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[发明专利]光刻掩模组件及其制造方法-CN202110312358.8在审
发明人：陆埼达;涂志强;林政旻;陈庆跃;胡威仲;许廷彰;陈昱彤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：根据本发明的光刻掩模组件随附光刻掩模。该光刻掩模包括在衬底上方的覆盖层和设置在覆盖层上方的吸收层。本申请的实施例还涉及制造光刻掩模组件的方法。
光刻模组及其制造方法

[发明专利]超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置-CN202210453660.X在审
发明人：黄执祥;王栋;侯广杰 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明属于掩模版制作领域，尤其涉及一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置，其中，超结MOS器件OPC掩模版制作方法包括以下步骤：对掩模图形进行光学临近效应修正分析获得辅助图形；获得光刻机可识别的主图曝光数据，获得所述光刻机可识别的辅图曝光数据；将所述主图曝光数据和所述辅图曝光数据导入所述光刻机；所述光刻机先根据所述主图曝光数据对掩模版坯料进行曝光，再根据所述辅图曝光数据对所述掩模版坯料进行曝光；对完成曝光之后的所述掩模版坯料依次进行显影、刻蚀、去胶，获得OPC掩模版。减少图形转换时间，缩短了OPC掩模版制作所需时间，提高了OPC掩模版制作效率。
mos 器件 opc 模版制作方法装置

[发明专利]掩模板及应用其制造薄膜晶体管阵列基板的方法-CN201110024105.7有效
发明人：惠官宝;崔承镇;张锋;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板及应用其制造薄膜晶体管阵列基板的方法，涉及半导体领域的掩模技术，解决了使用现有双色调掩模板的光刻工艺中，光刻胶上各图案区之间，高浓度显影液向低浓度显影液扩散的问题。本发明通过在掩模板上的两个图案区间设置冗余图案，并用该掩模板对光刻胶曝光，使得在显影过程中，光刻胶上形成的对应于掩模板冗余图案的光刻胶冗余图案，该光刻胶冗余图案可阻挡高浓度显影液向低浓度显影液扩散，从而提高了产品良率
模板应用制造薄膜晶体管阵列方法

[发明专利]形成不同深度沟槽的集成电路制造方法-CN201510435897.5有效
发明人：马兰涛;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种形成不同深度沟槽的集成电路制造方法，包括：在硅衬底的上面需要淀积硬掩模层；把需要进行沟槽刻蚀的硬掩模层区域打开；刻蚀以使所有沟槽的深度达到工艺要求的浅沟槽刻蚀深度目标；在硬掩模层上及浅沟槽内涂布一层掺硅抗反射光刻胶，在掺硅抗反射光刻胶上涂布光刻胶，对光刻胶进行第二次光刻，把需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域打开；去除需要进行深沟槽刻蚀的光刻胶区域内的浅沟槽内的掺硅抗反射光刻胶；去除光刻胶，去除硬掩模层上面的掺硅抗反射光刻胶；进行第二次沟槽刻蚀工艺，使深沟槽刻蚀的总深度达到工艺要求的深沟槽深度目标，把残留掺硅抗反射光刻胶去除；将衬底上的残留的硬掩模层去除。
硬掩模层反射光硅抗刻蚀深沟槽去除浅沟槽集成电路制造光刻胶区域工艺要求深度沟槽深度目标光刻胶残留沟槽刻蚀刻蚀工艺次沟槽硅衬底胶去除衬底次光淀积

[发明专利]用于光刻设备的掩模整形装置及掩模整形方法-CN201310563365.0有效
发明人：李玉龙;李玲雨;许琦欣 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种用于光刻设备的掩模固位系统，包括：掩模台和被承载的掩模；其特征在于，还包括掩模真空整形装置，用于使所述掩模保持面形、补偿挠曲。本发明同时公开一种用于光刻设备的掩模整形的方法。与现有技术相比较，本发明解决了步进扫描光刻机中，大掩模板自重变形补偿问题，使掩模板在整个扫描运动过程中，自重变形得到有效控制，无需通过物镜对物面进行调节。通过在掩模台和密封舱之间设置卡合装置，避免发生位移。
掩模光刻设备整形装置掩模板掩模台整形步进扫描光刻机变形补偿固位系统卡合装置扫描运动有效控制密封舱面形挠曲物镜物面变形承载

