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[发明专利]一种晶圆刻蚀方法-CN202210390035.5在审
发明人：梅震;黄斌斌;章兴洋;罗坤;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆刻蚀方法，首先将待刻蚀晶圆划分为至少两个同心圆环区域，然后基于预先获取的晶圆中不同半径的圆环区域中待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽与所用刻蚀光刻版的线宽之间的对应关系，设计待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的刻蚀光刻版的线宽，从而在利用待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的设计好线宽的刻蚀光刻版，对待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层进行深刻蚀时，使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽均不大于第一预设宽度，进而使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被刻蚀干净的情况下，刻蚀槽的上顶宽均不超过相邻芯粒之间的台面间距，不损失芯粒，也不影响芯粒排布，降低芯片制作成本。
一种刻蚀方法

[发明专利]刻蚀液处理装置-CN201811540513.6在审
发明人：沈海洋 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液处理装置，该装置包括药液槽，用于容纳刻蚀液，刻蚀液用于对基板进行刻蚀；承载槽，用于承载基板以及容纳刻蚀后的刻蚀液；第一药液管，一端与药液槽连接，另一端设置在基板上，第一药液管用于将药液槽中的刻蚀液传输至基板上，使刻蚀液对基板进行刻蚀；第二药液管，一端与药液槽连接，另一端与承载槽连接，第二药液管用于将刻蚀后的刻蚀液传输至药液槽中；检测模块，用于检测刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液是否受到污染，得到检测结果；处理模块，用于根据检测结果，对刻蚀液和/或刻蚀后的刻蚀液进行处理。该方案通过设置检测模块和处理模块，可以提高刻蚀性能以及基板的良品率。
刻蚀液刻蚀药液槽药液管基板处理模块处理装置检测结果承载槽对基板容纳承载基板检测模块刻蚀性能设置检测一端设置传输良品率检测污染

[发明专利]晶圆刻蚀方法-CN202010305870.5在审
发明人：张海苗;林源为;崔咏琴;唐希文 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆刻蚀方法，包括：预刻蚀步骤，刻蚀覆盖有图形化的掩膜层的晶圆，在晶圆的表面形成预设深度的刻蚀槽；氧化刻蚀步骤，对刻蚀槽的底部和侧壁表面进行氧化形成氧化层，刻蚀氧化层，获得光滑的沉积表面；沉积步骤，在光滑的沉积表面沉积聚合物层；刻蚀步骤，对刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀；重复沉积步骤和刻蚀步骤直至形成目标深度的刻蚀槽。沉积步骤在刻蚀槽的底部和侧壁形成具有平滑界面的氧化层，刻蚀氧化层，获得光滑的沉积表面，有利于后续沉积得到均匀而连续的聚合物层，改善刻蚀工艺的均匀性，刻蚀氧化层还可以扩大刻蚀槽的深宽比，有利于反应物和副产物进出刻蚀槽的深硅结构
刻蚀方法

[发明专利]一种刻蚀托盘及刻蚀方法-CN202111626631.0在审
发明人：刘伟;邬新根;刘英策;林锋杰;张阿茵;崔恒平;蔡玉梅;蔡海防 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种刻蚀托盘及刻蚀方法，该刻蚀托盘包括：下片和上片，上片覆盖下片表面，下片的材料为金、银、铜、铝中的一种，上片的材料为碳化硅、氮化铝、石墨中的一种，使得该刻蚀托盘为由散热能力较好的材料和散热能力较差的材料组成的复合托盘，刻蚀选择比调整范围更大，刻蚀角度的变化范围更大。进行刻蚀时，可以通过调整刻蚀参数，调整刻蚀选择比，实现刻蚀角度的多次变化，且变化范围较大，形成类似漏斗形状的刻蚀沟道，使得刻蚀沟道的坡度较缓。并且，利用该刻蚀托盘进行刻蚀，刻蚀角度从较大到较小，使得刻蚀沟道的底宽较小，且使得小刻蚀角度对于顶宽影响较小，使得刻蚀沟道在所述LED外延芯片的中的占比相对较小。
一种刻蚀托盘方法

