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[发明专利]FD-SOI的工艺方法-CN201910820714.X在审
发明人：唐小亮;辻直樹 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：FD‑SOI的工艺方法，包含：第1步，提供一FD‑SOI晶圆，所述FD‑SOI晶圆包含由单晶硅组成的硅衬底，以及硅衬底上的下层氧化层、SOI层以及上层氧化层；通过沟槽工艺形成隔离区，然后利用光刻胶定义，打开需要刻蚀的晶圆区域；第2步，通过光刻胶打开的窗口，对FD‑SOI晶圆进行刻蚀，将窗口内的上层氧化层刻蚀掉，打开上层氧化层下方的SOI层；第3步，去除光刻胶；使用湿法刻蚀工艺将窗口内打开的上层氧化层下方的SOI层刻蚀掉。本发明所述的FD‑SOI晶圆的工艺方法，通过工艺的更新，采用了干法刻蚀加酸洗刻蚀的组合工艺，使SOI层的去除更加容易，同时不会影响下层的氧化物层甚至硅衬底,有利于提高工艺的可控性及器件的可靠性，减少了对器件性能的影响
氧化层晶圆刻蚀光刻胶硅衬底上层去除下层单晶硅氧化层刻蚀干法刻蚀沟槽工艺晶圆区域器件性能湿法刻蚀氧化物层组合工艺隔离区可控性加酸更新

[发明专利]台阶金属结构及硅光子器件结构的制备方法-CN202111404497.X在审
发明人：陈东石;涂芝娟;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种台阶金属结构及硅光子器件的制备方法，包括：1)在基底上形成台阶结构；2)于台阶结构上沉积隔离介质层；3)沉积金属层，顶面金属的厚度大于侧壁金属的厚度；4)于金属层上形成图形阻挡层；5)干法刻蚀显露的顶面金属的第二部分，使顶面金属的第二部分与侧壁金属的第二部分的厚度概呈相等；6)采用各项同性刻蚀工艺去除显露的顶面金属的第二部分和侧壁金属的第二部分。本发明采用金属干法刻蚀和各向同性刻蚀工艺技术组合，通过进一步调整金属干法刻蚀和各向同性刻蚀的刻蚀厚度比例，可以使台阶结构顶面的断面位置的金属层横向腐蚀更小，金属层的横向腐蚀尺寸更可控。
台阶金属结构光子器件结构制备方法

[实用新型]一种具备自动翻转拿取结构的刻蚀装置-CN202121356764.6有效
发明人：黄修飞;詹建东;梁思胜 -专利权人：赫得纳米科技（黄石）有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具备自动翻转拿取结构的刻蚀装置，包括横向导轨板、刻蚀枪、刻蚀加工台和稳定底板，所述刻蚀加工台的底端中部通过螺栓安装有第一电推杆，且第一电推杆的底端通过镶嵌方式安装在支撑架上，所述刻蚀加工台的顶部一侧通过铰接方式安装有翻转的工件放置板，在工件放置板上设置有开口朝内侧的工件放置槽，所述刻蚀加工台的内部一侧设置有工件接收槽，所述工件接收槽的内部设置有送料带，所述送料带安装在两根输送辊之间，且两根输送辊两端之间安装有侧护板。该实用新型的通过横向导轨板、支撑杆、稳定底板和刻蚀加工台组合而成，整体结构设计较大简单，去除了全包或者半包的外壳，使其整体造价大大降低。
一种具备自动翻转结构刻蚀装置

[实用新型]一种多层柔性电路板刻蚀组合装置-CN202123220976.4有效
发明人：宋振武;杨亚兵;汪子龙;万应琪 -专利权人：江西强达电路科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层柔性电路板刻蚀组合装置，包括密封盖、刻蚀桶和底座，所述底座上表面安装有环形导轨，所述环形导轨上表面安装有滑块，所述滑块上表面安装有托盘，所述托盘上表面安装有定位柱，所述刻蚀桶下表面安装有定位孔，所述刻蚀桶通过下表面的定位孔与托盘上表面的定位柱间隙连接，所述底座上表面一侧安装有支架，所述支架另一端安装有气缸，所述气缸另一端安装有连接板，所述连接板下表面安装有连接柱，所述连接另一端安装有U型块，本实用新型通过一系列结构的设置，使电路板与刻蚀液混合均匀，提高了刻蚀液的电路板的刻蚀效果，实用性强。
一种多层柔性电路板刻蚀组合装置