[发明专利]一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法-CN202210709200.9在审
发明人：郑怀志;施维 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，属于光刻机技术领域，具体包括：制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；量测第一量测图形和第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对晶圆进行第二层曝光；量测第一层的图形与第二层的图形的位置偏差值B；根据位置偏差值A和位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；将位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。
一种 euv 光刻 duv 图形位置对准方法

[发明专利]一种硬掩模结构及制作方法-CN202210269500.X在审
发明人：金志勋 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硬掩模结构及制作方法。硬掩模结构包括：光刻胶层，通过光刻胶暴光后形成图形样式；氮氧化硅层，氮氧化硅层的一侧与光刻胶层的一侧连接；掩模层，掩模层的一侧与氮氧化硅层的另一侧连接；以及图案制作层，图案制作层的一侧与致密碳层的另一侧连接制作方法，包括：在图案制作层上制作掩模层；在掩模层上制作氮氧化硅层；在氮氧化硅层上制作光刻胶层。本发明实施例通过光刻胶层、氮氧化硅层、掩模层和图案制作层；实现了提升光刻胶下部与氮氧化硅膜同样可以起到硬掩模作用的层的界面特性及图形样式的形成性能，从而实现图案的精密或深度加工。
一种硬掩模结构制作方法

[发明专利]U形栅极的形成方法-CN201510624106.3有效
发明人：桑宁波;李润领;关天鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-27 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种U形栅极的形成方法，包括：在硅片中形成有源区和浅沟槽隔离；在硅片上依次形成栅氧化层和栅极多晶硅薄膜，在栅极多晶硅薄膜上沉积硬掩模层；布置光刻胶，并且对光刻胶进行第一次光刻以形成H型图案，并且通过干法刻蚀将H型图案转移到硬掩模上；旋涂填充材料将硬掩模上的H型图案填平；随后布置光刻胶并进行第二次光刻，形成用于将硬掩模上的H型图案切断以形成U形图案的光刻胶图案；通过干法刻蚀将所述光刻胶图案转移到硬掩模上以形成U形图案；进行最终刻蚀将硬掩模上的U形图案转移到多晶硅上形成U形栅极。
栅极形成方法

[发明专利]微纳米结构的制备方法-CN201611093544.2有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种微纳米结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一第一基板，所述第一基板的表面上设置有一光刻胶层；将一光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和设置于该第二基板的表面上的一复合层；采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得该紫外光穿过所述第二基板及复合层入射至该光刻胶层上，对该光刻胶层进行曝光；从所述光刻胶层的表面上移除所述光刻掩模板，对曝光后的光刻胶层进行显影处理，得到一图案化的光刻胶微纳米结构
光刻胶层掩模板光刻微纳米结构第二基板第一基板复合层制备紫外光照射显影处理紫外光曝光光刻胶图案化入射上移穿过覆盖

[发明专利]单晶硅晶向间刻蚀速率比的提高方法-CN202110647558.9在审
发明人：谭鑫;焦庆斌;马振予 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅晶向间刻蚀速率比的提高方法，如下步骤：S1、在单晶硅片上生长抗蚀层，并在抗蚀层上涂覆光刻胶并进行前烘；S2、在光刻胶的表面制作扇形光刻胶掩模图形；S3、先后利用抗蚀层刻蚀液、单晶硅刻蚀液将扇形光刻胶掩模图形转移到单晶硅片上；S4、利用扇形光刻胶掩模图形内不同矩形条对应不同刻蚀现象确定单晶硅片的晶向；S5、在光刻胶的表面制作微纳器件光刻胶掩模图形；S6、利用抗蚀层刻蚀液将微纳器件光刻胶掩模图形转移至抗蚀层上得到抗蚀层掩模图形，并去除光刻胶；S7、利用单晶硅刻蚀液将抗蚀层掩模图形转移至单晶硅片上。
单晶硅刻蚀速率提高方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810468057.2在审
发明人：胡致嘉;陈明发;尤昶清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：在第一介电层之上沉积第一光刻胶；使用第一光刻掩模将第一光刻胶暴露于第一曝光；以及使用第二光刻掩模将第一光刻胶暴露于第二曝光。第一光刻胶的交叠区被暴露于第一曝光及第二曝光二者。此后，将第一介电层图案化以在交叠区中形成掩模叠置对齐标记。所述图案化包括：刻蚀第一介电层以形成沟槽；以及以导电材料填充沟槽以产生对齐标记。在对齐标记之上沉积第二介电层，且在所述第二介电层之上沉积第二光刻胶。使用用于对准的下伏的掩模叠置对齐标记将第三光刻掩模对齐到第二光刻胶。
光刻胶介电层对齐标记光刻掩模沉积曝光半导体装置交叠区图案化叠置掩模暴露导电材料填充对齐刻蚀制造对准

