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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]刻蚀方法-CN200810113696.3有效
  • 王新鹏;沈满华;孙武;尹晓明 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2008-05-29 - 2009-12-02 - H01L21/311
  • 本发明公开了一种刻蚀方法，包括提供一具有介质层的衬底，所述介质层包括刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的中间介质层；用第一气体对所述中间介质层进行第一刻蚀，刻蚀停止在所述中间介质层内；用第二气体对所述刻蚀停止层和所述中间介质层进行第二刻蚀，第二刻蚀停止在所述刻蚀停止层内；在第二刻蚀之后还包括用第三气体对所述刻蚀停止层进行第三刻蚀，其中，第三气体对刻蚀停止层的刻蚀速率，大于第二气体对刻蚀停止层的刻蚀速率；第三气体对中间介质层的刻蚀速率小于第二气体对中间介质层的刻蚀速率本发明的技术方案利用不同的刻蚀气体对介质层进行选择性的刻蚀，可以减小刻蚀后的中间介质层的根部的凹陷问题。
  • 刻蚀方法
  • [发明专利]晶圆刻蚀的控制方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310507292.7在审
  • 伍林;舒思桅 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-05-08 - 2023-06-09 - H01L21/3065
  • 本申请涉及一种晶圆刻蚀的控制方法、装置、计算机设备和存储介质。晶圆刻蚀的控制方法包括：获取反应腔的边缘区域的边缘刻蚀参数以及中心区域的中心刻蚀参数；确定反应腔的边缘区域的目标边缘刻蚀参数以及中心区域的目标中心刻蚀参数；根据边缘刻蚀参数、中心刻蚀参数、目标边缘刻蚀参数以及目标中心刻蚀参数调节反应腔内的刻蚀气体流量以及中心比率；其中，中心比率为反应腔的中心区域与边缘区域的刻蚀气体流量之比。本申请提供的晶圆刻蚀的控制方法能够使得边缘刻蚀参数始终保持在目标边缘刻蚀参数附近，并使得中心刻蚀参数始终保持在目标中心刻蚀参数附近，从而能够避免晶圆的刻蚀均匀性下降。
  • 刻蚀控制方法装置计算机设备存储介质
  • [发明专利]刻蚀机台的结构及刻蚀方法-CN201210419238.9有效
  • 王骏杰;汤明浩;陈伏宏 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-10-29 - 2014-05-14 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种刻蚀机台的结构，在刻蚀机台原有腔体结构基础上再增加至少一个对准腔。本发明还公开了基于上述改装后的刻蚀机台的刻蚀方法，该方法首先让硅片通过刻蚀机台原有的对准腔进行对准，然后在主刻蚀腔中进行刻蚀工艺；刻蚀完成后，再让硅片进入新增加的对准腔进行对准，然后再次进入主刻蚀腔刻蚀，并视新增加的对准腔的个数，重复对准、刻蚀步骤。本发明通过在刻蚀机台增加对准腔，并根据刻蚀速率分布情况适当修改刻蚀作业的顺序，将原来的一步刻蚀分为多步刻蚀进行，如此使不均匀的刻蚀量形成了互补，从而有效地提高了刻蚀工艺的面内均一性。
  • 刻蚀机台结构方法
  • [发明专利]干法刻蚀机台及干法刻蚀方法-CN201811646355.2有效
  • 高鹏飞;丁玎 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2018-12-29 - 2021-02-02 - H01L21/67
  • 本发明提供了一种干法刻蚀机台及干法刻蚀方法，所述干法刻蚀机台包括用于对基板进行刻蚀的制程腔，所述制程腔包括底板、升降部件、转动部件和承载部件，所述承载部件上设置有基板固定装置，进行干法刻蚀时，调整升降部件和转动部件，使基板的刻蚀面朝下，刻蚀用等离子体从底板上的气孔中释放并向上扩散至刻蚀面，该干法刻蚀机台可防止刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量；本发明还提供了一种干法刻蚀方法，包括使用上述干法刻蚀机台对基板进行干法刻蚀的步骤，该方法可避免刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量。
  • 刻蚀机台方法
  • [发明专利]刻蚀方法和半导体结构-CN202111010653.4在审
  • 马凤麟;李玉岱;金兴成;杨晓芳 - 无锡华润微电子有限公司
  • 2021-08-31 - 2023-03-03 - H01L21/311
