“刻蚀组合”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1423971个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]刻蚀溶液和刻蚀方法-CN201711190003.6有效
发明人：张瑞朋;丁敬秀 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种刻蚀溶液和刻蚀方法，所述刻蚀溶液包括：刻蚀剂；添加剂，所述添加剂包括阻挡颗粒。通过在所述刻蚀溶液中添加包含有阻挡颗粒的添加剂，在所述待刻蚀层侧壁露出后，使所述阻挡颗粒进入所述待刻蚀层的侧壁位置处，并填充于所述待刻蚀层的侧壁上，以实现抑制所述刻蚀剂对所述待刻蚀层侧壁刻蚀的目的，从而改善下切问题、提高湿法刻蚀效果，实现有利于工艺效率和刻蚀效果的兼顾。
刻蚀溶液方法

[发明专利]刻蚀装置和刻蚀方法-CN201110459321.4无效
发明人：宋利建;车志广 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀装置和刻蚀方法，其中，刻蚀装置包括：并行设置的多个喷管(1)和与喷管(1)连接的第一喷嘴，刻蚀装置还包括：喷液装置(3)，位于喷管(1)的上游侧，喷液装置(3)包括：液体注入部；液体存储部本发明有效地解决了刻蚀不均匀的问题。
刻蚀装置方法

[实用新型]刻蚀喷管及刻蚀设备-CN201420858914.7有效
发明人：张田超 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刻蚀喷管及刻蚀设备。刻蚀喷管包括喷管管道和固定在喷管管道一侧的喷嘴，喷管管道与喷嘴连通，刻蚀喷管还包括与喷嘴位于喷管管道同侧的导流件，导流件包括主体，主体的外表面为斜面，斜面上设有导流槽，导流槽与喷管管道的轴线之间有夹角，湿法刻蚀生产过程中，附着在湿法刻蚀喷管上的酸性大液滴会沿着主体的外表面滑至导流槽内，随后沿导流槽滑至与导流槽相连通的喷嘴上，继而随喷嘴喷射的刻蚀液喷洒出去。因此，与传统的湿法刻蚀喷管相比，本申请的安装有导流件的刻蚀喷管能够防止酸性大液滴掉落到基板上，保证了刻蚀均匀，产品良率高。此外，刻蚀设备包括上述的刻蚀喷管。
刻蚀喷管设备

[实用新型]刻蚀罐及刻蚀设备-CN201120001043.3有效
发明人：孙文昌;靖瑞宽;张家欢 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-01-04 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刻蚀罐及刻蚀设备，涉及半导体器件刻蚀技术，解决了现有液位传感装置在检测刻蚀液的液位高度时存在的寿命短及降低半导体器件生产效率的问题。本实用新型依据连通原理在罐体侧面设置液位传感装置，并在连通管的一端设置测距装置，通过测量测距装置与液位传感装置内液面的距离，可以实现以非接触的方式对刻蚀罐罐体内刻蚀液的液位高度进行测量，由于测距装置不接触刻蚀液，使得液位传感装置受刻蚀液腐蚀的几率降低，从而提高了液位传感装置的寿命，进而能防止刻蚀设备频繁停机，能提高半导体器件的生产效率。
刻蚀设备

[发明专利]一种具有倾斜侧壁刻蚀孔的刻蚀方法-CN201210444565.X有效
发明人：石刚;刘翔宇;许颂临 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种具有倾斜侧壁的刻蚀孔刻蚀方法，所述刻蚀方法用于刻蚀的基片上依次形成有刻蚀停止层、刻蚀目标层和掩膜层，将待刻蚀基片放入等离子反应腔后以所述掩膜层为掩膜，以第一刻蚀工艺刻蚀目标材料层，形成刻蚀孔垂直于下方刻蚀停止层的刻蚀孔；以第二刻蚀工艺刻蚀去除所述掩膜层；以第三刻蚀工艺刻蚀所述去除掩膜层后的目标材料层，直到所述形成修正后的刻蚀孔，修正后的刻蚀孔侧壁与所述下方刻蚀停止层平面形成的夹角小于80度。
一种具有倾斜侧壁刻蚀方法

