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[发明专利]LED芯片无损阵列检测装置及方法-CN202110532053.8有效
发明人：吴朝兴;陈荣;郭太良;张永爱;周雄图;王堃;刘晔 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
led 芯片无损阵列检测装置方法

[发明专利]立方型PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法-CN202211580431.0有效
发明人：杨尊先;郭太良;孟宗羿;叶雨亮;陈烨;张辉;张永爱;周雄图;吴朝兴;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
立方 pn snse znse 多阱核壳量子材料制备方法

[发明专利]基于级联仪表放大器的超高输入阻抗神经信号采集电路-CN202310669147.9在审
发明人： 周雄图;徐正杰;张柏权 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于级联仪表放大器的超高输入阻抗神经信号采集电路，包括依次连接的采集电极、级联仪表放大器、可编程增益放大器和模数转换器；所述级联仪表放大器为二级低噪声放大器，包括第一级低噪声放大器和第二低噪声放大器；所述采集电极捕捉到神经信号电位并传输至级联仪表放大器，放大N倍；然后通过可编程增益放大器放大至所需幅值后传输至模数转换器进行数据转换。本发明通过减小输入和反馈电容来提高输入阻抗和节省有源面积的本征反馈放大器集成电路。
基于级联仪表放大器超高输入阻抗神经信号采集电路

[发明专利]一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法-CN202010535701.0有效
发明人：张永爱;翁雅恋;郭太良;周雄图;吴朝兴;严群;孙捷;林志贤;陈培崎 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
一种全彩三极发光显示器件制造方法

[发明专利]应用于晶圆级LED芯片无接触电检测的复合介质层-CN202310693864.5在审
发明人：吴朝兴;叶芸;张永爱;周雄图;郭太良;苏昊 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提出应用于晶圆级LED芯片无接触电检测的复合介质层，所述的电极板是一个导电平面基板，其表面设置有导电微型尖端阵列，导电微型尖端的表面进一步设置有纳米复合介质层。在导电平面基本上设置微型尖端阵列可以有效集中表面电场，降低设备工作时所需的电压。在微型尖端表面设置纳米复合介质层可以根据外部电场变化产生电荷积累进一步稳定空间电场，可无接触驱动LED芯片，从而实现低压、稳定的晶圆级LED检测。
应用于晶圆级 led 芯片接触检测复合介质

[发明专利]采用探针结构对Micro-LED芯片进行无接触巨量检测的方法-CN202310674572.7在审
发明人：苏昊;张树钱;吴朝兴;陈荣;郭太良;张永爱;周雄图 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供采用探针结构对Micro‑LED芯片进行无接触巨量检测的方法，为实现该方案首先提供了一种用于Micro‑LED芯片巨量检测的特殊探针，该特殊探针核心组件包括探针头模块以及柱型金属腔体。将待测Micro‑LED芯片阵列放置于导电层上，特殊探针竖置于待测Micro‑LED芯片阵列上方，且特殊探针与Micro‑LED芯片阵列无接触，通过供电模块在特殊探针与导电层之间施加交流高压电，使晶圆上的多个Micro‑LED芯片产生电致发光现象，能大大提高检测效率。此外，无接触可以避免传统针测造成的物理损伤。在特殊探针的柱型金属腔结构中，填充绝缘物质，进一步增强其抗干扰能力。
采用探针结构 micro led 芯片进行接触巨量检测方法

[发明专利]一种彩色电润湿电子纸实时色彩转换方法-CN202210658851.X有效
发明人：林志贤;陈明真;林珊玲;赵铁松;郭太良;叶芸;周雄图;张永爱;林坚普 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种彩色电润湿电子纸实时色彩转换方法。将视频分解成一帧帧的图像数据，并对图像进行分区处理；然后将图像色彩转换成256阶的灰度值信息，而后进行32×32的离散余弦变换（DCT）将图像灰度信息转换为频率分量；对32×32矩阵隔位取出8×8矩阵，并对所有数值求平均；灰度值大于均值或大于下一个像素值的记为1，反之记为0，计算哈希值，构造长整型指纹，对分区像素进行查找分组；再对相似的局部特征经池化层求平均的降采样处理；通过权值矩阵将前后层的特征神经元全连接；最后将目标像素分区RGB色彩信息根据色彩转换准则与驱动电压‑开口率特性曲线，将各个目标像素的RGB色彩计算转化为CMY油墨的驱动电压，并保存以便下次播放无需重复计算。
一种彩色润湿电子实时色彩转换方法

[发明专利]一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片-CN202010535463.3有效
发明人：孙捷;郭太良;吴朝兴;黄忠航;张永爱;周雄图;严群 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
一种带有单片集成驱动电路 led 显示芯片

[发明专利]一种人体手部骨架检测方法及系统-CN202111150158.3有效
发明人：林志贤;林依林;林珊玲;林坚普;张永爱;周雄图;叶芸;郭太良 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06V40/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种人体手部骨架检测方法，首先处理待识别图片，获取目标人体手部骨架的初始姿态，然后获取处理所述待识别图片过程中不同解码层输出的特征图，之后处理所述特征图得到特征图数据，并从所述特征图数据中提取与所述初始姿态对应的位置数据作为输入数据，最后输入所述初始姿态以及所述输入数据至经过训练的图卷积神经网络，获取所述目标手部骨架的最终姿态，其中，所述图卷积神经网络的矩阵表示根据人体手部骨架结构的约束关系确定。该技术方案通过结合人体关节结构之间的基本约束信息以及挖掘出的特征图中包含的被遮挡关键点的相关数据，能够精确地调整被遮挡关键点的位置，因此对于人体手部骨架的检测具有较高的正确率。
一种人体骨架检测方法系统

