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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有辅助线的液晶书写膜、书写板及黑板-CN202010071953.2在审
发明人：李清波;史新立 -专利权人：山东蓝贝思特教装集团股份有限公司;山东蓝贝易书信息科技有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有辅助线的液晶书写膜、书写板及黑板，包括：第一导电层、液晶层和第二导电层；在其中一个导电层上刻蚀出若干封闭的区域，所述封闭的区域拼接成辅助线，所述辅助线组合形成设定的图案；或者，在第一导电层和第二导电层上分别刻蚀出若干封闭的区域本发明采用刻蚀工艺在液晶书写膜上进行画线，即能够避免辅助线磨损或脱落，也不会出现书写字迹不连贯的问题，而且加工成本较低。
一种具有辅助线液晶书写黑板

[实用新型]一种具有辅助线的液晶书写膜、书写板及黑板-CN202020142851.0有效
发明人：李清波;史新立 -专利权人：山东蓝贝思特教装集团股份有限公司;山东蓝贝易书信息科技有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有辅助线的液晶书写膜、书写板及黑板，包括：第一导电层、液晶层和第二导电层；在其中一个导电层上刻蚀出若干封闭的区域，所述封闭的区域拼接成辅助线，所述辅助线组合形成设定的图案；或者，在第一导电层和第二导电层上分别刻蚀出若干封闭的区域本实用新型采用刻蚀工艺在液晶书写膜上进行画线，即能够避免辅助线磨损或脱落，也不会出现书写字迹不连贯的问题，而且加工成本较低。
一种具有辅助线液晶书写黑板

[发明专利]刻蚀控制方法-CN202011377774.8在审
发明人：国唯唯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀控制方法，该刻蚀控制方法，包括：主刻蚀步骤，向半导体工艺设备的工艺腔室内通入刻蚀气体，向工艺腔室内的下电极施加功率，将刻蚀气体激发为等离子体，以对待刻蚀件进行刻蚀，直至达到预定刻蚀深度；过渡刻蚀步骤，在持续通入刻蚀气体的情况下调节下电极电源的相位，以降低刻蚀气体对待刻蚀件的刻蚀速率，直至达到预定刻蚀速率；过刻蚀步骤，维持当前刻蚀速率继续对待刻蚀件进行刻蚀。
刻蚀控制方法

[发明专利]刻蚀方法和刻蚀系统-CN201911145346.X在审
发明人：姜水龙 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种刻蚀方法和刻蚀系统，所述刻蚀方法用于以掩盖层为掩膜对被刻蚀层进行刻蚀，所述刻蚀方法包括：获得掩盖层的目标厚度，所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀被刻蚀层到目标深度时，对被掩盖层的刻蚀厚度；在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层，所述掩盖层露出部分的被刻蚀层；以所述掩盖层为掩膜，采用所述刻蚀工艺去除所述掩盖层和所述掩盖层露出的部分厚度的所述被刻蚀层，在所述被刻蚀层中形成目标图形。本发明实施例通过在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层，且所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀所述被刻蚀层到目标深度时，对被掩盖层的刻蚀厚度，有利于精确控制对被刻蚀层的刻蚀深度、增大刻蚀工艺的工艺窗口。
刻蚀方法系统

[发明专利]刻蚀方法和系统-CN201010568456.X有效
发明人：胡骏;李健 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法和系统，该方法包括：主刻蚀停止后，判断所述主刻蚀停止时是否捕捉到了刻蚀停止点，如果否，进入过刻蚀步骤继续捕捉刻蚀停止点，所述过刻蚀步骤在达到预设的最大过刻蚀时间时，以及捕捉到刻蚀停止点之后，再经过了正常的过刻蚀时间时自动停止；所述过刻蚀停止后，判断所述过刻蚀停止前是否捕捉到了刻蚀停止点，如果是，根据刻蚀厚度和最大主刻蚀时间，得出最大主刻蚀时间的修正值；采用所述最大主刻蚀时间的修正值进行下一次刻蚀过程本发明实施例通过引入判断机制以及时间反馈机制，通过控制刻蚀设备的刻蚀方式，避免了现有技术中因过早的停止主刻蚀，而导致的过刻蚀之后的刻蚀残留以及器件CD偏大等问题。
刻蚀方法系统