[发明专利]基板的制造方法及使用其的发光元件的制造方法-CN201680062906.3有效
发明人：小林秀行;弓场智之 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明使用如下树脂组合物来提供表面雕刻有曲面状图案的基板的制造方法，所述树脂组合物能够将抗蚀剂图案形成为曲面状，即使在成为高温的高输出功率干法刻蚀处理中也不产生抗蚀剂灼烧、碳化，能够提供具有良好的刻蚀选择比和刻蚀后的除去性的固化膜本发明为经图案加工的基板的制造方法，所述制造方法包括：在基板上设置包含以下成分的树脂组合物的被膜的工序，所述成分为：(A)选自以下组中的碱溶性树脂，所述组由聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺前体、聚酰胺酰亚胺前体上述树脂中的至少两种以上的共聚物、及上述树脂中的至少一种与其他结构单元的共聚物组成，(B)光产酸剂，以及(C)选自由环氧化合物及氧杂环丁烷化合物组成的组中的至少一种化合物；形成被膜的图案的工序；以被膜的图案作为掩模，利用刻蚀对基板进行图案加工的工序；以及将树脂组合物的被膜除去的工序。
制造方法使用发光元件

[发明专利]一种功能性聚合物和底部抗反射涂层组合物及其制备方法-CN202111201717.9有效
发明人：马丽丽;王静;毛鸿超;宋里千;肖楠 -专利权人：厦门恒坤新材料科技股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种功能性聚合物和底部抗反射涂层组合物及其制备方法。所述功能性聚合物具有式(1)所示的结构，这种特定结构的功能性聚合物能够赋予底部抗反射涂层组合物良好的附着力、流平性和膜收缩率。此外，含有这种特定结构的抗反射涂层组合物可溶于水碱性显影液中，减少了刻蚀工艺，减少一定的刻蚀能量。
一种功能聚合物底部反射涂层组合及其制备方法

[发明专利]一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法-CN202110452245.8在审
发明人：鲁晨泓;尹淞;刘江华;张建 -专利权人：芯越微电子材料（嘉兴）有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法，包括磷酸、硝酸、醋酸以及缓冲剂；以重量百分比为计，磷酸为30‑60％、硝酸为2‑20％、醋酸为12‑40％、缓冲剂为0.01‑10％和去离子水5‑50％。本发明可以将金属银及其氧化物转化为可溶于水的盐，反应稳定性性高、对同一衬底上的金属银及其氧化的刻蚀速率基本一致、刻蚀速率可控性高、对小颗粒银残留问题得到根本改善、反应稳定性性高，避免沉淀附着影响刻蚀效率及表面平整度；在使用过程中无特殊限制，可采用侵泡式、喷淋式或侵泡喷淋组合式；可实现复合膜层一步刻蚀、刻蚀稳定性高、改善银盐附着现象明显。
一种复合刻蚀及其制备方法

[发明专利]用于光刻介质组合物的聚合物以及光刻介质组合物-CN202310712932.8在审
发明人：张爱强;吴嘉龙;江一敏;师东;陈仁治;陈渊 -专利权人：嘉庚创新实验室
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本申请涉及用于光刻介质组合物的聚合物以及光刻介质组合物，该聚合物具有下述通式(1)所示的结构单元。本发明聚合物在保持了一个富碳结构(即多苯环结构)的情况下，在结构中引入了仲羟基结构，仲羟基结构可在材料成膜过程中提供交联位点，提高材料整体交联密度，进而提升材料的耐刻蚀性能。本申请的聚合物在溶解性和耐刻蚀性方面均具有优异的性能，在提升耐刻蚀性的同时兼顾了其溶解性，非常适合作为耐刻蚀介质层材料。
用于光刻介质组合聚合物以及

[发明专利]用于去除刻蚀残留物的组合物-CN200780027419.4无效
发明人：刘兵;彭洪修;王淑敏 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：用于去除刻蚀残留物的组合物，包括清洗有效量的溶剂、缓冲水溶液、氟化物、抗冻剂、聚合物抑制剂，可用于清洗半导体制造过程中的刻蚀残留物，且不会侵蚀SiO₂、PETEOS、硅、低介质材料和一些金属物质如
用于去除刻蚀残留物组合