[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法-CN202210368431.8在审
发明人：闫士波;丁建峰;张洋洋;王刚;潘晓忠;姚志炎 -专利权人：徐州美兴光电科技有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底在刻蚀作业异常中断补救方法，涉及刻蚀技术领域；为了避免蓝宝石在刻蚀作业中出现异常中断后造成报废；该中断补救方法以下步骤：当刻蚀机出现报警导致刻蚀过程中断后，对当前已刻蚀时间和当前已刻蚀所在步骤进行查明；对需要再次刻蚀的时间进行计算；将产品传入刻蚀机并使用计算的补救方案进行再次刻蚀；将完成再次刻蚀后的产品传出，完成整个刻蚀的过程。本发明通过在出现刻蚀异常后，对此时蓝宝石衬底所处的刻蚀步骤和已刻蚀时间，对蓝宝石衬底需要再刻蚀所需时间进行计算，利用计算后的时间将蓝宝石衬底再次输送到刻蚀机内进行再刻蚀，从而可以避免蓝宝石衬底报废。
一种图形蓝宝石衬底刻蚀作业异常中断补救方法

[发明专利]一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备-CN202110507244.9在审
发明人：李相龙;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备，属于集成电路制造技术领域，解决了现有刻蚀腔室环境稳定性差导致的刻蚀工艺漂移的问题。本发明的刻蚀腔室清洁系统，包括用户操作单元、晶圆工艺采集单元和刻蚀腔室清洁单元，晶圆工艺采集单元与刻蚀设备连接，用于收集晶圆刻蚀过程中的工艺参数；用户操作单元能够根据晶圆工艺采集单元收集的数据，设定刻蚀腔室清洁参数；刻蚀腔室清洁单元与刻蚀设备连接，用于控制刻蚀设备执行腔室刻蚀清洁过程。本申请能够有效去除刻蚀腔室内部的颗粒物，维持刻蚀腔室的环境一致性，保证晶圆的刻蚀速率及刻蚀均匀性等工艺参数的稳定性，避免刻蚀工艺的漂移，有效提高了晶圆良率。
一种刻蚀清洁系统方法半导体设备

[发明专利]一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法-CN201810493949.8有效
发明人：徐亚琴;李保振 -专利权人：深圳市盛鸿运科技有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺技术领域，具体的说是一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法，该刻蚀方法采用了刻蚀设备，该刻蚀设备包括刻蚀箱、端盖、固定座、激励线圈、偏压提供装置、盛放单元和转动单元，刻蚀箱为无盖圆筒型，端盖放置在刻蚀箱的顶部，固定座安装在刻蚀箱的内壁上；激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压提供装置用于向硅晶片施加偏压，盛放单元用于盛放待刻蚀的硅晶片；转动单元用于带动刻蚀箱内部的盛放单元转动，需要对硅晶片进行刻蚀时，将其放入盛放单元中，向刻蚀箱内部通入刻蚀气体，使硅晶片在激励线圈和偏压提供装置的作用下进行刻蚀，该方法可及时避免刻蚀产物对硅晶片造成覆盖而致其刻蚀不充分，提高刻蚀效率。
一种半导体集成电路晶片刻蚀方法

[发明专利]TMAH硅雾化气相刻蚀系统-CN201710539774.5有效
发明人：何剑;丑修建;穆继亮;耿文平;侯晓娟;薛晨阳;徐方良;张辉;高翔;石树正 -专利权人：中北大学
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种TMAH硅雾化气相刻蚀系统，包括：水冷系统用于冷凝TMAH气体；刻蚀系统用于刻蚀单晶硅以及达到相关刻蚀条件，刻蚀硅片时刻蚀腔内使用的温度高于TMAH沸点，使TMAH呈气态的状态下对硅进行刻蚀；传送系统用于传输以及清洗刻蚀硅片；雾化系统用于产生及输送TMAH液滴至刻蚀腔，通过将TMAH溶液雾化方式，提供浓度更加稳定的TMAH气体，保证刻蚀稳定性；控制系统用于控制水冷系统、刻蚀系统、雾化系统及传送系统协调工作该系统实现硅高速刻蚀，同时刻蚀表面较为光滑；气相刻蚀通过增大刻蚀腔体的气压以进一步提高刻蚀速率。该系统实现了对硅片非刻蚀面上结构实现了有效的保护，保证了硅刻蚀工艺与以完成工艺之间的兼容性。
刻蚀刻蚀系统传送系统刻蚀硅片水冷系统雾化系统系统实现雾化气单晶硅硅刻蚀工艺刻蚀稳定性结构实现刻蚀腔体刻蚀条件控制系统雾化方式兼容性刻蚀腔冷凝沸点硅片腔内液滴光滑气压清洗保证传输协调

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030796.0有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀抗反射涂层；刻蚀介质层；移除光致抗蚀剂层；进行刻蚀终止层的刻蚀；所述介质层的刻蚀过程包括第一刻蚀过程和第二刻蚀过程；分别选用第一刻蚀气体和第二刻蚀气体进行所述第一刻蚀过程和第二刻蚀过程。采用本发明方法，可提高光致抗蚀剂层的致密度，进而有效地控制刻蚀通孔的形貌；并可进一步调整横向、纵向的刻蚀选择比，精确控制刻蚀通孔的形状，以避免损伤栅极侧墙，保证器件可正常工作。
刻蚀方法

