“刻蚀组合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1423971个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]微电子机械系统器件成型的刻蚀终止控制-CN03818718.3无效
发明人： R·D·霍尔宁 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2003-08-05 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：这种组合层具有一小于约5.17电子伏的小表面功函。该半导体衬底以阳极氧化的方式键合到玻璃晶片上，然后通过刻蚀从该结构上除去硅，且不会使所述微电子机械器件出现明显的过度刻蚀。
微电子机械系统器件成型刻蚀终止控制

[发明专利]油墨组合物和3D玻璃的装饰方法以及3D装饰玻璃-CN201710357609.8有效
发明人：刘萌;林宏业;宫清 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C09D11/104 文献下载
摘要：本发明涉及3D玻璃表面装饰领域，公开了一种油墨组合物和3D玻璃的装饰方法以及3D装饰玻璃。该油墨组合物中包括炭黑和沉淀二氧化硅、且以所述油墨组合物的总重量为基准，炭黑的含量为3‑6重量％，沉淀二氧化硅的含量为6‑12重量％；其中所述炭黑的黑度值My大于250。本发明通过提供了一种新型的油墨组合物，利用这种油墨组合物所形成的油墨层吸光效果好、易于被镭雕处理的特点，采用激光由3D玻璃基板的一侧刻蚀位于3D玻璃基板另一侧的吸光油墨层以形成局部镂空的装饰油墨层，该方案通过采用激光刻蚀吸光油墨层以形成局部镂空的装饰油墨层
油墨组合玻璃装饰方法以及装饰玻璃

[发明专利]一种碳化硅晶体制备方法-CN202110362787.6有效
发明人：王宇;杨田 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了一种碳化硅晶体制备方法，包括：(1)选取至少一个衬底，对至少一个衬底进行抛光处理和清洗处理；(2)在第一条件下，通入氢气对至少一个衬底进行原位刻蚀处理；(3)在第二条件下，通入丙烷和氢气对至少一个衬底进行碳化处理；(4)在第三条件下，通入硅烷、丙烷和氢气，在至少一个衬底上通过气相沉积生长碳化硅晶体，得到包括衬底和碳化硅晶体的至少一个组合晶体；(5)将组合晶体置于温度为500～1200℃的环境中至少冷却降温至少1h；(6)将组合晶体置于室温环境中降温；(7)将组合晶体加热到50～100℃内，使用刻蚀溶液在50～100℃下对组合晶体进行超声清洗第一时长，得到基面位错密度为120‑2000cm‑2的碳化硅晶体。
一种碳化硅晶体制备方法

[发明专利]光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法-CN202111483647.0在审
发明人：周元基 -专利权人：潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法，具体涉及光刻胶技术领域。该光刻胶组合物包括聚对羟基苯乙烯均聚物和光致去活剂，两者的质量比为100‑600:2‑50。该光刻胶组合物光敏感性强，采用248nm深紫外光刻的光源曝光后，在500nm膜厚下，曝光剂量可以降低至10mJ/cm2以下。该聚对羟基苯乙烯均聚物无保护基团，能够参与交联，所以具有较高的碳原子含量，明显提高耐干法刻蚀性能，提高刻蚀比，大幅提高客户生产效率，降低生产成本。
光刻组合制备方法应用形成图案

[发明专利]一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法-CN202210514712.X在审
发明人：宓珉瀚;杜翔;马晓华;周雨威;王鹏飞;龚灿;安思瑞;张濛;侯斌 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：器件及其制备方法，方法包括：制备外延基片，外延基片由下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；在缓冲层上制作源电极和漏电极；在势垒层上制作有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极和势垒层上生长介质层；在介质层的预设组合凹槽内制作栅电极，其中，栅电极位于源电极和漏电极之间，预设组合凹槽为由沿栅宽方向在介质层内呈间隔排列的多个凹槽组合而成；在金属互联开孔区的源电极和漏电极以及未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，以蒸发形成金属互联层。本发明的势垒层完全被介质层保护，从而避免了刻蚀损伤带来的器件电学性能的退化。
一种基于介质阈值耦合 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种丝蛋白组合液涂复涤纶织物的方法-CN200610053417.X有效
发明人：朱良均;杜孟芳;闵思佳;沈灏波 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： D06M23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种丝蛋白组合液涂复涤纶织物的方法，包括：将涤纶织物放入NaOH溶液、乙二胺溶液、表面活性剂1227溶液的混合溶液中，进行涤纶织物表面的化学刻蚀减量处理；再用清水洗至中性；或先用乙酸中和后，再用清水洗至中性；然后将涤纶织物放入丝蛋白组合液中，浸渍处理；然后用无水乙醇或120℃水蒸气进行结晶化处理；热水中洗涤；脱水干燥，即获得丝蛋白组合液涂复涤纶织物。本发明利用丝蛋白溶液对涤纶织物进行功能改性处理，改善了涤纶织物的吸湿性和服用性，提高了涤纶织物的档次和附加值；通过化学刻蚀减量处理方法，开发了一种新型的具有保健功能的蚕丝蛋白涂复涤纶织物面料，特别是吸湿性提高
一种蛋白组合液涂复涤纶织物方法

