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[发明专利]一种顶针机构水平调节装置-CN202111502482.7有效
发明人：刘祥;宋维聪;睢智峰;封拥军;郑倪明;张晓;王晓炎;崔世甲 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种顶针机构水平调节装置，包括多个顶针机构和多个顶针调节组件，顶针机构包括顶针和顶升结构；顶针调节组件包括竖直位移调节单元和角度调节单元，竖直位移调节单元通过连接件与顶升结构的固定部连接，实现顶针顶点在高度上的调节；角度调节单元的上端与腔体固定连接，下端与竖直位移调节单元固定连接，用于调节顶针与腔体底面的角度。本发明中的装置便于顶针机构的安装且水平度可调，安装时，可实现快速调节顶针与腔体底面的角度，使多个顶针的顶点所在平面处于水平状态；将腔体调节至水平后通过调整支座与腔体底面的角度，可补偿因各设备加工精度不高或装配误差导致顶针顶点在水平度上偏差，降低了对设备加工精度的要求。
一种顶针机构水平调节装置

[发明专利]物理气相沉积材料的方法和设备-CN201811561794.3有效
发明人：周云;睢智峰;张德培 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供物理气相沉积材料的方法和设备。本发明提供一种在腔体内用永磁装置通过直流、交流或脉冲直流磁控溅射将金属氮化物或金属氧化物薄膜沉积到晶圆表面的方法，所述永磁装置配合电磁线圈和软磁环产生初级磁场和次级磁场；其中，所述薄膜沉积所用反应气体通过进气环进入腔体内；其中，所述晶圆放置在加热盘装置上并通过晶圆旋转装置实现晶圆旋转，所述加热盘装置可以分区控制温度，所述加热盘上安装的永磁体或电磁铁装置会形成一个额外的次级磁场，并以此来改善薄膜厚度和应力的均匀性。
物理沉积材料方法设备

[发明专利]半导体填孔真空系统及填孔方法-CN202010298699.X有效
发明人：宋维聪;周云;睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体填孔真空系统及填孔方法，真空系统包括：至少一个晶圆传送腔结构、至少一个化学气相沉积腔结构以及至少一个等离子体刻蚀腔结构；化学气相沉积腔结构用于在待处理晶圆上的孔结构中进行介质膜沉积；等离子体刻蚀腔结构用于对经过化学气相沉积腔结构沉积后的待处理晶圆上的孔结构进行刻蚀。本发明设置晶圆传送腔结构、化学气相沉积腔结构、等离子体刻蚀腔结构，将介质膜沉积到待处理晶圆上的孔结构内，并使用通过刻蚀打开孔结构的闭合开口或者缩小的开口，在不破真空的前提下在同一个真空系统内部的不同腔室里通过交替进行介质膜沉积和刻蚀孔结构的开口的方法，实现优化孔结构的侧壁的介质膜填充。
半导体真空系统方法

[发明专利]可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备-CN202010828541.9有效
发明人：解文骏;睢智峰;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备，包括腔体、载台、载台支撑杆、连接板、气缸、气缸底座、底座固定杆、升降滚动滑轮、联动轴、支撑杆托盘及升降基座；载台支撑杆一端与载台的底部相连接，另一端延伸到支撑杆托盘上；连接板与腔体的底部相连接；气缸位于气缸底座上；底座固定杆一端与气缸底座相连接，另一端与连接板相连接；支撑杆托盘位于升降基座内，且与升降基座相连接，升降基座的一侧开设有运动开口；联动轴一端与气缸相连接，另一端与升降滚动滑轮相连接；升降滚动滑轮经由运动开口自升降基座的外部延伸至升降基座的内部，且升降滚动滑轮的凹槽与运动开口的边缘相对应。本发明可以避免因升降过程中的晃动造成晶圆损伤。
实现平稳升降沉积设备

[发明专利]用于晶圆等离子体刻蚀的方法和设备-CN201910113708.0在审
发明人：周云;解文骏;睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶圆等离子体刻蚀的方法和设备，包括腔体，等离子体产生装置，进气环装置，晶圆加热盘，晶圆旋转装置，磁铁盘装置和屏蔽结构；所述等离子体装置在腔体内产生感应耦合等离子体，所述进气环装置，采用圆环状结构，在圆环内壁有多个出气口，改善工艺气体分布的均匀性；所述晶圆放置在加热盘装置上并通过晶圆旋转装置实现晶圆旋转，所述加热盘的内部装有磁铁盘装置，形成一个额外的磁场，并以此来改善晶圆刻蚀的均匀性。屏蔽结构设置在腔体顶部、靠近介质罩的位置，用于对介质罩的内表面进行部分屏蔽，以避免金属反溅物在介质罩的内壁上形成连续金属镀层，从而保证射频能量耦合和刻蚀工艺的稳定性。
用于等离子体刻蚀方法设备

