|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1867899个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]蚀刻液-CN202211240753.0在审
-
吴鉴
-
苏州华星光电技术有限公司
-
2022-10-11
-
2023-01-17
-
C23F1/16
- 本发明实施例公开了一种蚀刻液；该蚀刻液用于同时蚀刻金属层和半导体层，该蚀刻液包括过硫酸化合物、无机酸、含氟化合物、唑类化合物、有机酸、及水，以质量百分比计，蚀刻液的各组分含量如下：过硫酸化合物5wt％至，无机酸0.1wt％至5wt％，含氟化合物0.1wt％至4wt％，唑类化合物0.1wt％至6wt％，有机酸0.1wt％至6wt％；本发明通过利用过硫酸化合物中过硫酸根离子的氧化作用，加强对于半导体层的蚀刻，实现同时对于金属层和半导体层的蚀刻，一次性湿蚀刻金属线层和置于金属线下方的半导体层，将传统的两次干蚀刻和两次湿蚀刻制程缩减成一次干蚀刻和两次湿蚀刻，提高了制造的生产节拍和效率。
- 蚀刻
- [发明专利]蚀刻液-CN201810269618.6有效
-
吉崎了
-
长濑化成株式会社
-
2018-03-29
-
2023-09-29
-
H01L21/3213
- 本发明的目的在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液即使水分蒸发，也能够抑制草酸析出，不仅有机膜和SiN的残渣除去性优异，而且玻璃的残渣除去性也优异，适合用于氧化铟系膜的蚀刻。另外，本发明的目的还在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，进一步本发明的目的还在于提供一种维持高蚀刻速率的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)具有2个以上的羟基的伯胺和/或多元醇以及(C)水，该蚀刻液被用于氧化铟系膜的蚀刻。
- 蚀刻
- [发明专利]蚀刻液-CN201280011860.4无效
-
向喜广;安江秀国;吉崎了;西岛佳孝
-
长濑化成株式会社
-
2012-03-05
-
2013-12-18
-
C23F1/18
- 本发明目的在于提供一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法，该蚀刻液可以对铜配线横截面赋予良好的顺锥形状，而且侧蚀量少、容易形成精细图案的线路，并几乎不会对透明导电膜产生损伤，蚀刻速率稳定且易于对蚀刻废液进行再利用和回收本发明是一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法，用于对至少具有1层铜膜和铜合金膜的金属膜的所述铜膜和铜合金膜进行蚀刻，该蚀刻液含有：二价铜离子和三家铁离子的至少1种；至少1种的卤离子；甘氨酸、2－
- 蚀刻
- [实用新型]蚀刻机-CN201721309349.9有效
-
钱俊
-
深圳市柔宇科技有限公司
-
2017-10-11
-
2018-05-22
-
C23F1/08
- 本实用新型公开了一种蚀刻机。蚀刻机用于蚀刻工件。蚀刻机包括蚀刻槽，液位检测装置，储液罐，供液管路和控制装置。蚀刻槽用于容置蚀刻液，设有工件入口处。液位检测装置用于检测工件入口处的蚀刻液的液位。储液罐用于存储蚀刻液。供液管路连接储液罐和蚀刻槽。供液管路设有阀门。控制装置连接液位检测装置和阀门，控制装置用于在工件入口处的蚀刻液的液位低于预设液位时控制阀门使储液罐内蚀刻液输入工件入口处。本实用新型的蚀刻机可以控制补充工件进入蚀刻槽时工件入口处流失的蚀刻液，避免工件进入蚀刻槽时背面存在气泡使得工件表面局部接触不到蚀刻液而蚀刻不均，存在斑点(Mura)。
- 蚀刻
|