[发明专利]一种等离子刻蚀残留物清洗液-CN201110162958.7在审
发明人：孙广胜;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C11D7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氟的半导体工业中等离子刻蚀残留物清洗液，该清洗液组合物含有：a)有机溶剂 5％～75％；b)水 10％～50％；c)氟化物 0.1％～20％；d)有机胺 0.1％～20％；e)氨基酸本发明的清洗液组合物可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，对于基材如低介质材料(SiO2、PETEOS)和一些金属物质(如Ti，Al，Cu)等具有较低的蚀刻速率，同时具有抑制铝铜合金流电腐蚀的能力
一种等离子刻蚀残留物清洗

[发明专利]三维电路及其制造方法-CN201710187807.4在审
发明人：杨金成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：接触区域的组合在全部W个层上提供着陆区，在组合中的各接触区域具有在W个层的不同子集上的着陆区。一种装置的形成方法，使用刻蚀‑修整工艺以在全部接触区域中形成M个层，且在一些接触区域中使用一次或多次的非等向性刻蚀。
三维电路及其制造方法

[发明专利]一种单颗芯片剥离的组合反射镜式长波长VCSEL的制备方法-CN202211008408.4在审
发明人：鄢静舟;季晓明;薛婷;柯程;杨奕;吴建忠 -专利权人：福建慧芯激光科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种单颗芯片剥离的组合反射镜式长波长VCSEL的制备方法，涉及半导体光电子技术领域，该制备方法包括如下步骤：(1)在InP衬底上生长外延层；(2)在外延层表面制作第一反射镜，并将外延层刻蚀成若干单颗独立的VCSEL芯片；(3)在第一反射镜表面粘合最终衬底，并选择性刻蚀各VCSEL芯片的牺牲层从而将VCSEL芯片从InP衬底剥离；(4)制作第二反射镜。本发明的制备方法能够大大减小衬底剥离难度和制程时间，实现了长波长VCSE所必需的InP衬底的回收利用，极大地降低了企业的生产成本，并为VCSEL上下两端设置组合反射镜提供了必要的技术支持。
一种芯片剥离组合反射镜式长波长 vcsel 制备方法

[发明专利]一种组合式振镜三维激光刻蚀设备-CN202310913492.2在审
发明人：霍利华;张爱玲 -专利权人：大连柯映信息科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明涉及激光刻蚀设备技术领域，本发明公开了一种组合式振镜三维激光刻蚀设备，包括主体结构、平面折射结构以及增维折射结构；所述平面折射角结构固定设置于主体结构中的上壳体内，所述增维折射结构固定设置于主体结构中的下壳体内镜的移动，提高整体平面扫描范围；通过驱动增维折射结构，使Z镜与Y镜相对，实现三次折射，使激光沿Z轴方向运动，进而实现三维空间的扫描加工；继而可以实现对立体的工件侧避加工，无需调转工件；整体构造简单，便于组装组合使用
一种组合式三维激光刻蚀设备

[发明专利]一种超疏水高分子柔性膜及其制备方法-CN202110707875.5有效
发明人：薛森;彭华乔;石涛;夏祖西;苏正良 -专利权人：中国民用航空总局第二研究所
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C08L53/02 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物，它包括以下重量份的组分：SEBS 1份；低表面能物质改性硅藻土3‑3.44份。在优选方案中，其还包括SEBS的良溶剂10份。将上述组合物用于制备超疏水高分子柔性膜，其具体是通过刻蚀方法，在铝合金表面构造微纳米粗糙结构，在SEBS的良溶剂中加入疏水改性的无机粒子，涂覆在刻蚀铝板表面，溶剂挥发成膜，剥离，使得粗糙结构在膜的表面成功复制
一种疏水高分子柔性及其制备方法

