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[发明专利]一种具备核壳结构的转移印章及其制备方法-CN202310326456.6在审
发明人：严群;郎太福;林畅;林鑫;卢玉;潘魁;孙捷;黄忠航;杨天溪;张恺馨;郭太良 -专利权人： 闽都创新实验室;福州大学;晋江市博感电子科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章，包括软壳、硬核和基板层；所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层，包覆于具有高机械强度的硬核之外，构成转移头；所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。
一种具备结构转移印章及其制备方法

[发明专利]基于离散贝叶斯优化算法的复杂作业车间调度方法及系统-CN202311218762.4在审
发明人：张剑铭;张浩宇;陈豪;陈松航;王耀宗;连明昌 -专利权人：泉州装备制造研究所;闽都创新实验室
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及车间调度技术领域，尤其涉及的是一种基于离散贝叶斯优化算法的复杂作业车间调度方法及系统。该调度方法包括设置样本参数以获取初始样本，并生成初始样本点；评估样本点的实际目标函数值以形成样本集，并构建高斯过程代理模型；根据高斯过程代理模型建立采集函数以形成新样本；将新样本加入至样本集中，并判断是否达到最大迭代次数，若是，则输出最优解，若不是，则返回更新构建高斯过程代理模型。本发明随机生成多个初始样本，建立高斯过程代理模型，然后以高斯过程代理模型为基础构建采集函数，用于平衡算法的全局搜索和局部优化能力，并将先验模型和后验数据样本结合，不断更新高斯过程代理模型，从而实现在少量迭代获得较优的解。
基于离散贝叶斯优化算法复杂作业车间调度方法系统

[发明专利]基于Micro-LED自发热原位结晶钙钛矿量子点的色转换方法-CN202110853100.9有效
发明人：叶芸;段燕宇;郭太良;秦新智;陈恩果;徐胜 -专利权人： 闽都创新实验室;福州大学
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Micro‑LED自发热原位结晶钙钛矿量子点的色转换方法，采用过饱和结晶法生长钙钛矿量子点，通过喷墨打印将钙钛矿量子点前驱体溶液打在Micro‑LED阵列上的不良溶剂中进行振荡反应，原位生成钙钛矿量子点溶液；利用Micro‑LED自发热使得钙钛矿量子点原位结晶，覆盖在由黑矩阵隔开的蓝光Micro‑LED阵列上；通过蓝光Micro‑LED激发红绿钙钛矿量子点纳米晶发出红光和绿光，结合蓝光Micro‑LED本身所发出的蓝光，实现一个像素单元的发光，多个重复的像素单元有序排列，即实现Micro‑LED的色转换。该方法的实现工艺及条件简单，且有利于提高钙钛矿量子点纳米晶的性能。
基于 micro led 发热原位结晶钙钛矿量子转换方法

[发明专利]LED芯片无损阵列检测装置及方法-CN202110532053.8有效
发明人：吴朝兴;陈荣;郭太良;张永爱;周雄图;王堃;刘晔 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
led 芯片无损阵列检测装置方法

[发明专利]一种稀土碘酸盐材料及其制备方法和应用-CN202310712450.2在审
发明人：王帅华;许谢铭;吴少凡;黄鑫;郑熠;孙宝平 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01F17/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种稀土碘酸盐材料及其制备方法和应用，所述稀土碘酸盐材料的分子式为AxB1‑x(IO3)3，其中，A、B独立地选自三价稀土元素；所述稀土碘酸盐材料的晶相结构为单斜相。该材料具有大的原子序数、大的禁带宽度和稳定的物化性质，因此，对于X射线有强的吸收以及强的抗辐照损伤能力。该方法通过在降温过程中，采取特定的降温速率，从而制得优质晶体。基于稀土碘酸盐材料AxB1‑x(IO3)3制备的直接型X射线探测器在不同的电场强度下具有优异的灵敏度，最大为1301.5μCGy‑1cm‑2。
一种稀土碘酸材料及其制备方法应用