[发明专利]一种基于硅/玻璃阳极键合的微器件可动结构制备方法-CN201310112200.1有效
发明人：孙道恒;占瞻;何杰;杜晓辉;虞凌科;李益盼;王凌云 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：1）将玻璃片与硅片键合在一起，形成硅/玻璃组合片以及中间的牺牲氧化层；2）将步骤1）得到的硅/玻璃组合片的硅片减薄并抛光；3）在减薄后的硅片上刻蚀出可动结构；4）将硅/玻璃组合片置于氢氟酸溶液中，腐蚀可动结构底部的牺牲氧化层，使刻蚀结构与玻璃片分离，得到基于硅/玻璃阳极键合的可动结构。
一种基于玻璃阳极器件结构制备方法

[发明专利]一种激光加工晶圆的方法及装置-CN201710575865.4有效
发明人：刘嵩;侯煜;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：所述方法沿着晶圆上表面的预定切割道方向改变激光光束与预定切割道之间的相对位置以在所述预定切割道上形成凹槽，包括：将第一激光光束经整形处理后形成开槽平顶光斑；将第二、三激光光束经整形处理后形成重叠平顶光斑并将其重叠在开槽平顶光斑上，形成具有边缘能量大于中间能量的“M”形能量分布的组合平顶光斑；由组合平顶光斑对所述预定切割道进行刻蚀形成凹槽；由开槽平顶光斑对所述凹槽再次进行刻蚀。本发明能够通过在开槽平顶光斑边缘两侧分别与重叠平顶光斑进行重叠并形成具有边缘能量大于中间能量的“M”形能量分布的组合平顶光斑，提高所述凹槽的槽形结构和晶圆加工的成品率。
一种激光加工方法装置

[发明专利]一种碳化硅晶体制备装置及其生长方法-CN202110363903.6有效
发明人：王宇;杨田 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：所述方法在多腔体生长装置中进行，所述多腔体生长装置包括多个腔体；所述方法包括：将至少一个衬底依次在多个腔体之间进行传送和处理；在所述多个腔体中的一个腔体内，通过气相沉积生长碳化硅晶体，得到包含所述衬底和碳化硅晶体的至少一个组合晶体；在第一温度区间，使用刻蚀溶液对所述组合晶体进行刻蚀，得到基面位错密度为120‑2000cm‑2的所述碳化硅晶体。通过采用多腔体生长装置制备碳化硅晶体，将至少一个衬底或组合晶体同时或依次在各腔体之间进行传送，实现了流水线式批量生产碳化硅晶体，提高了生产效率。
一种碳化硅晶体制备装置及其生长方法

[发明专利]中心波长渐变的带通滤光片制备方法-CN201510562808.3在审
发明人：潘永强;弥谦;韩军;宋俊杰;杭凌侠 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种中心波长渐变的带通滤光片制备方法，根据带通滤光片中心波长的位置与间隔层光学厚度成正比的关系在真空室中采用等离子体增强化学气相沉积完成第一高反射膜堆和间隔层的制备，然后在真空室中采用离子束刻蚀和掩模板组合技术对不同位置处的间隔层进行不同的厚度刻蚀本发明所提供的中心波长渐变滤光片的制备方法只需经过一次第一高反射膜1和间隔层的镀制、离子束与掩模组合刻蚀、第二高反射膜堆的镀制就可完成n个中心波长渐变滤光片的制备，方法简单、效率高。
中心波长渐变滤光制备方法