[发明专利]一种提高混合刻蚀工艺稳定性的方法-CN201811557616.3有效
发明人：聂钰节;昂开渠;贺赫 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，该方法使刻蚀腔对晶圆在不同功率和刻蚀时间下刻蚀。控制系统对功率和刻蚀时间实时采集，并对功率、时间及该运算系数进行乘积，得到与该刻蚀工序对应的刻蚀量，已知的初始刻蚀量与运算得到的刻蚀量相加得到累积刻蚀量，将累积刻蚀量与已知的基准刻蚀量比较，若累积刻蚀量小于基准刻蚀量，则对其它刻蚀工序逐个重复以上步骤，直到累积刻蚀量达到基准刻蚀量，才对刻蚀腔进行维护保养。该方法可根据混合作业中不同刻蚀工艺的刻蚀强度计算刻蚀腔中接触部件的损耗，及时计算出刻蚀腔的维护保养周期，避免刻蚀腔部件损耗过大，造成部件异常和腔体环境变化，从而导致晶圆出现颗粒污染等问题。
一种提高混合刻蚀工艺稳定性方法

[发明专利]一种塑料组合物及塑料表面金属化方法-CN200910106262.5有效
发明人：苗伟峰;周良;祝学远 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明提供一种塑料组合物及塑料表面金属化方法，所述塑料组合物中含有塑料基体树脂和金属螯合物；金属螯合物为金属离子与有机螯合剂的配合物；有机螯合剂为二酮、氨基羧酸、巯基羧酸、多元羧酸和具有通式CnH8N2所述塑料表面金属化方法包括将本发明提供的塑料组合物注塑成塑料件后，采用波长为1064nm-1000μm的激光对塑料件进行激光刻蚀，然后在激光刻蚀区通过化学镀形成金属镀层。本发明的塑料组合物中采用的有机螯合剂，成本低廉且对激光敏感，塑料表面活化程度高；对塑料表面进行金属化时，采用成本较低的红外激光，使塑料件中的金属螯合物的金属离子分解作为后续化学镀的活性中心，精度非常高。
一种塑料组合表面金属化方法

[发明专利]封装方法及显示设备-CN201711480416.8有效
发明人：刘世奇;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：上述的封装方法包括：将缓冲层膜层和半导体膜层成型于基板上；制备第一金属绝缘组合结构层，其中第一金属绝缘组合结构层包括第一层间绝缘层和第一金属膜层；采用成像工艺和干法刻蚀工艺对第一金属绝缘组合结构层进行刻蚀第一金属层图案具有留空区域、第一金属网格区域和第二金属网格区域，留空区域将第一金属网格区域和第二金属网格区域隔开，第一金属网格区域上开设有第一掩膜通孔，第二金属网格区域上开设有第二掩膜通孔；制备第二金属绝缘组合结构层
金属网格封装显示设备组合结构绝缘金属第一金属层留空通孔掩膜制备绝缘层干法刻蚀工艺半导体膜层图案成像工艺缓冲层膜金属膜层第一层烧结层背板隔开基板刻蚀成型产品结构保证

[发明专利]一种清洗刻蚀系统-CN201911367094.5在审
发明人：潘浩 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗刻蚀系统，包括清洗刻蚀液供给装置、清洗刻蚀槽和溢流装置，所述清洗刻蚀液供给装置的出液端连接所述清洗刻蚀槽的入液端，所述溢流装置的出液端连接所述清洗刻蚀液供给装置的入液端，其中，所述清洗刻蚀液供给装置用于将经过加热且均匀分布有的清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀槽中；所述清洗刻蚀槽用于利用所述清洗刻蚀液供给装置提供的所述清洗刻蚀液对待清洗刻蚀原料进行刻蚀清洗；所述溢流装置用于将所述清洗刻蚀槽溢流出的所述清洗刻蚀液传输至所述清洗刻蚀液供给装置中。本发明所提供的清洗刻蚀系统可以加速刻蚀清洗工艺的进程，促进刻蚀反应的进行，达到提高刻蚀效率和提高清洗效果的目的。
一种清洗刻蚀系统