[发明专利]物理气相沉积填孔设备-CN202010252589.X有效
发明人：宋维聪;周云;睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种物理气相沉积填孔设备，包括腔体、基座、金属罩、内挡板、绝缘筒、磁控溅射装置、射频电磁环、辅助射频电磁环及辅助磁场装置；基座位于腔体内；射频电磁环位于基座内；磁控溅射装置包括靶材承载盘及磁控管，靶材承载盘位于腔体顶部，磁控管位于靶材承载盘上方；金属罩、内挡板和绝缘筒均位于腔体内，且位于磁控溅射装置和基座之间，金属罩、内挡板和绝缘筒沿远离腔体中心的方向依次分布，金属罩和内挡板均包括多个沿纵向延伸且间隔分布的栅格状开口且开口相互错开；辅助射频电磁环和辅助磁场装置均位于腔体和绝缘筒之间。本发明能显著改善深孔填充的台阶覆盖率和薄膜均匀性，有助于提高生产良率及降低生产成本。
物理沉积设备

[发明专利]改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备-CN202010020311.X有效
发明人：宋维聪;周云;睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备，该设备包括腔体、沉积源装置及加热装置；所述沉积源装置位于所述腔体上部，所述加热装置位于所述腔体下部；所述加热装置包括上下叠置的晶圆承载层、加热层及磁场调节层，所述加热层包括多个加热区域，所述多个加热区域用于实现多个不同的加热温度，磁场调节层用于改善沉积薄膜的应力均匀性。本发明的物理气相沉积设备通过改善的结构设计，通过多个加热区域的分区温度控制，由此可以根据晶圆表面不同区域的工艺需要设定不同的工艺温度，并通过磁场调节层的磁场对沉积薄膜的应力均匀性进行进一步的调节，有助于改善沉积薄膜的方阻均匀性和应力均匀性、提高沉积薄膜的品质，提高生产良率。
改善薄膜均匀物理沉积设备

[发明专利]用于厚膜沉积的物理气相沉积设备-CN201911250477.4有效
发明人：宋维聪;周云;睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种用于厚膜沉积的物理气相沉积设备，包括：永磁装置、靶材、晶圆基座、腔壁；还包括腔壁挡板，其一端固定在靶材与腔壁之间，另一端为自由端，腔壁挡板中设有容置冷却管的第一冷却管腔；晶圆遮蔽环，包括垂直部及与水平部，水平部呈环形设置于晶圆上方边缘，垂直部设置于水平部下方外周，垂直部中设有容置冷却管的第二冷却管腔，水平部靠近垂直部的一端设置有凹槽；遮蔽环支持调节装置，包括顶针、顶针环、连杆及传动机构，顶针的一端插入凹槽中，另一端与顶针环固定连接，顶针环通过连杆与设置于外部的传动机构连接，顶针环围在晶圆基座的外周。该设备在沉积过程中可有效实现对晶圆、沉积腔及工艺套件的冷却和控温。
用于沉积物理设备

[实用新型]物理气相沉积等离子体分布调控的永磁装置-CN201822187528.0有效
发明人：周云;睢智峰;张德培 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种物理气相沉积等离子体分布调控的永磁装置，该永磁装置包括百分表、转轴、挡板、上调节板、下调节板、波纹管、永磁装置、弹簧一、螺钉、永磁体和弹簧二。所述的上调节板和下调节板固定在挡板上方；所述转轴一端与上调节板相连，并通过波纹管与挡板固定，所述轴承另一端与永磁装置固定；所述百分表与上调节板相连；所述弹簧一和螺钉固定在上调节板和下调节板之间；通过转轴转动，带动永磁装置旋转。本实用新型装置可以在水平和垂直方向调节永磁体的位置，改善磁场分布，优化膜厚和方阻的均匀性。
上调节板永磁装置挡板下调节板弹簧本实用新型百分表波纹管永磁体转轴垂直方向调节等离子体分布物理气相沉积磁场分布螺钉固定转轴转动螺钉均匀性方阻膜厚轴承调控优化

[实用新型]物理气相沉积腔可调磁控线圈装置-CN201822142990.9有效
发明人：周云;睢智峰;张德培 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种物理气相沉积腔可调磁控线圈装置，包括电磁线圈，或者电磁线圈加软磁环的联合装置。所述的电磁线圈缠绕在线圈固定环内部；所述线圈固定环安装在腔体外侧，靶材下方；所述软磁环，安装在腔体内部或者外部。所述电磁线圈装置，产生次级磁场，通过改变线圈电流大小来调整腔内磁场分布。软磁环安装在电磁线圈附近，通过上下移动软磁环改变电磁线圈产生的磁感应强度，进一步调节次级磁场的分布，改善膜厚和方阻均匀性。
电磁线圈软磁环次级磁场线圈固定电磁线圈装置物理气相沉积本实用新型方阻均匀性磁场分布磁控线圈联合装置腔体内部上下移动线圈电流磁感应调整腔靶材磁环加软可调膜厚腔体缠绕外部