[发明专利]一种六核银硫团簇及其制备方法和应用-CN202310641025.9在审
发明人：王文飞;郑发鲲;谢美娟;李宝义;王鹏焜;米家荣;卢健;徐忠宁;郭国聪 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C07D239/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种六核银硫团簇及其制备方法和应用。该六核银硫团簇的化学式为Ag6(TS)6，其中TS代表如下式所示的结构式，R1和R2独立地选自甲基、乙基、苯基、卤素和羟基。本申请的六核银硫团簇表现出热活化延迟荧光特性以及高的光致发光量子产率；富重金属特性使其具有高效的X射线衰减能力，热活化延迟荧光特性有助于其在X射线辐照下三线态激子的辐射发光，从而实现高的X射线光产额。该六核银硫团簇可用作X射线闪烁材料，实现高灵敏度、低探测极限、高成像分辨率、稳定光响应的X射线闪烁探测。本申请的制备方法可在相对温和的条件下简单地通过溶液反应实现，成本低，工业可行性强。#imgabs0#
一种六核银硫团簇及其制备方法应用

[发明专利]一种异烟酸螯合的铝氧簇合物及其宏量制备方法和应用-CN202210316839.0在审
发明人：张健;方伟慧;沈思皓;祁英昆 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C07F5/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种异烟酸螯合的铝氧簇合物及其宏量制备方法和应用。本发明所述铝氧簇合物的分子式为：[Al6(μ3‑O)2(OH)2(A)6(B)6(HB)2]，其中，μ3‑O代表三连接的O原子；A相同或不同，彼此独立地选自异烟酸的残基或含取代基的异烟酸的残基；B相同或不同，彼此独立地选自含1‑4个氮原子的五元环或六元环的有机碱化合物及其衍生物的残基。本发明的制备方法工艺要求简单，反应时间短，便于大规模生产，且污染少，符合绿色环保要求。本发明的铝氧簇合物可用于陶瓷、医药、电子等领域。
一种烟酸铝氧簇合物及其宏量制备方法应用

[发明专利]一种2-氨基吡咯类化合物及其制备方法和应用-CN202210301956.X在审
发明人：鲍红丽;栗泰安;叶长青;李亚军;朱能波 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C07D207/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种2‑氨基吡咯类化合物及其制备方法和应用。一种2‑氨基吡咯类化合物，所述2‑氨基吡咯类化合物具有式Ⅰ所示结构：#imgabs0#其中，R1和R2独立地选自C1～C13烷基、酯基、羧酸基、酰胺基、取代氨基、C1～C13烷氧基、C6～C20芳基、C2～C20杂芳基、取代的C1～C13烷基、取代的C6～C20芳基、取代的C2～C20杂芳基。2‑氨基吡咯类化合物结构多样，具有两个芳基可以高度官能团化，也方便后续进行偶联，组装；吡咯并嘧啶化合物结构多样，具有固体荧光性质；该制备方法，具有原料易得、方法简单、便于操作、产率较高的优点。
一种氨基吡咯化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种可调谐激光器及其制备方法-CN202210307049.6在审
发明人：林中晞;林琦;赵晓凡;钟杏丽;朱振国;苏辉 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调谐激光器及其制备方法，所述可调谐激光器包括在衬底上依次生长的底部布拉格反射器、楔形有源区和顶部布拉格反射器，所述底部布拉格反射器、楔形有源区、顶部布拉格反射器构成谐振腔，所述楔形有源区与顶部布拉格反射器和/或底部布拉格反射器相接触的侧面为倾斜面。本发明在常规的底部布拉格反射器和顶部布拉格反射器二层结构中引入楔形增益层结构，实现在同一激光器件中波长的精确连续可调谐的目的。
一种调谐激光器及其制备方法

[发明专利]一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法-CN202210151701.X有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法，属于晶体生长技术领域。一种晶体生长气泡消除装置，包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在晶体生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转。本发明在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。
一种晶体生长气泡消除装置方法

