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[发明专利]含金刚烷结构的聚合性化合物、其制备方法和树脂组合物-CN200780028549.X无效
发明人：畠山直良;大野英俊;伊藤克树 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C07C69/653 文献下载
摘要：本发明提供具有如通式(1)所示结构的、具有含氟取代基(Z)、金刚烷结构以及聚合性基团(A)的聚合性化合物，其制备方法，含有使用该聚合性化合物得到的聚合物的光刻胶组合物、热固性树脂组合物和光固化性树脂组合物通过使用本发明的含金刚烷结构的聚合性化合物及其树脂组合物，在光刻领域中，在浸没曝光法中，有抑制浸没介质的渗透，且提高干法刻蚀耐性的效果；在纳米压印法中，可以降低与模具的附着，且提高干法刻蚀耐性。
金刚结构聚合化合物制备方法树脂组合

[发明专利]一种拼接工艺拼接处的优化方法-CN202110788958.1在审
发明人：陈一萌;姬峰;陈昊瑜;王奇伟;秦佑华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在重叠区域上下两侧添加高度h、长度L的第一台阶图形；高度h取四组数据，长度L取四组数据，形成十六组第一台阶图形；在重叠区域上下两侧、第一台阶图形两边添加高度为h/2、长度为L的第二台阶图形；第一、第二台阶图形组合形成十六组添加图形；十六组添加图形与第一、第二图形组合形成优化图形；利用第一、第二图形形成第一刻蚀图形；利用优化图形形成第二刻蚀图形；比较第一、第二刻蚀图形的线宽，选择接近目标线宽值的高度和所述长度的组合。本发明解决了原GDS图形因拼接重叠，重叠区域二次曝光导致刻蚀图形线宽缩小的问题，提高了像素单元的性能。
一种拼接工艺优化方法

[发明专利]一种单晶硅摆片的制作方法-CN201811407172.5在审
发明人：赵坤帅;余才佳;雷宏杰;李鹏飞 -专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G01P15/02 文献下载
摘要：本发明属于加速度计工艺技术领域，为一种单晶硅摆片的制作方法，包含以下步骤：本发明将单晶硅片(1)氧化形成氧化层(2)，双面刻蚀出挠性梁窗口(3)，再将其双面沉积氮化硅(4)，释放单面挠性梁窗口(5)，进行湿法刻蚀，形成挠性梁厚度结构(6)，之后在未湿法刻蚀面光刻制作摆片结构图形(8)，进行干法刻蚀，形成摆片外形结构(9)与挠性梁结构(6)。采用干湿法组合工艺制作单晶硅摆片，结合了湿法刻蚀工艺纵向刻蚀精度高和干法刻蚀高深宽比的优势工艺特点，适宜制作小结构、复杂结构、异性结构，此外，本发明工艺简单，可批量生产制作，具有较强的工艺一致性。
摆片挠性梁单晶硅制作湿法刻蚀干法刻蚀工艺技术领域工艺一致性单晶硅片复杂结构高深宽比工艺特点厚度结构加速度计结构图形双面沉积双面刻蚀外形结构异性结构组合工艺氮化硅干湿法氧化层光刻刻蚀释放生产

[实用新型]PSG清洗机携液轮-CN201220034804.X有效
发明人：张允良;邢国政;杨毓;王朝辉;王步峰;王冬松 -专利权人：润峰电力有限公司
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PSG清洗机携液轮，包括安装在刻蚀槽中的多个滚轮，每个滚轮上安装有多个携液轮，携液轮的表面沿周向方向设有若干个锯齿形槽。本实用新型的携液轮有几大优势：刻蚀均匀性好，工艺易调整：由于是携液式，不受泵流量的影响，因此刻蚀均匀性好，工艺伸缩性强，2.节省化学药液，不言而喻，携液式肯定节约药液，3刻蚀面积随意调整，而不会造成过刻或是刻不通的影响，同时我们将携液轮设计成宽度不一的尺寸，使不同规格的携液轮组合成使用性较强的组合体，可根据不同的产品需求进行调整，从而达到无需更换传动轮就可以满足生产需求，维护成本低。
psg 清洗机携液轮