[发明专利]刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台-CN201710567416.5有效
发明人：冯宇培;仓凌盛;张传民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台。该刻蚀管控系统包括：依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块。该刻蚀管控方法包括：获取半导体制品上表面膜的初始厚度信息，以及刻蚀液的浓度信息；根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系，获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息；根据所述刻蚀速率信息、所述初始厚度信息，以及所述表面膜的目标厚度信息，获得刻蚀时间，并按所述刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。本发明通过设置转换模块和采集模块，并建立刻蚀速率与刻蚀液浓度之间的函数关系，使得刻蚀速率可直接通过测量刻蚀液浓度的方式获得，从而使获得的刻蚀时间更准确，提高了工艺稳定性。
刻蚀系统及其方法机台

[发明专利]晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法-CN201811580776.X有效
发明人：梁梦诗;聂钰节 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆刻蚀系统，包括：所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统，所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀，所述测量装置测量测量刻蚀后膜层厚度并将刻蚀后膜层厚度反馈至APC系统，所述APC系统根据刻蚀前和刻蚀后晶圆膜层后的变化以及刻蚀机的刻蚀速率更新后续晶圆执行刻蚀的时间。本发明还公开了一种晶圆刻蚀方法。本发明基于膜层厚度变化调节晶圆关键尺寸，在APC系统管控下进行定量调节刻蚀机刻蚀程式参数，以达到刻蚀关键尺寸的稳定性，改善刻蚀晶圆的面内均匀性，避免因刻蚀关键尺寸的漂移造成最终电性参数和良率的损失。
刻蚀系统方法

[发明专利]硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置-CN202011162379.8在审
发明人：衡鹏 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片刻蚀方法，包括以下步骤：步骤1：将硅片放入预设夹具中，仅使得硅片的待刻蚀区外露；步骤2：将所述预设夹具放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽中，使得硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触，以进行刻蚀；步骤3：将所述预设夹具从刻蚀液中取出，对硅片的被刻蚀的部分进行清洗和干燥。仅对硅片的待刻蚀区进行刻蚀，而硅片的非刻蚀区与刻蚀液隔离，避免对硅片正面的损伤，提高后续检测的精确性。本发明还涉及一种DSOD检测方法及硅片刻蚀装置。
硅片刻蚀方法 dosd 检测装置

[发明专利]刻蚀方法-CN200710042343.4有效
发明人：黄怡;杜珊珊;朱峰;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法，包括步骤：刻蚀前一衬底；检测后一衬底的刻蚀掩膜图形；检测所述前一衬底的刻蚀图形；根据所述前一衬底的刻蚀图形检测结果及所述后一衬底的刻蚀掩膜图形的检测结果确定所述后一衬底的刻蚀条件；按照所述后一衬底的刻蚀条件对所述后一衬底进行刻蚀。本发明的刻蚀方法可以进一步提高对刻蚀工艺的控制力及刻蚀的精度。
刻蚀方法

[发明专利]光栅的刻蚀控制方法及装置-CN201910251220.4有效
发明人：曾理江;李立峰 -专利权人：北京至格科技有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本公开涉及一种光栅的刻蚀控制方法及装置。该方法包括：在光栅刻蚀过程中，实时确定待刻蚀光栅的衍射效率；根据衍射效率，判断是否满足停止刻蚀的条件；在满足停止刻蚀的条件时，控制停止刻蚀。本公开实施例，通过在光栅刻蚀过程中，监测待刻蚀光栅的实时衍射效率，并在根据衍射效率判断满足停止刻蚀的条件时，控制停止刻蚀，以实现对刻蚀过程的精确控制，从而能够有效提高刻蚀深度的精确度。
光栅刻蚀控制方法装置

[发明专利]对BiSbTe基片进行刻蚀的刻蚀方法-CN201410815145.7在审
发明人：周娜 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种对BiSbTe基片进行刻蚀的刻蚀方法，其中，所述刻蚀方法包括：将形成有掩膜图形的BiSbTe基片放入刻蚀腔中；利用刻蚀气体对形成有掩模图形的BiSbTe基片进行刻蚀，所述刻蚀气体包括能够与所述BiSbTe基片反应的化学刻蚀气体。本发明所提供的刻蚀方法为干法刻蚀，与湿法刻蚀相比，可以更精确地在BiSbTe基片上形成所需的图形。
bisbte 进行刻蚀方法