[发明专利]用于光刻应用的光刻胶层上碳的选择性沉积-CN202180032526.6在审
发明人：拉里·高;南希·冯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种蚀刻硬掩模层的方法，包括在包含含金属材料的硬掩模层上形成包含有机金属材料的光刻胶层，通过具有选定图案的掩模将光刻胶层暴露于紫外线辐射，去除光刻胶层的未照射区域以图案化光刻胶层，在经图案化的光刻胶层的顶表面上选择性地形成包含含碳材料的钝化层，及蚀刻由上面形成有钝化层的经图案化的光刻胶层暴露的硬掩模层。
用于光刻应用胶层上碳选择性沉积

[发明专利]用于使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片的方法和系统-CN201780068886.5有效
发明人： M·N·J·范科尔维克;V·S·凯伯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种使用无掩模光刻曝光系统诸如带电粒子多束波光刻系统(301A‑301D)创建电子器件诸如半导体芯片的方法。无掩模光刻曝光系统包括光刻子系统(316)，光刻子系统包括无掩模图案写入器诸如带电粒子多束波光刻机(1)或电子束机器。方法包括在将图案数据以流传送至无掩模图案写入器之前将独特芯片设计数据(430)或与独特芯片设计数据相关的信息引入至包括共用芯片设计数据的图案数据中。
用于使用带电粒子波光系统制造独特芯片方法

[发明专利]一种提高数字无掩模光刻分辨力的方法-CN201110286667.9无效
发明人：罗宁宁;高益庆;张志敏;吴华明 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2011-09-24 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高数字无掩模光刻分辨力的方法，涉及无掩模光刻技术领域。它是先将原始空间频率较高的灰度掩模分解成m幅与原始灰度掩模大小相等、空间频率稍低的灰度掩模，再依次将每幅降频后的灰度掩模分解成n幅大小相等的低频二值掩模。原始空间频率较高的灰度掩模共分解成m n幅二值掩模，利用SLM动态控制掩模的特性，将这m n幅二值掩模沿垂直于掩模所在平面的方向顺序对准叠加曝光，每幅掩模的曝光时间ti遵循一定的变化规律。本发明提出的方法避免了数字灰度掩模中相邻像素因灰阶不同而构成高频光栅的情况，从而降低精缩透镜组低通滤波特性对曝光的影响，较好地改善了光刻胶上曝光图形的边缘锐度，提高了数字无掩模光刻的分辨力。
一种提高数字无掩模光刻分辨力方法

[发明专利]掩模对准系统、掩模对准方法和光刻设备-CN202110422477.9在审
发明人：高爱梅;武震;李星辰 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及光刻设备及工艺技术领域，尤其涉及一种掩模对准系统、掩模对准方法和光刻设备。该掩模对准系统包括数据处理装置、图像采集装置、工作台、掩模台、成像装置和投影物镜。工作台和掩模台分别设置于投影物镜的两侧，基准版的基准标记通过投影物镜呈倒立放大的像投射在掩模版上，成像装置的物侧朝向掩模版，图像采集装置设置于成像装置的像侧，数据处理装置能够对拍摄图像进行图像处理，确定掩模版与工作台的相对位置关系该掩模对准方法和该光刻设备均采用该掩模对准系统。该掩模对准系统、掩模对准方法和光刻设备，对于测量范围的限制较小，能够应对多种多样的套合标记。
对准系统方法光刻设备