[发明专利]刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法-CN01812516.6无效
发明人： P·纳兰;H·奥卢塞伊 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2001-06-22 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体结构中刻蚀钨或氮化钨的方法，特别涉及在刻蚀工艺中需要精确控制的栅极的刻蚀。我们发现了一种刻蚀钨或氮化钨的方法，该方法允许精确刻蚀外形控制，同时提供例如至少为175∶1的优异选择率，这有利于刻蚀钨或氮化钨而不是相邻的氧化物层。典型的氧化物选自氧化硅、氮氧化硅、氧化钽、氧化锆及其组合。不管通过物理气相淀积(PVD)或化学气相淀积(CVD)进行淀积，该方法都适用于钨或氮化钨。特别是，在钨或氮化钨刻蚀工艺的主要部分(主刻蚀)期间使用的初始刻蚀化学处理采用了其中化学功能刻蚀剂物质由六氟化硫(SF6)和氮气(N2)或者三氟化氮(NF3)、氯(Cl2)和四氟化碳(CF4)的混合物产生的等离子体源气向着主刻蚀工艺的结束时，采用其中化学功能刻蚀剂物质由Cl2和O2产生的第二化学处理。这个刻蚀工艺的最后部分可称为“过刻蚀”工艺，因为该刻蚀至少进行到钨或氮化钨下面的表面。
刻蚀半导体结构中的氮化栅极方法

[发明专利]谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法-CN202010482344.6有效
发明人：张明亮;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G01L13/00 文献下载
摘要：一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片进行双面刻蚀，形成谐振子层；将硅层与玻璃层阳极键合，刻蚀玻璃层，形成图案化玻璃组合体；将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合；在谐振子层上形成谐振子；在谐振子层上形成测温pn结；将谐振子层的另一面与另一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合，形成双面键合组合体；对双面键合组合体进行双面刻蚀，在两个硅层上分别形成感压膜；将两个硅面分别与玻璃保护盖板对准阳极键合
谐振 mems 压压传感器及其制备方法

[发明专利]碳化硅晶圆沟槽刻蚀方法-CN202310052664.1在审
发明人：单双;薄洪生;徐永斌;冯东明;王哲 -专利权人：江苏昕感科技有限责任公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶圆沟槽刻蚀方法，属于半导体器件制造技术领域，该方法包括：形成图形化硬掩膜层；采用包含SF6、O2和H2的刻蚀气体通过图形化硬掩膜层进行预定时间的干法刻蚀形成初步碳化硅沟槽；通过包含O2和H2的清洗气体对初步碳化硅沟槽进行清洗处理；重复以上步骤对碳化硅衬底进行周期性刻蚀直到形成预定深度的碳化硅沟槽。本申请提供的方法通过采用SF6+O2+H2的气体组合刻蚀碳化硅沟槽，刻蚀‑清洗‑刻蚀周期性循环进行，直至达到预设刻蚀深度，每个循环步中设置合理的时间，使刻蚀和清除达到一个平衡，另外刻蚀气体中引入氢气，来调节沟槽侧壁以及底部生成的聚合物层的厚度，改善沟槽侧壁以及底部的粗糙度，可得到平滑的沟槽表面
碳化硅沟槽刻蚀方法

[发明专利]形成用于亚分辨率衬底图案化的刻蚀掩模的方法-CN201680067813.X在审
发明人：安东·J·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：技术包括使用具有不同刻蚀特性的多种材料来选择性刻蚀特征并在指定的位置创建切口或块。在下层上形成交替材料的图案。将刻蚀掩模安置在交替材料的图案上。刻蚀掩模和交替材料的其余线一起形成限定亚分辨率特征的组合刻蚀掩模。
交替材料刻蚀掩模分辨率特征下层图案选择性刻蚀高分辨率刻蚀特性其他材料图案化分辨率衬底减小去除创建切割安置制造

[发明专利]一种塑料组合物及其表面选择性金属化工艺-CN200810141987.3有效
发明人：林信平;宫清;刘倩倩;陈炎 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2008-08-23 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明提供一种塑料组合物及其表面选择性金属化工艺。本发明所提供的塑料组合物包含有高分子聚合物、光催化剂，聚合物、光催化剂的质量比为1～100。本发明所提供的塑料组合物表面选择性金属化工艺，包括以下步骤：激光刻蚀塑料组合物表面，然后激光刻蚀后的塑料组合物放入含有金属离子盐和空穴牺牲剂的水溶液中，进行光催化还原反应，得到表面有纳米级金属粒子的塑料组合物采用本发明所提供的塑料组合物及其表面选择性金属化工艺，镀层结合力以及化学镀精度都非常高。
一种塑料组合及其表面选择性金属化工艺

[发明专利]一种拼合压纹装置-CN201510875273.5在审
发明人：苏醒;苏宇男 -专利权人：上海遨提新材料技术咨询有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： B44B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种拼合压纹装置，包括A组合辊、B组合辊和气缸，所述的A组合辊和B组合辊的表面上均设置有凹凸槽，所述的A组合辊和B组合辊通过凹凸槽相互咬合，所述的气缸分别与A组合辊和B组合辊相连接，所述的A组合辊和B组合辊均包括辊轴芯和压纹凸起，多个所述的压纹凸起绕装在辊轴芯的外壁上，所述的压纹凸起上还设置有刻蚀花纹。通过上述方式，本发明提供的拼合压纹装置，多个压纹凸起绕装在辊轴芯的外壁上，压纹凸起上还设置有刻蚀花纹，当某一压纹凸起产生磨损时，可以快速进行更换，而不影响生产的速度，生产效率高，使其能够连续稳定生产，结构简单
一种拼合装置

