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[发明专利]刻蚀剂组合物、阵列基板以及制造阵列基板的方法-CN201310552933.7在审
发明人：崔容硕;权五柄;金童基 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及刻蚀剂组合物，阵列基板以及制造阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于Cu-基金属膜，基于该组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括A）过氧化氢（H₂O₂）、B）pH调节剂以及C）水。当利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀由Cu-基金属膜组成的单层形式或多层形式的金属层时，能够经由分批刻蚀形成图案，经刻蚀的Cu-基金属膜不发生界面变形，并且能够得到具有良好线性的锥形轮廓。
刻蚀组合阵列以及制造方法

[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法-CN201910342868.2在审
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液和补给液，其中补给液包括溶解剂、第二缓冲液、第二螯合剂以及第二抑制剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀液刻蚀组合补给液缓冲液抑制剂螯合剂刻蚀双氧水醇类物质去离子水显示面板调节剂对基板良品率溶解剂腐蚀

[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法-CN201910336342.3有效
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、有机酸、无机酸、调节剂、稳定剂、抑制剂、醇类物质、消泡剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液以及补给液；所述补给液包括溶解剂、第二有机酸、第二稳定剂、第二抑制剂以及第二消泡剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀组合以及方法

[发明专利]刻蚀用组合物及其使用方法-CN202110589162.3在审
发明人：周永平;任德营;杨永刚;宋冬门;陈嘉泽;张丝柳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀用组合物及其使用方法。该组合物包括氢氟酸和水，其中，水与氢氟酸的体积比为3000：1至6000：1。该组合物能够相对于氧化物材料刻蚀氮化物材料。通过调节该组合物中水与氢氟酸的体积比，可以任意调节氮化物材料的刻蚀率和氧化物材料的刻蚀率。使用该组合物相对于氧化物材料刻蚀氮化物材料可以降低对氧化物材料的不良影响。
刻蚀组合及其使用方法

[发明专利]刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法-CN201210546406.0有效
发明人：曺成爀;洪权;朴滢淳;金奎显;韩智惠;林廷训;李珍旭;朴宰完;郑灿槿 -专利权人：爱思开海力士有限公司;韩国首尔步瑞株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种包括甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去离子水的刻蚀组合物，以及一种包括利用所述刻蚀组合物的刻蚀工艺的制造半导体器件的方法。本发明的刻蚀组合物显示了氮化物膜相对于氧化物膜的高刻蚀选择性。因此，在利用本发明的刻蚀组合物来去除氮化物膜时，可以通过控制氧化物膜的刻蚀速率来容易地控制有效场氧化物高度（EFH）。另外，可以防止因氧化物膜的损坏或氧化物膜的刻蚀所造成的电气特性的恶化，并且可以防止产生颗粒物，由此确保刻蚀工艺的稳定性和可靠性。
刻蚀组合以及利用制造半导体器件方法

[发明专利]组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法-CN202111203335.X在审
发明人：吴祥;李卫民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明的组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法，可应用于半导体制造中湿法刻蚀非导电性薄膜，其中组合型刻蚀液包括第一刻蚀液及第二刻蚀液，第一刻蚀液用于刻蚀非导电性薄膜，第二刻蚀液含有能够去除第一刻蚀液与非导电性薄膜刻蚀的反应产物的组分，或存在第三刻蚀液，含有用于去除其他的第一刻蚀液刻蚀产物的组分，以实现第一刻蚀液的使用寿命的延长。以刻蚀氮化硅用组合型刻蚀液为例，第一刻蚀液含有磷酸，第二刻蚀液含有含氟化合物；结合刻蚀设备，调整混合反应腔内刻蚀液温度与含水量，含氟化合物通过与磷酸刻蚀产物硅化合物的反应可生成特定的可去除的氟硅化合物，从而可延长第一刻蚀液的使用寿命，减少换酸操作和提高生产效率。
组合刻蚀系统方法

[发明专利]用于含聚氨酯组合物的刻蚀方法-CN96116473.5无效
发明人：谢静薇;江明;张勤;叶惠娟;卢文奎;谢文炳;王浩 -专利权人：中国石油化工总公司;复旦大学;中国石油化工总公司上海石油化工研究院
申请日： 1996-08-20 - 公布日： 2001-01-10 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明是关于含聚氨酯组合物的刻蚀方法，该方法采用０．５～５％（重量）的碱金属氢氧化物醇溶液为刻蚀剂，在１０～４０℃条件下，刻蚀２４～３００小时后，有效地刻蚀了共聚物中的聚氨酯组份，反映出了共聚物的相结构，可广泛用于含聚氨酯组合物的刻蚀。
用于聚氨酯组合刻蚀方法