  • 本申请涉及刻蚀方法和半导体结构。该刻蚀方法包括获取刻蚀副产物形成的位置，于基层上形成待刻蚀层和牺牲层，牺牲层形成于上述位置下方，于待刻蚀层上形成刻蚀掩膜层，在刻蚀掩膜层的阻挡下刻蚀待刻蚀层，去除刻蚀掩膜层和牺牲层。该刻蚀方法由于在刻蚀副产物形成的位置下方形成牺牲层，使刻蚀副产物与牺牲层直接接触，在去除牺牲层后，由于刻蚀副产物失去了粘附材料，从而使得刻蚀副产物在去除牺牲层后被彻底移除。
  • 刻蚀方法半导体结构
  • [发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030795.6有效
  • 韩秋华 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2006-09-04 - 2008-03-12 - H01L21/311
  • 一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层及图案化的光致抗蚀剂层；将所述刻蚀终止层分为第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层，所述第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层分别具有第一厚度及第二厚度；顺序刻蚀辅助刻蚀终止层、介质层及第一刻蚀终止层；移除光致抗蚀剂层；刻蚀第二刻蚀终止层及部分粘接层，同时进行终点检测。通过在介质层上方增加辅助刻蚀终止层，且所述辅助刻蚀终止层与所述刻蚀终止层材料相同，可保证移除通孔内刻蚀终止层材料时，刻蚀终止层的终点检测获得足够的检测粒子数目，提高刻蚀检测数据的相对稳定性，可实现通孔刻蚀的终点检测
  • 刻蚀方法
  • [发明专利]高深宽比开口刻蚀方法及半导体工艺设备-CN202310397307.9在审
  • 马一鸣;杨光;王京;王启飞;周永杰 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-08-22 - H01L21/311
  • 本发明提供一种高深宽比开口刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该高深宽比开口刻蚀方法包括：利用n个刻蚀步顺序对待刻蚀膜层进行刻蚀以形成目标刻蚀开口，n个刻蚀步所达到的刻蚀深度与待刻蚀膜层中的n个以深宽比划分的深度位置一一对应，其中，n≥2；n个刻蚀步分别采用不同的工艺气体，各个刻蚀步所采用的工艺气体均包括刻蚀气体和保护性气体，保护性气体用于在刻蚀过程中对开口的侧壁进行保护；其中，刻蚀步所达到的刻蚀深度越深，其采用的工艺气体中保护性气体的含量越高。该高深宽比开口刻蚀方法能够以较高刻蚀速率刻蚀得到目标刻蚀开口的基础上，确保对开口侧壁形貌的精确传递。
  • 高深开口刻蚀方法半导体工艺设备
  • [发明专利]一种晶圆刻蚀方法-CN202310145212.8在审
  • 刘道国 - 深圳市尚鼎芯科技有限公司
  • 2023-02-07 - 2023-04-28 - H01L21/306
  • 本发明实施例提供一种晶圆刻蚀方法，涉及集成电路制造，该方法包括：氧化步骤：向设于晶圆上的刻蚀槽内通入氧气，通过氧气对所述刻蚀槽的底部和侧壁进行氧化，形成具有平滑界面的氧化层，之后停止通入氧气；沉积步骤：向所述刻蚀槽内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体刻蚀所述氧化层，形成连续光滑的聚合物层，得到沉积表面；刻蚀步骤：向所述刻蚀槽内通入刻蚀源，通过所述刻蚀源对所述刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀；循环沉积步骤和刻蚀步骤多次，直至在刻蚀步骤中将所述刻蚀槽的必要尺寸刻蚀到各自的误差范围内。采用氧化步骤、沉积步骤、刻蚀步骤使得每块晶圆的各尺寸刻蚀到各自的误差范围内，晶圆的各关键性尺寸具有较好的均匀度。
  • 一种刻蚀方法
  • [发明专利]一种湿刻蚀工艺-CN201210510898.8无效
  • 郑建博;黄兴成 - 彩虹（佛山）平板显示有限公司
  • 2012-12-03 - 2013-04-03 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种湿刻蚀工艺，包括对玻璃基板进行上料、EUV、刻蚀、刻蚀浴、清洗、风刀以及最终出料，通过在传统刻蚀工序后加入刻蚀浴，可以避免基板在刻蚀液中完成刻蚀后突然进入清洗使得药液浓度陡变导致的刻蚀不良，降低基板产生刻蚀不均匀的几率，待刻蚀的图形实现同步刻蚀，得到理想的光滑的图形线条，且刻蚀均匀，从而提高基板的良率。
  • 一种刻蚀工艺
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