[发明专利]半导体刻蚀方法及刻蚀系统-CN200810114316.8有效
发明人：赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体刻蚀方法及半导体刻蚀系统，该方法包括步骤：利用当前刻蚀参数值对至少一个晶片刻蚀，在所述晶片上刻蚀出刻蚀图形；测量所述刻蚀图形的实际深度；计算出所述实际深度和目标深度的偏差值，根据所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值；将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值，利用目标刻蚀参数值执行下一次刻蚀。所述半导体刻蚀系统包括：刻蚀装置、测量装置和反馈装置。本发明的半导体刻蚀方法及半导体刻蚀系统可以在刻蚀的过程中减小误差，提高了刻蚀图形的刻蚀精度，并且使不在同一次刻蚀的刻蚀图形之间的差别减小。
半导体刻蚀方法系统

[发明专利]刻蚀装置及刻蚀方法-CN201410356255.1在审
发明人：张君;刘利坚;谢秋实;李东三 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法。其中刻蚀装置包括：反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。本发明实施例的刻蚀装置不受刻蚀材料种类限制，无论刻蚀反应产物的挥发性高低均可用持续地进行刻蚀，具有刻蚀速率高、适用范围广、工艺成本低的优点。
刻蚀装置方法

[发明专利]刻蚀液及刻蚀方法-CN201910338221.2在审
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液及刻蚀方法，该刻蚀液包括去离子水、双氧水、有机酸、胺类物质、弱酸弱碱盐、双氧水稳定剂以及醇类物质。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀液刻蚀双氧水双氧水稳定剂弱酸弱碱盐胺类物质醇类物质去离子水显示面板对基板良品率有机酸腐蚀

[发明专利]刻蚀方法及刻蚀设备-CN202110265900.9在审
发明人：胡家艳;孔祥健;吴凡 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种刻蚀方法和刻蚀设备，所述刻蚀方法包括：沿遮罩层中的第一开口和第二开口，采用第一刻蚀气体对介质层同时进行第一刻蚀，形成具有第一深度的第一凹槽和具有第二深度的第二凹槽；其中，所述第一开口的开口尺寸大于所述第二开口的开口尺寸，所述第一深度大于所述第二深度；采用第二刻蚀气体对所述第一凹槽和所述第二凹槽同时进行第二刻蚀，以将所述第一凹槽的深度从所述第一深度增加为第三深度，并将所述第二凹槽的深度从所述第二深度增加为第四深度；其中，所述第三深度等于所述第四深度，所述第二刻蚀气体对所述第一凹槽的刻蚀速率，小于所述第二刻蚀气体对所述第二凹槽的刻蚀速率。
刻蚀方法设备

[发明专利]刻蚀装置及刻蚀方法-CN201210089507.X有效
发明人：王坚;贾照伟;张怀东;杨青;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种刻蚀装置，可以根据不同工艺要求调整硅片与喷气头之间的距离，提高硅片刻蚀均匀性和刻蚀速率。本发明刻蚀装置包括刻蚀腔室、喷气头、托盘装置、多个导柱和驱动装置。所述刻蚀腔室具有进气口和多个排气口。所述喷气头设置在所述刻蚀腔室内并位于所述进气口下方。所述托盘装置具有一托盘本体用于承载所述硅片，所述托盘本体位于所述刻蚀腔室内并位于所述喷气头下方，所述托盘本体上开有多个导孔。所述多个导柱分别收容于所述托盘本体相应的导孔中，导柱托起所述硅片。所述驱动装置驱动所述托盘本体在所述刻蚀腔室内上下运动以调整所述托盘本体与所述喷气头之间的距离。本发明还公开一种使用该刻蚀装置刻蚀硅片的方法。
刻蚀装置方法

[发明专利]刻蚀液及刻蚀装置-CN201910332935.2有效
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液和刻蚀装置，该刻蚀液包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。该刻蚀装置包括存储部，用于存储所述刻蚀液；检测部，用于检测所述存储部中所述刻蚀液是否有气泡；发生部，用于在所述检测部检测到气泡时，发生超声波清除气泡，得到清除气泡后的刻蚀液；喷嘴，用于将所述清除气泡后的刻蚀液涂布在所述基板上，对所述基板进行刻蚀。上述方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀装置

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