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[发明专利]磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器-CN202211056852.3在审
发明人：田金鹏;张文伟;杨光帅;王宝杰;吕志坚;贾原;宋秋明;张智星;欧阳夏 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器，包括：提供衬底，所述衬底设有集成电路；于所述衬底表面沉积n层二氧化硅膜层，其中，最远离所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度大于最靠近所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度，n≥2；于所述二氧化硅膜层的表面形成磁性材料层；于所述磁性材料层表面形成叠层结构，所述叠层结构用于与所述磁性材料层、所述集成电路和n层所述二氧化硅膜层共同构成磁阻传感器。通过多步沉积二氧化硅膜层，所述膜层形成参数渐变的结构，使得磁性材料在高温中发生微区组分再分布的几率降低，避免了磁性材料的性能衰退，从而提升磁阻传感器的性能。
磁阻传感器制备方法

[发明专利]一种三轴磁传感器及其制备方法-CN201910464493.7有效
发明人：王俊杰;张振兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，以图形化的所述光刻胶层为掩模，对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，暴露出所述第一凹槽的侧壁上的Z轴磁阻结构，再去除所述光刻胶层，以在所述第二凹槽中形成COMS晶体管与AMR的互连通孔时，通过对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，使得第一凹槽侧壁上的硬掩模层可以一次性被去除，从而减少了工艺步骤，降低了生产成本，还提高了三轴磁传感器中Z轴磁阻条的反应灵敏度，提高了三轴磁传感器的性能。另外，本发明使用的各向同性刻蚀工艺和去除光刻胶层的工艺在同一个设备中进行，无需更换设备，缩短了工艺时间，降低了生产成本。
一种三轴磁传感器及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910309884.1有效
发明人：吴荣堂;何瑞鸿;李锦思;吴孟谕;吴思桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了一种可以防止或减少Cu从互连层向磁隧道结(MTJ)结构向外扩散的示例性方法。该方法包括在衬底上形成互连层，该互连层包括其中具有开口的层间介电叠层；在开口中设置金属以形成相应的导电结构；以及选择性地在金属上沉积扩散阻挡层。在该方法中，选择性地沉积扩散阻挡层包括对金属表面进行预处理；设置前体以在金属上选择性地形成部分分解的前体层；以及将部分分解的前体层暴露于等离子体以形成扩散阻挡层。方法还包括在扩散阻挡层上方的互连层上形成MTJ结构，其中MTJ结构的底部电极与扩散阻挡层对准。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种具有M型磁阻曲线器件的制备方法-CN202010772285.6有效
发明人：李慕禅;田仲政;彭沛;于学敏;于达程;任黎明;傅云义 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
一种具有磁阻曲线器件制备方法

[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法-CN201910560580.2有效
发明人：应继锋;侯敦晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。半导体器件包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括：设置在衬底上方的第一磁性层、由非磁性材料制成并且设置在第一磁性层上方的第一非磁性材料层、设置在第一非磁性材料层上方的第二磁性层，以及设置在第二磁性层上方的第二非磁性材料层。第二磁性层包括彼此分离的多个磁性材料片。
磁性随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]一种利用单晶器件中反常自旋流来提高翻转速度的方法-CN202210775267.2在审
发明人：隋文波;杨德政;薛德胜;司明苏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种利用单晶器件中反常自旋流来提高电流翻转效率的方法，通过将晶格的对称点群和铁磁序结合，在具有面内磁化的单晶铁磁薄膜中产生了类似于Dresselhaus自旋电流。对称性分析和宏观自旋模型计算表明，这种反常自旋电流引起的二次谐波霍尔电压在薄膜平面上表现出反对称角度依赖性，这与传统Rasha自旋电流引起的传统对称角度依赖性不同。这种反常自旋电流随铁磁层的厚度呈指数衰减，表明其来源于界面效应。通过进一步插入外延V层来改变铁磁界面，该自旋电流可以大大提高一个数量级，这导致自旋轨道扭矩(SOT)高达3.9×1010(Oe/(A/m2)))，甚至比重金属的还要大。产生具有完全极化的自旋电流的能力有利于设计更有效的自旋轨道矩器件。
一种利用器件反常自旋提高翻转速度方法

[发明专利]一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备-CN201910842365.1有效
发明人：吕飞;叶力 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备，包括：在基底上依次淀积固定层、势垒层和自由层得到基础磁性存储单元；对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。本申请实施例所述的加工方法可降低磁隧道结写入电压脉冲的幅值和宽度，提高磁隧道结写入速度，并且与现有的磁隧道结制程相融合，具有广泛的应用前景。
一种磁性存储单元加工方法随机存储器设备

[发明专利]一种制作磁性随机存储器单元阵列及其周围电路的方法-CN201711011785.2有效
发明人：肖荣福;张云森;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作磁性随机存储器单元阵列及其周围电路的方法，步骤如下：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在其上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属铜；(2)在底电极通孔上制作底电极接触；(3)在存储区域制作磁性隧道结结构单元，磁性隧道结结构单元由底种子层、磁性隧道结多层膜和顶硬掩膜层组成；(4)在逻辑区域制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属铜连线。由于在磁性隧道结的下面增加了一层底电极接触，有效的避免了CMOS后段铜通孔与制作磁性隧道结阵列中的刻蚀工艺直接接着，有利于器件电学性能和良率的提升，同时极大地降低了工艺复杂程度和制造成本。
一种制作磁性随机存储器单元阵列及其周围电路方法