[发明专利]一种湿法蚀刻的刻蚀率改善方法-CN202011024298.1在审
发明人：张楠楠;黄焱誊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法蚀刻的刻蚀率改善方法，包括用于刻蚀作业的刻蚀反应室，所述刻蚀反应室连接刻蚀液供料机构，所述刻蚀液供料机构连接有纯化水供料机构，所述纯化水供料机构根据刻蚀液供料机构内的刻蚀液pH值变化范围向所述刻蚀液供料机构内注入纯化水，保证所述刻蚀液供料机构内的刻蚀液氢离子浓度和氟离子浓度稳定，从而保证进入刻蚀反应室中刻蚀液的氢离子浓度和氟离子浓度稳定，保证刻蚀液刻蚀率稳定性，改善了刻蚀液刻蚀率升高问题。
一种湿法蚀刻刻蚀改善方法

[发明专利]湿法刻蚀设备-CN201510107896.8有效
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿法刻蚀设备。该湿法刻蚀设备具有去除刻蚀腔外刻蚀液结晶的功能，其包括刻蚀腔，其内部通过刻蚀液对基片上的待刻蚀薄膜进行刻蚀，在其前端具有刻蚀腔入口，在其后端具有刻蚀腔出口；喷淋管，设置于所述刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口的下方，该喷淋管可朝向上方喷射液体，以清洗在刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口处形成的刻蚀液结晶。本发明通过喷淋管对刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处进行喷淋，可有效去除在刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处产生的大量刻蚀液结晶，提高设备稼动率，洁净度及产品质量，解决了TFT基板制作工艺中的一大难题。
湿法刻蚀设备

[发明专利]有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法-CN201811407799.0有效
发明人：包征;范磊;辛燕霞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法。该有机膜的刻蚀方法包括通过聚焦离子束对有机膜的待刻蚀位置进行刻蚀，刻蚀过程中，向有机膜的待刻蚀位置的待刻蚀面上通入水汽。该有机膜的刻蚀方法，通过在聚焦离子束刻蚀有机膜的工艺过程中向待刻蚀面上通入水汽，能够有针对性地快速刻蚀有机膜的待刻蚀位置，且在刻蚀过程中不会对有机膜的其他非刻蚀位置造成刻蚀损伤，从而解决了现有的浓硫酸刻蚀所导致的非刻蚀位置遭到刻蚀损伤的问题，同时还加快了刻蚀速度。
有机刻蚀方法显示区域电路修补

[实用新型]一种刻蚀设备-CN201620191637.8有效
发明人：刘宁;魏钰;宋博韬 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种刻蚀设备，涉及显示器件制备领域，在喷淋刻蚀过程中，刻蚀液能够对光刻胶边缘所覆盖的薄膜层进行刻蚀。该刻蚀设备包括刻蚀腔，刻蚀腔内设置有工作台和刻蚀液喷头，工作台用于承载待刻蚀基板，待刻蚀基板包括依次覆盖衬底基板的薄膜层和光刻胶，刻蚀液喷头可向所述待刻蚀基板上喷淋刻蚀液。工作台连接有振动机构，用于驱动所述工作台振动，以使得上述待刻蚀基板上的刻蚀液与光刻胶边缘覆盖的薄膜层相接触。该刻蚀设备用于对待刻蚀基板进行刻蚀。
一种刻蚀设备

[发明专利]一种具有定时保护功能的湿法刻蚀用装置-CN202110556219.X在审
发明人：夏秋月 -专利权人：夏秋月
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有定时保护功能的湿法刻蚀用装置，属于湿法刻蚀用装置领域，一种具有定时保护功能的湿法刻蚀用装置，本方案中，在磁性刻蚀件进行刻蚀的过程中，当磁性刻蚀件从刻蚀液中取出后，迅速对磁性刻蚀件表面的刻蚀液进行清洗，避免磁性刻蚀件表面存在的刻蚀液对磁性刻蚀件上已经形成的蚀痕进行侧蚀，不易造成加工废品，在加工过程中，利用磁性刻蚀件与连接柱轴心不共线的特点，在磁性刻蚀件自身重力作用下，使得磁性刻蚀件发生局部侧覆，使得磁性刻蚀件表面的刻蚀液及时滑落，可以实现大幅增加刻蚀的自动化加工程度，使得湿法刻蚀的时长严格安装预定的标准进行，增加湿法刻蚀的成功率，增加湿法刻蚀的加工效率。
一种具有定时保护功能湿法刻蚀装置