[发明专利]一种基于超分辨率重建的显示画质优化方法及系统-CN202111156447.4有效
发明人：林志贤;竺可沁;林珊玲;林坚普;张永爱;周雄图;叶芸;郭太良 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于超分辨率重建的显示画质优化方法及系统，该方法包括超分辨率重建过程和对比度增强过程，超分辨率重建过程采用基于生成对抗网络GAN的网络框架对输入的低分辨率图像进行超分辨率重建；GAN网络框架由生成器和判别器两部分组成，生成器包括16个卷积模块，其后设置3个亚像素卷积层和1个升采样层，以得到一个四倍放大率的输出图像；判别器采用8个卷积模块，使用Leaky ReLU作为激活函数；预训练网络以首先针对PSNR进行优化，然后对其进行微调；对比度增强过程采用基于CLAHE的对比度增强算法对超分辨率重建得到的图像进行对比度增强。该方法及系统有利于重建出视觉感受更好、更为真实的图像。
一种基于分辨率重建显示画质优化方法系统

[发明专利]一种新型高压输电线状态检测装置-CN202310466393.4在审
发明人：王朋朋;张志鹏;吴朝兴;陈荣;郭太良;张永爱;周雄图 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种新型高压输电线状态检测装置，包括：绝缘外壳，设置于所述绝缘外壳内的多个遮光外壳，设置于所述遮光外壳内部不同位置的半导体发光芯片，用于传输每个半导体发光芯片光信号的多股光纤，设置于遮光外壳外侧的漏电保护器，以及用于接收光纤传输光信号的光电探测器；通过采集接收光信号波形信息并进行处理，得到高压输电线的电压幅值信息和摆动状态，以实时反馈高压输电线的位置状态。
一种新型高压输电线状态检测装置

[发明专利]基于二元纳米光栅的2D/3D可切换立体显示装置-CN202310057662.1在审
发明人： 周雄图;张嘉伟;张永爱;吴朝兴;郭太良;林志贤;严群 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B30/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二元纳米光栅的2D/3D可切换立体显示装置，包括：偏振可控光源、光线准直器、像素阵列光调制器和二元纳米光栅相位调制板；从偏振可控光源中出射的光源经过光线准直器进行准直，从光线准直器中出射的准直光经过像素阵列光调制器，进入二元纳米光栅相位调制板；当TM光开启，TE光关闭时，二元纳米光栅对TM光不产生偏折，像素阵列光调制器提供平面图像，实现2D显示；当TE光开启，TM光关闭时，二元纳米光栅对TE光产生光线偏折，通过二元纳米光栅周期、高度、深宽比调控TE光光线的相位，进而调控光线的偏折角度和汇聚位置，实现3D显示。该器件结构简单，裸眼3D显示视场角宽，亮度大，切换简便快速。
基于二元纳米光栅切换立体显示装置

[发明专利]一种新型GaN外延结构及其制备方法和应用-CN202310169618.X有效
发明人：孙捷;潘魁;张恺馨;陈年瑞;严群;周军;苏安军;周雄图;张永爱;郭太良 -专利权人：长沙湘计海盾科技有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型GaN外延结构及其制备方法和应用。该新型GaN外延结构包括LED‑on‑FET和FET‑on‑LED两种结构，该结构中LED和FET在同一个衬底上单片集成，共享一个相同的材料平台。本发明通过MOCVD法在衬底上原位生长的新型LED‑on‑FET和FET‑on‑LED外延结构，并将这种新型GaN外延结构作为原料制备单片垂直集成发光器件应用于有源矩阵Micro‑LED和Mini‑LED显示屏。本发明解决了现有的有源矩阵MicroLED和MiniLED显示屏工艺中存在的必须将分别在不同衬底上的驱动电路和LED像素进行转移键合集成的技术难题，具有工业化应用的潜力。
一种新型 gan 外延结构及其制备方法应用

[发明专利]一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)-LED的集成器件及其制备方法-CN202310222471.6在审
发明人：张永爱;苏文娟;郭太良;周雄图;吴朝兴;严群;孙捷;张恺馨;叶金宇 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)‑LED的集成器件，包括P型氮化镓层、量子阱层、第一N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第三N型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、集电极金属接触层、长余辉材料层和氧化镁增透膜层；所述衬底、缓冲层、第三N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第一N型氮化镓层、从下至上依次设置；所述量子阱层设于第一N型氮化镓层上；所述阳极金属接触设于所述P型氮化镓层之上；所述环形长余辉材料层环绕于阳极金属接触层周围；所述氧化镁增透膜层环绕于所述第一N型氮化镓层之上；所述集电极金属接触层设于缓冲层上。本发明实现具有传感和显示双重功能的显示面板可以提供实时通信，使设备能够感知外部信号并同时显示信息的显示面板。
一种用于光学交互显示 uvpt bjt led 集成器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法-CN202010535434.7有效
发明人：张永爱;翁雅恋;郭太良;周雄图;吴朝兴;严群;孙捷;林志贤;何恩德 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K59/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
一种半导体混合全彩三极发光显示器件制造方法

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