小，可选择范围广。利用朗缪尔单层制备技术及转移印刷技术获取的漏电流阻挡层，免去了光刻工艺显影刻蚀过程中的溶剂污染，将其应用于LED中，可降低甚至消除器件中的漏电流，减少能量损耗，实现高效发光，配合RGB单色发光材料或白光发光材料，可实现高分辨率全彩LED点阵。
基于转移印刷绝缘朗缪尔单层高精度图案 led 漏电阻挡及其制备方法

[发明专利]立方型PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法-CN202211580431.0有效
发明人：杨尊先;郭太良;孟宗羿;叶雨亮;陈烨;张辉;张永爱;周雄图;吴朝兴;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
立方 pn snse znse 多阱核壳量子材料制备方法

[发明专利]基于发光颜色判读的湿度探测器及其制备方法-CN202111059987.0有效
发明人：陈恩果;张翔;蔡俊虎;陈安澜;王晨辉;叶芸;张永爱;郭太良 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于发光颜色判读的湿度探测器，包括激发光源层以及钙钛矿量子点叠层；所述激发光源层由可激发钙钛矿叠层的电致发光源组成；所述钙钛矿量子点叠层由对环境湿度敏感度有差异的钙钛矿量子点层叠组成，其中下方的钙钛矿量子点层材料不能激发上方的钙钛矿量子点层材料，不同层的钙钛矿量子点材料均可被底部的激发光源发出的光激发，并且在出射过程中混色。本发明实现根据发光颜色判读的湿度探测。
基于发光颜色判读湿度探测器及其制备方法

[发明专利]适用于近眼显示设备的高效率NanoLED结构及其制作方法-CN202111618293.6有效
发明人：陈恩果;黎垚;郭太良;叶芸;徐胜 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提出一种适用于近眼显示设备的高效率NanoLED结构及其制作方法，由NanoLED发光阵列和梯度折射率膜构成，NanoLED发光阵列由垂直生长在衬底上的相同或不同直径的多个InGaN/GaN纳米柱LED单体组成，并且每个纳米柱LED单体为NanoLED发光阵列的一个显示像素或子像素。纳米柱LED单体多量子阱层辐射出的光束从顶部截面垂直出射，而部分出非垂直方向出射的光束通过覆盖在纳米柱LED单体侧壁外部的梯度折射率膜聚合，其中梯度折射率膜的折射率沿轴心径向增大，可使聚合后的光束趋向于垂直方向出射，进而提高NanoLED发光阵列的出光效率，当不同直径的纳米柱LED单体构成彩色化NanoLED发光阵列时还能有效降低像素间串扰。
适用于显示设备高效率 nanoled 结构及其制作方法

[发明专利]一种实现Micro-LED彩色化投影的光学引擎-CN202210837911.4有效
发明人：陈恩果;严银菓;黎垚;江昊男;叶芸;徐胜;郭太良 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-07-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现Micro‑LED彩色化投影的光学引擎，包括Micro‑LED芯片、驱动电路基板、微透镜阵列、量子点色转换膜、合色棱镜以及投影物镜。所述的Micro‑LED芯片阵列安装在驱动电路基板上，量子点色转换膜紧贴于Micro‑LED芯片阵列上方，微透镜阵列安装在量子点色转换膜上与Micro‑LED芯片阵列一一对应。本发明可实现Micro‑LED单芯片以任意角度合色实现全彩化投影，降低了投影彩色化的成本，具有更大的灵活性和更小的体积。
一种实现 micro led 彩色投影光学引擎

[发明专利]一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法-CN202010535701.0有效
发明人：张永爱;翁雅恋;郭太良;周雄图;吴朝兴;严群;孙捷;林志贤;陈培崎 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
一种全彩三极发光显示器件制造方法

[发明专利]一种超精细化量子点薄膜及其高分辨QLED制备方法-CN202110984773.8有效
发明人：胡海龙;李福山;孟汀涛;赵等临;郭太良 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K71/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种超精细化量子点薄膜及其高分辨QLED制备方法。首先通过光刻方法制备像素bank结构的模板。此外，量子点薄膜通过自组装的方法在PDMS印章上形成。再将上述的PDMS印章和像素bank结构的模板接触并进行加热。PDMS印章在80℃加热过程中粘性减弱，导致所接触部分的量子点被像素bank模板带走，剩余的量子点构成超精细的像素图案。最后将上述的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使超精细像素化的量子点薄膜被转印到空穴传输层上。这里采用的构图技术使量子点薄膜有着超精细的像素点且制备的像素点均匀。最终使QLED器件的像素尺寸可缩小至几微米甚至微米以下，从而获得高亮度的超高分辨率显示像素单元，可应用下一代显示。
一种精细量子薄膜及其分辨 qled 制备方法

[发明专利]一步法转印制备高性能的超高分辨QLED-CN202110984774.2有效
发明人：胡海龙;李福山;孟汀涛;郭太良 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种一步法转印制备高性能的超高分辨QLED。首先制备一种微结构圆柱的PDMS印章，然后将绝缘材料填充至微结构的底部。再将附有绝缘材料的PDMS印章去粘单层的量子点LB膜，使量子点被拾取到微结构顶部。最后将上述印章贴合到空穴传输层上，加热印章使绝缘材料和像素化量子点一起被转印到空穴传输层上。设计和制备不同尺寸印章并且采用转移印刷与LB膜技术相结合的方法，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，并通过在QD像素之间嵌入绝缘材料，作为电荷阻挡层。最终制备的高分辨QLED解决了器件中漏电流问题，这种高性能的超高分辨QLED可应用下一代显示。
一步法印制性能超高分辨 qled

[发明专利]一种纳米板异质结构的CdS-CdTe-CdS量子阱材料及其制备方法-CN202211580457.5有效
发明人：杨尊先;郭太良;洪宏艺;洪泽乾;叶淞玮;程志明;叶芸;吴朝兴;胡海龙;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料及其制备方法，其是以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上生长硫化镉平面，从而制备出纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法和核‑种子侧向壳生长法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，其方便可行，所制备的材料具有连续的PN异质结构、匹配的能带结构、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示和光电探测等材料领域有巨大的应用潜力。
一种纳米板异质结构 cds cdte 量子材料及其制备方法

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