[发明专利]一种无金属分子反铁电固溶体、制备方法及用途-CN202210449096.4有效
发明人：孙志华;徐豪杰;郭吴倩;罗军华 -专利权人： 闽都创新实验室
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C07C211/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种无金属分子反铁电固溶体、制备方法及用途。该固溶体通式为(C7H16N)BrxI1‑x和(C7H16N)BrxCl1‑x(0≤x1)，室温下为反铁电相，属于正交晶系。固溶体在居里温度以下均表现出优异的反铁电性能，其中环己甲胺氯盐的饱和极化强度可达到11.4μC/cm2。此外，固溶体还具有近零的剩余极化强度，大的矫顽场和高的耐击穿电压，可作为能量存储电介质的候选材料。
一种金属分子反铁电固溶体制备方法用途

[发明专利]一种混合卤素钙钛矿量子点的制备方法与应用-CN202210102336.3有效
发明人：朱浩淼;陈德建 -专利权人： 闽都创新实验室
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合卤素钙钛矿量子点的制备方法与应用。主要合成过程为：将不同配比的卤化铅加入到强极性溶剂溶液中，超声溶解后注入到含有配体和铯盐的弱/非极性溶剂中，得到混合卤素钙钛矿量子点。上述过程设备简单、不需要任何保护气体，操作简便高效，可规模化生产，所得量子点结晶性好、光谱稳定性高且具有优良的发光性质。可用于在宽色域LED背光源显示、柔性显示、Micro‑LED全彩显示、太阳能电池、荧光传感、光或光电催化以及光探测器等领域等技术领域。
一种混合卤素钙钛矿量子制备方法应用

[发明专利]苯乙烯半菁荧光染料及其制备方法和在稀土多彩长余辉发光材料中的应用-CN202210525907.4有效
发明人：宋立军;吴银财;赵丹;林凤龙;王胜龙;王辛坤;李金蕾;张炎 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C09B23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯乙烯半菁荧光染料及其制备方法和在稀土多彩长余辉发光材料中的应用。其中苯乙烯半菁荧光染料是先将N‑甲基二苯胺与N‑甲基二苯胺反应得到化合物A，再与1,4‑二甲基吡啶碘化物反应得到。本发明通过合成一种新型高效光转换包合物，并实现对稀土长余辉发光材料的表面包覆。通过调控高效光转换包合物的配方与浓度，利用稀土长余辉材料连续发射光子被光转换层吸收，可实现稀土长余辉材料的光色可调。最终通过转光剂加入比例的不同实现复合物颜色在绿色、黄绿、黄色至橙色之间转变。
苯乙烯荧光染料及其制备方法稀土多彩余辉发光材料中的应用

[发明专利]一种磁光透明陶瓷及其制备方法和应用-CN202211268423.2有效
发明人：王帅华;章睿;吴少凡;黄鑫;郑熠 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁光透明陶瓷及其制备方法和应用，所述磁光透明陶瓷的化学通式为Ho3Sc2Al3O12，所述制备方法包括：步骤S1，将含有氧化钬、氧化钪、氧化铝、烧结助剂的混合粉体压制成型后获得素坯；步骤S2，将步骤S1获得的素坯预烧结、真空烧结、退火，获得所述磁光透明陶瓷。所制备的磁光透明陶瓷具有优秀的线性透过率，稳定的热学性能，较高的磁光性能，与主流的商用铽基磁光材料相比本申请中磁光透明陶瓷所采用的制备方法还具有原料成本低、制备成本低的优势。可以进一步推动磁光透明材料在光隔离器或光调制器中的应用。
一种透明陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种长余辉闪烁晶体及其制备方法和应用-CN202211271292.3有效
发明人：王帅华;张楠;吴少凡;黄鑫;郑熠 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本申请提供了一种双钙钛矿结构长余辉闪烁晶体，化学式为Cs2Na(1‑x)AgxLu(1‑y)DyyCl6；其中0≤x≤0.8，0y≤0.2。该晶体的制备过程使用溶剂热法进行晶体生长，操作简便，单次制备量大，可有效降低晶体生长成本；该晶体在紫外光和X射线激发下表现为黄色荧光，经X射线持续照射后，关闭X射线，仍可以观测到余辉发光，经原位加热后，X射线发光强度激增，然后衰减的很快，有显著的热释光性能，该长余辉闪烁晶体可以潜在的应用于延迟X射线探测。
一种余辉闪烁晶体及其制备方法应用

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