[发明专利]细线宽多振镜头激光刻蚀机-CN201711356830.8在审
发明人：陈刚;袁聪;方小春;汪伟 -专利权人：武汉吉事达科技股份有限公司
申请日： 2017-12-16 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B23K26/06 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种细线宽多振镜头激光刻蚀机，包括机架、控制系统、计算机系统、激光发生器、吸附平台、二维振镜头、X、Y轴直线运动平台和F‑θ透镜组，控制系统、计算机系统和激光发生器都安装在机架上，激光发生器的激光头、二维振镜头和F‑θ透镜组安装在吸附平台上方，激光发生器的激光头的激光出光孔与二维振镜头的激光进光孔同心，F‑θ透镜组安装在二维振镜头下部，多件激光发生器的激光头、二维振镜头和F‑θ透镜组组合后并排安装相邻的激光发生器的激光头、二维振镜头和F‑θ透镜组组合之间的距离为F‑θ透镜组刻蚀的幅面宽度两倍及以上的整数倍。本发明的细线宽多振镜头激光刻蚀机，加工速度快，生产效率高。
二维振镜头激光发生器激光头透镜组激光刻蚀机振镜头细线透镜控制系统吸附平台计算机系统激光并排安装生产效率幅面出光孔进光孔整数倍刻蚀同心加工

[发明专利]聚合物材料对金属表面的改进粘合性-CN200710104462.8无效
发明人： D·L·小怀特尼;G·S·博基沙;C·V·毕晓普;A·C·维塔勒;J·R·科钦拉 -专利权人：阿托特希德国有限公司
申请日： 2001-07-23 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理金属基材以改进聚合物材料与该金属基材的粘合性的方法，包括以下步骤：晶粒间刻蚀该金属基材的表面；和通过将该晶粒间刻蚀表面浸渍在浸镀组合物中而将浸镀金属镀覆到晶粒间刻蚀表面上，该组合物包含选自锡
聚合物材料金属表面改进粘合

[发明专利]聚合物材料对金属表面的改进粘合性-CN01814811.5有效
发明人： D·L·小怀特尼;G·S·博基沙;C·V·毕晓普;A·C·维塔勒;J·R·科钦拉 -专利权人：阿托特希德国有限公司
申请日： 2001-07-23 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理金属基材以改进聚合物材料与该金属基材的粘合性的方法，包括以下步骤：晶粒间刻蚀该金属基材的表面；和通过将该晶粒间刻蚀表面浸渍在浸镀组合物中而将浸镀金属镀覆到晶粒间刻蚀表面上，该组合物包含选自锡
聚合物材料金属表面改进粘合

[实用新型]双面YBCO薄膜结构的超导开关-CN201220574643.3有效
发明人：王豫;桂志兴;李海涛;严仲明;王亮;刘阳 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L39/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面YBCO薄膜结构的超导开关，工作于在液氮温区具有电、磁以及其优化组合的控制方式，开关主体由双面结构的YBCO薄膜材料构成。超导层被刻蚀空隙(100)阻挡分割成曲折路径；超导层上具有若干散布的刻蚀空孔(3)，且正反两面的刻蚀空孔呈交错排布。
双面 ybco 薄膜结构超导开关

[发明专利]沟槽型双层栅MOS结构的制造方法-CN201710003975.3在审
发明人：陈晨 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS器件的制作方法，步骤包括1)在硅衬底上通过刻蚀形成沟槽；2)在沟槽内生长沟槽层接膜；3)在沟槽内生长多晶硅，并反刻蚀，形成源极多晶硅；4)去除部分沟槽层接膜，使沟槽层接膜的高度低于源极多晶硅的高度；5)生长厚度为的薄氧化层；6)淀积氮化硅；7)生长栅极多晶硅，并反刻蚀至硅衬底表面；8)进行基极注入、源级注入，淀积层间介质层，刻蚀接触孔，制作金属和钝化层，完成器件的制作。本发明通过优化栅氧和介质层的膜质结构，通过薄栅氧+氮化硅的组合，提高了栅氧的质量，从而提高了器件的耐压性能和可靠性，满足了两层多晶硅间的漏电要求。
沟槽双层 mos 结构制造方法

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条