[发明专利]刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法-CN201310452645.4有效
发明人：张尚勋;沈庆辅;李昔准 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本申请公开了刻蚀剂组合物，形成金属图案的方法以及制造用于有机发光显示器的阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于银（Ag）或银合金的单层膜，或包括所述单层膜和铟氧化物膜的多层膜，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括：6.0～8.0wt%的硝酸；8.0～12.0wt%的硫酸；8.0
刻蚀组合金属图案形成方法阵列制法

[发明专利]刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法-CN201310446528.7在审
发明人：张尚勋;沈庆辅 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于银（Ag）或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的刻蚀剂组合物，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包含0.1～0.8wt%的具有羧基的杂环化合物，本发明还公开了一种形成金属图案的方法以及一种制造用于有机发光显示器该刻蚀剂组合物可以降低银（Ag）或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的刻蚀速率，并能表现出均一的刻蚀特性而不损坏下部数据线且不产生残渣。
刻蚀组合金属图案形成方法阵列制法

[发明专利]一种用于坡面型刻蚀装置的刻蚀组合物及其使用方法-CN201010254850.6无效
发明人：朴英哲;秦荣晙;李俊雨 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于坡面型刻蚀装置的刻蚀组合物，包括：64～72wt％的磷酸；4～8wt％的硝酸；4～15wt％的乙酸；0.1～3wt％的选自由硝酸钾、乙酸钾和磷酸钾所组成的组的至少一种钾盐化合物；和余量水所述刻蚀组合物可在使用坡面型刻蚀装置例如坡面型基板处理装置刻蚀基板的过程中展示在基板的整个表面上均匀刻蚀的性能。
一种用于坡面型刻蚀装置组合及其使用方法

[发明专利]一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用-CN201811185568.X有效
发明人：王溯;蒋闯;季峥;李成克 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水。本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层，在7h内可避免氧化物膜层的过刻蚀或负刻蚀。
一种选择性刻蚀组合及其制备方法应用

[发明专利]刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法-CN201310445629.2在审
发明人：张尚勋;沈庆辅;李昔准 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了刻蚀剂组合物，形成金属图案的方法以及制造用于液晶显示器的阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于银（Ag）或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜，所述刻蚀剂组合物包含硝酸、硫酸、三价铁盐和水。
刻蚀组合金属图案形成方法阵列制法

[发明专利]光刻胶组合物、金属图案以及阵列基板的制备方法-CN201710743674.4在审
发明人：李伟;袁广才;周斌;王东方;成军;胡迎宾;夏晶晶;苏同上 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光刻胶组合物及其制备方法、金属图案的制备方法以及阵列基板的制备方法，该光刻胶组合物包括基底材料以及离子吸附剂，其中，所述离子吸附剂为螯合树脂。在采用该光刻胶组合物形成的光刻胶图案作为掩膜板对金属薄膜进行刻蚀的过程中，光刻胶图案中的离子吸附剂可以吸附刻蚀过程中产生的金属离子，从而使刻蚀液中金属离子的浓度维持在稳定的水平，以达到稳定的刻蚀速率，进而提高刻蚀稳定性与均一性，提高产品的质量，此外，还能延长刻蚀液的使用寿命，降低生产成本。
光刻胶组合物制备离子吸附剂光刻胶图案金属离子金属图案阵列基板刻蚀液刻蚀刻蚀稳定性基底材料金属薄膜刻蚀过程浓度维持使用寿命螯合树脂均一性掩膜板吸附

[发明专利]曲面玻璃板材、制备方法、组合试剂及移动终端-CN201710978488.9有效
发明人：杨光明 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了曲面玻璃板材、制备方法、组合试剂及移动终端。具体地，本发明提出了一种用于制备曲面玻璃板材的组合试剂，包括：第一刻蚀液；以及第二刻蚀液，其中，所述第一刻蚀液以及所述第二刻蚀液分别独立地包括：25～55wt％的氢氟酸；6～25wt％的硝酸；15～45wt利用该组合试剂，可以实现对玻璃的分步刻蚀，从而简便地在玻璃上形成多个纹理面，从而令刻蚀后的玻璃板材具有三维纹理的视觉效果。
曲面玻璃板材制备方法组合试剂移动终端

[发明专利]选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用-CN201910520709.7在审
发明人：王溯;蒋闯;季峥;李成克 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明的选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物。本发明的选择性刻蚀液组合物可选择性移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，其氧化物膜层没有出现过刻蚀或负刻蚀，且可多次使用，没有出现颗粒析出。
选择性刻蚀组合及其制备方法应用

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