[发明专利]一种制作超小型高密度磁性随机存储器单元阵列的方法-CN201711377375.X有效
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作超小型高密度磁性随机存储器单元阵列的方法，通过在磁性隧道结多层膜和硬掩模层之间添加一层缓冲膜层，并在缓冲膜层侧壁留下收集溅射副产物的凹槽，从而使刻蚀副产物尽量少的到达磁性隧道结的底部。该方法包括如下步骤：步骤一、提供CMOS基底，并在基底上沉积底电极层、磁性隧道结多层膜、缓冲膜层和硬掩模层；步骤二、图形化定义磁性隧道结图案，转移图案到缓冲膜层的顶部；步骤三、刻蚀缓冲膜层，并对缓冲膜层的侧壁进行过刻蚀；步骤四、对磁性隧道结多层膜和底电极层进行刻蚀。采用这种结构，增加了刻蚀/沉积速率比，非常有利于磁性隧道的小型化和进行高密度磁性随机存储器阵列的制作。
一种制作超小型高密度磁性随机存储器单元阵列方法

[发明专利]一种磁性随机存储器的制作方法-CN201711477097.5有效
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器的制作方法，包括如下步骤：(1)在基底上沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜和硬掩模；(2)图形化并刻蚀硬掩模和磁性隧道结多层膜，以形成存储器记忆单元，然后沉积第一覆盖层覆盖磁性隧道结和剩余的硬掩模；(3)图形化并刻蚀形成底电极和假底电极，然后沉积第二覆盖层覆盖被刻蚀暴露的底电极和假底电极边缘；(4)沉积电介质并磨平，然后在存储区域制作位线通孔，在逻辑区域制作逻辑通孔。由于在图案化磁性隧道结之后，才对底电极进行图案化，将会避免先进行图案化带来的底电极顶部的表面不平整；由于多加了一道底电极掩模，可以随意调整底电极的大小，有效避免了底电极太小带来的铜损伤或刻蚀不足。
一种磁性随机存储器制作方法

[发明专利]一种制备磁性隧道结单元阵列的方法-CN201910517322.6有效
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备磁性隧道结单元阵列的方法，具体为，提供表面抛光的带金属连线Mx(x≥1)的CMOS基底；在表面抛光的带金属连线Mx的CMOS基底上，制作底电极通孔；在底电极通孔之上，制作底电极接触/底电极；在平坦化的底电极之上，沉积磁性隧道结多层膜和顶电极，图形化定义磁性隧道结图案，并对顶电极、磁性隧道结和底电极金属进行刻蚀，最后，在刻蚀之后的磁性隧道结的周围沉积一层绝缘覆盖层。该制备磁性隧道结单元阵列的方法，选择在表面抛光的CMOS金属连线上，制作W底电极通孔、非Cu底电极接触/底电极、磁性隧道结和顶电极，并使BEV、BEC、BE、MTJ和TE依次向上叠加并对齐。
一种制备磁性隧道单元阵列方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201810980685.9有效
发明人：林世杰;于淳;威廉·J·加拉格尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了磁阻式随机存取存储器及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件和顶电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，从而暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，从而暴露顶电极。在与顶电极接触的开口中形成导电层。第二绝缘覆盖层具有吸氧特性。
磁阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]一种硬掩模的制备方法及磁随机存储器的制备方法-CN202110466646.9在审
发明人：王曙光;左正笏;李辉辉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种硬掩模的制备方法及磁随机存储器的制备方法，基于初始硬掩模和介质包覆层组成的硬掩模对磁性隧道结薄膜进行刻蚀时，由于介质包覆层包覆初始硬掩模的侧面，进而能够避免在对磁性隧道结薄膜进行刻蚀时，初始硬掩模的侧面导电材质被刻蚀溅射至磁性隧道结薄膜处的情况出现，保证磁随机存储器的制备良率。
一种硬掩模制备方法随机存储器

[发明专利]形成磁阻式随机存取存储器单元的方法-CN201810579866.0有效
发明人：洪庆文;李昆儒 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，包含有下述步骤。首先，形成一第一介电层于一基底上，其中第一介电层包含一第一金属线。接着，形成一图案化第二介电层覆盖第一介电层，其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一金属线。接续，形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层。续之，一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。继之，以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层。后续，形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖金属，因而形成一磁阻式随机存取存储器单元。
形成磁阻随机存取存储器单元方法

[发明专利]蚀刻方法-CN202210269105.1在审
发明人：久保卓也;前原大树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻方法。提供在使用物理溅射现象的加工方法中，抑制溅射的原子向蚀刻侧壁附着的技术。在一个实施方式的蚀刻方法中，通过使用等离子体中的离子的溅射对晶圆进行蚀刻。在晶圆中，将包含难挥发性材料的多层膜的表面上的掩模层的高度(h)除以限定露出表面的露出空间的一部分的邻接的掩模层的两个侧壁在表面形成的间隔(D)得到的纵横比(h/D)满足将侧壁相对于与侧壁交叉且垂直于表面的垂直面的倾斜角度设为θ、将通过溅射产生的离子向垂直面的入射角度的上限值设为的条件：在蚀刻方法中，通过使用由供给到腔室的内部空间中的处理气体生成的等离子体中的离子的溅射对多层膜进行蚀刻。
蚀刻方法

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