[实用新型]物理气相沉积使用的晶圆旋转装置-CN201822143817.0有效
发明人：周云;睢智峰;张德培 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种物理气相沉积使用的晶圆旋转装置，包括支架、支杆、轴承、软磁体和永磁体。所述的支架与支杆相连，通过轴承与晶圆加热盘相连，所述轴承通过固定杆与腔体固定，所述的支杆末端与软磁体相连，所述软磁体和永磁体对应放置于腔体内外两侧，当外侧永磁体转动时，通过磁耦合实现晶圆托盘旋转。上述物理气相沉积使用的晶圆旋转装置可以改善晶圆表面沉积薄膜的方阻、厚度和应力均匀性。
软磁体永磁体轴承晶圆旋转装置物理气相沉积支杆支架本实用新型应力均匀性沉积薄膜晶圆表面晶圆托盘支杆末端磁耦合固定杆加热盘方阻晶圆腔体转动体内

[实用新型]薄膜沉积均匀进气装置-CN201822144002.4有效
发明人：周云;睢智峰;张德培 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种薄膜沉积均匀进气装置，放置在靶材和晶圆加热盘之间，固定在靶材下方。本实用新型设计的进气装置包括气环和进气座。所述的气环由两个半圆环组成，所述的进气座有两个；气环与进气座相连，两两相固定，构成圆环状。通过增加进气装置，使反应气体均匀进入反应腔，从而在晶圆表面均匀反应和沉积，改善晶圆表面沉积薄膜的厚度和方阻的均匀性。本装置结构简单、易于安装。
进气装置进气座气环晶圆表面靶材本实用新型薄膜沉积沉积薄膜反应气体均匀反应装置结构半圆环反应腔加热盘均匀性圆环状方阻晶圆两相沉积

[发明专利]一种刻蚀终点检测系统-CN201510688632.6有效
发明人： 睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种刻蚀终点检测系统，应用于等离子刻蚀腔，包括：光源、单色光谱仪和处理器，单色光谱仪具有狭缝入口，狭缝入口通过第一光纤与光源相连，通过第二光纤与等离子刻蚀腔相连，光源用于发射光谱线，单色光谱仪用于对狭缝入口射入的光谱线进行检测，获得当前光谱线的强度，处理器用于判断单色光谱仪检测到的光源发射的光谱线的强度是否满足第一预设条件，并在单色光谱仪检测到的光源发射的光谱线的强度不满足第一预设条件时，发出提示信息，提示工作人员对该检测系统进行校准或维修，解决了现有技术中终点检测系统无法及时识别自身系统的异常，导致该检测系统中任一部件出现异常时，无法及时预警而造成晶圆报废的问题。
一种刻蚀终点检测系统

[实用新型]一种晶圆定位系统-CN201720214100.3有效
发明人： 睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆定位系统，包括光源、透镜组合一、透镜组合二、光探测器、晶圆、定位腔旋转盘。晶圆放置于定位腔旋转盘上，晶圆边缘有小槽，光源和透镜组合一在晶圆边缘上形成了一个沿着晶圆径向的平行线光源，平行线光源光线一半照射在晶圆边上，另一半会无阻拦的透过透镜组合二聚焦在光探测器上。通过分析光强随晶圆旋转角度变化曲线，判断晶圆中心和晶圆边缘小槽位置，保证确保每片晶圆进入刻蚀腔后，晶圆中心与刻蚀腔内圆形静电吸盘的中心重合，小槽的方向始终一致，以便下一步晶圆刻蚀工艺的顺利进行。
一种定位系统

[实用新型]钨化学沉积内腔等离子清洁终点控制器增益自动调节装置-CN201621380986.0有效
发明人：张德培;睢智峰 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：钨化学沉积内腔等离子清洁终点控制器增益自动调节装置，包括单片机核心控制模块、数字可调电阻和A/D转换。所述的单片机核心控制模块与数字可调电阻相连，另一端与A/D转换相连，通过A/D转换接收输出端的反馈信号。所述的数字可调电阻连接在终点控制器放大器两端，且与单片机核心控制模块相连。单片机核心控制模块根据输出端反馈信号，判断输出信号是否超出内部预设范围，从而调用不通过指令调节数字可调电阻阻值，最后使得输出值满足预设范围。
化学沉积等离子清洁终点控制器增益自动调节装置

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