[发明专利]蚀刻组合物-CN202111624865.1在审
发明人：张文贝;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体蚀刻工艺领域，尤其涉及一种蚀刻组合物。一种蚀刻组合物，包括氢氧化铵的衍生物、氧化剂、含氟蚀刻剂、有机溶剂、腐蚀抑制剂和水。本发明蚀刻组合物不但特别适用应用于湿法蚀刻钼及氮化钛，且能够调节对钼/氮化钛的蚀刻选择性；采用了本发明的蚀刻组合物，在能够有效刻蚀钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)的情况下，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀
蚀刻组合

[发明专利]用于先进后端工艺线互连的组合大马士革和减薄金属刻蚀的系统及方法-CN201310433537.2无效
发明人： J·H·张;L·A·克莱文杰;C·拉登斯;徐移恒;W·克利迈耶;C·戈德堡 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：通过组合大马士革工艺和减薄金属刻蚀来将金属互连形成在集成电路中。在电介质层中形成宽沟槽。在宽沟槽中沉积导电材料。在导电材料中刻蚀沟槽，以限定多个金属插塞，每个金属插塞包括被宽沟槽暴露出的相应的金属迹线。
用于先进后端工艺互连组合大马士革金属刻蚀系统方法

[发明专利]一种铝钼蚀刻液及其制备方法-CN201110461737.X有效
发明人：殷福华;季文庆;朱龙;邵勇;栾成 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝钼蚀刻液及其制备方法，所述铝钼蚀刻液包括以下重量百分比的组合物：磷酸60％～80％；硝酸1％～10％；醋酸钠1％～10％；聚氧乙烯烷基苯基醚0.1％～0.5％；水10％～30％。本发明提供的铝钼蚀刻液及其制备方法，通过在铝钼蚀刻液中引入的醋酸钠起到了缓冲剂的作用，使刻蚀速度得到控制，从而达到控制住刻蚀角度的要求，能满足不同客户对刻蚀角度的要求；加入非离子型界面活性剂聚氧乙烯烷基苯基醚，使产品对金属层的渗透性提高，从而达到控制刻蚀量的要求，能满足不同客户对刻蚀量的要求。
一种蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种改善深亚微米级闪存器件耦合率的沟槽氧化物的刻蚀方法-CN201610163759.0有效
发明人：黄海辉;杨渝书;乔夫龙;李程 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明方法提出一种改善深亚微米级闪存器件耦合率的沟槽氧化物的刻蚀方法，采用第一干法刻蚀+湿法腐蚀+第二干法刻蚀组合，利用干法刻蚀有效克服填充氧化物密度不均匀的特点，由第一干法刻蚀将沟槽内开口处密度疏松区域的氧化物去除，使后续刻蚀的氧化物界面保持高度相同，且密度均匀一致，然后通过湿法腐蚀去除由第一干法刻蚀造成的多晶浮栅侧壁的氧化物侧墙，使该部分侧壁完全没有氧化物覆盖，再由第二干法刻蚀实现高度一致的沟槽内氧化物底部，以及统一形貌的保护遂穿氧化层的多晶浮栅侧壁底部的氧化物侧墙
一种改善微米闪存器件耦合沟槽氧化物刻蚀方法

[发明专利]一种多层柔性电路板刻蚀组合装置-CN202010988175.3在审
发明人：王敏 -专利权人：深圳市高信电路有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层柔性电路板刻蚀组合装置，包括底座、第一支撑柱、第二支撑柱、转动轴、电机、刻蚀池、通液管口、移动夹持架、滑动轨道、液压缸组件、移动板与回收槽，底座顶部的左端设置有第一支撑柱，第二支撑柱设置于底座顶部的右端，转动轴设置于第一支撑柱、第二支撑柱之间，电机电性设置于转动轴的右端，刻蚀池设置于转动轴上，通液管口设置于刻蚀池上，移动夹持架设置于的滑动轨道，滑动轨道设置于刻蚀池左右内壁上，液压缸组件设置于刻蚀池的内底部本发明通过整体翻转刻蚀池代替搅拌器进行液体的充分混，避免搅拌过程对电路板造成损伤，提高加工效率。
一种多层柔性电路板刻蚀组合装置