[发明专利]刻蚀沟槽的方法-CN202010275676.7在审
发明人：崔锺武;金成基;李俊杰;周娜;李琳;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种刻蚀沟槽的方法，包括以下步骤：在半导体基体上形成模氧化层；在所述模氧化层上形成硬掩模层，所述硬掩模层的制备方法包括在硅源气体中添加掺杂气体沉积形成；所述掺杂气体选自硼源气体、碳源气体、氮源气体中的任一种或至少两种的组合；对所述硬掩模层进行构图；基于所述硬掩模层形成的图案对模氧化层进行刻蚀形成沟槽。本申请通过在在硅源气体中添加掺杂气体沉积形成硬掩模层，这样能让深宽比的电容器在模氧化层刻蚀时，减少硬掩模层膜厚的损失，使得模氧化层可以按照目标关键尺寸进行刻蚀，降低了模氧化层的刻蚀难度。
刻蚀沟槽方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201710674709.3有效
发明人：刘清召;王久石;路达 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：阵列基板的制备方法包括：在基底上依次形成有源层、栅绝缘层、栅金属层以及图形化光刻胶；采用湿法刻蚀和干法刻蚀形成栅极过渡图案；形成有源层的重掺杂区；形成栅极和有源层的轻掺杂区。本发明通过采用“湿法刻蚀+干法刻蚀”组合工艺形成栅极过渡图案，不仅克服了现有技术过刻需求大导致的关键尺寸偏差，而且克服了现有采用纯干法刻蚀因光刻胶损耗大影响后续掺杂的问题。
阵列及其制备方法显示装置

[实用新型]一种拼合压纹装置-CN201520989281.8有效
发明人：苏醒;苏宇男 -专利权人：上海遨提新材料技术咨询有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： B44B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拼合压纹装置，包括A组合辊、B组合辊和气缸，所述的A组合辊和B组合辊的表面上均设置有凹凸槽，所述的A组合辊和B组合辊通过凹凸槽相互咬合，所述的气缸分别与A组合辊和B组合辊相连接，所述的A组合辊和B组合辊均包括辊轴芯和压纹凸起，多个所述的压纹凸起绕装在辊轴芯的外壁上，所述的压纹凸起上还设置有刻蚀花纹。通过上述方式，本实用新型提供的拼合压纹装置，多个压纹凸起绕装在辊轴芯的外壁上，压纹凸起上还设置有刻蚀花纹，当某一压纹凸起产生磨损时，可以快速进行更换，而不影响生产的速度，生产效率高，使其能够连续稳定生产
一种拼合装置

[发明专利]用于选择性地去除硅衬底的单侧发射极层的方法和湿法工作台-CN202080085034.9在审
发明人： J-C·雅各比;E·基林;B·曼特梅尔;B·瓦滕伯格;P·瑞斯托;P·诺亚克 -专利权人：新格拉斯科技集团
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：所述方法至少包括以下两个步骤：‑通过将仅第一侧(13)的硅酸盐玻璃层(7)与第一刻蚀溶液(17)接触，选择性地去除硅衬底(3)的仅第一侧(13)上的硅酸盐玻璃层(7)，所述第一刻蚀溶液(17)刻蚀硅酸盐玻璃而基本上不刻蚀硅；以及‑通过使第一侧(13)上的发射极层(5)与第二刻蚀溶液(19)接触来去除硅衬底(3)的第一侧(13)上的发射极层(5)，所述第二刻蚀溶液(19)刻蚀硅并且基本上不刻蚀硅酸盐玻璃。通过在发射极去除过程中用使用诸如不含HNO3和/或不含NOx的HF基的第一刻蚀溶液(17)和使用例如碱性基作为第二刻蚀溶液(19)的两步序列代替常规的基于包含HF和HNO3的刻蚀组合物的单步刻蚀工艺，可具有各种益处。
用于选择性去除衬底发射极方法湿法工作台

[发明专利]一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法-CN202310843212.5在审
发明人：陈军;程鑫;王林;顿爱欢;徐学科;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法，包括：对熔石英坯料的切割、铣磨成型、等离子体深刻蚀、等离子体浅刻蚀和离子束抛光进行后处理抛光。本发明全工艺加工过程采用非接触式加工，基于非接触式的等离子体刻蚀和离子束抛光处理工艺，直接对精密铣磨后的熔石英坯料进行组合加工，获得具有光滑表面和高损伤阈值的熔石英元件。
一种具有光滑表面损伤阈值石英元件加工方法

[发明专利]集成电路装置及用以使用于该集成电路装置中的方法-CN201310103561.X有效
发明人：施彦豪;陈士弘;叶腾豪;胡志玮;蔡丰年;林烙跃 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该集成电路装置，包括一由多个介电/导电层形成的叠层，以形成多个层间连接件；层间连接件自装置的一表面延伸至导电层；多个接触开口建立而贯穿一介电层至一第一导电层；N个刻蚀掩模具有分隔的多个开放刻蚀区及位于他处的多个掩模区，2N-1小于W且2N大于或等于W；层所形成的叠层是以仅贯穿W-1个接触开口而建立多个延伸接触开口，延伸接触开口延伸至W-1个导电层；利用各刻蚀掩模来透过至少半数的接触开口而刻蚀2n-1个导电层，n＝1、2...N；接触开口是以刻蚀掩模的不同组合的开放刻蚀区来进行刻蚀；层间连接件形成于接触开口内。
集成电路装置用以使用中的方法