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[发明专利]通用掩模版及其应用-CN201210127846.2有效
发明人：宋矿宝 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种至少用于两种光刻机的曝光作业的通用掩模版，包括：多个第一掩模版对位标记，以及多个第二掩模版对位标记，其中，所述第一掩模版用于第一种光刻机的曝光，所述第二掩模版用于第二种光刻机的曝光。通过本发明的通用掩模版可以实现ASML步进光刻机与NIKON步进光刻机之间的对位互套作业。
通用模版及其应用

[发明专利]用于注入光刻胶的保护层-CN200880123005.6有效
发明人：安德鲁·R·罗马诺;S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在该基片上方形成图案化光刻胶掩模，其中该图案化光刻胶掩模具有图案化光刻胶掩模特征。保护层通过执行循环沉积而沉积在该图案化光刻胶掩模上方，其中每个循环包括在光刻胶材料组成的图案化掩模的表面上方沉积沉积层的沉积阶段和提供垂直侧壁的形貌成形阶段。离子束将掺杂剂注入该基片。去除该保护层和光刻胶掩模。
用于注入光刻保护层

[发明专利]光刻方法-CN201010567658.2无效
发明人：孙武;张海洋;鲍宇;安辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面依次形成DBARC层、硬掩模层以及光刻胶掩模；以所述光刻胶掩模为掩模依次刻蚀硬掩模层、DBARC层以及待刻蚀层，且所述刻蚀还同时去除光刻胶掩模以及硬掩模层本发明所述的光刻掩模采用可溶于显影液的DBARC材质作为底部抗反射层，并在刻蚀后直接通过显影液清洗去除，从而避免了对通孔或沟槽内壁的介质产生损伤。
光刻方法

[发明专利]低成本光刻技术-CN03108107.X无效
发明人：张国飙 -专利权人：张国飙
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提出的低成本光刻技术基于两种方案：1.使用低精度的nF开口掩模版(开口大小～nF，n＞1)形成高精度的开口类图形(开口大小～1F)；2.通过使用运算型光刻系统和/或光刻编程系统来提高掩模版的再使用率它可以用来实现光刻编程集成电路等。低成本光刻技术中的图形分布还能应用到高精度掩模版中，实现高阶修正掩模版(即对掩模版图形进行高阶修正)和掩模版的冗余修复(即通过冗余掩模图形来修复有缺陷的掩模版)。
低成本光刻技术

[发明专利]掩模装置-CN202010031294.X在审
发明人：李柯;张波;杨大伟;王瑞瑞;刘家璇;杨兵兵;钱宏 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种掩模装置，掩模版设置有镂空缝，镂空缝组成镂空图案。围挡部与掩模版包围形成容纳腔。围挡部在掩模版所在平面的正投影围绕镂空缝在掩模版所在平面的正投影设置。当需要在待刻蚀膜层形成具有掩模版上镂空图案的光刻胶层时，可以在容纳腔中注入光刻胶，并将掩模装置放置于待刻蚀膜层的上方，光刻胶通过镂空缝流出沉积在待刻蚀膜层的表面，形成具有镂空图案的光刻胶层。因此，掩模装置结构简单，仅通过掩膜装置就可以完成制作具有镂空图案的光刻胶层的工艺，能够省去涂胶设备、曝光设备和显影设备，降低了生产成本。同时，容纳腔中的光刻胶几乎全部形成与镂空图案对应的光刻胶图案，减少了光刻胶的用量。
装置

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法-CN201310162577.8有效
发明人：于法波;熊涛;冯骏;许毅胜;吴楠 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该浅沟槽隔离结构的制造方法包括在衬底上形成多层掩模层；在多层掩模层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光，得到第一光刻胶图样；对第一光刻胶图样进行刻蚀，得到第二光刻胶图样；以第二光刻胶图样作为阻挡层，刻蚀第一掩模层，得到第一掩模层图样，其中第一掩模层为多层掩模层最上方的掩模层；以第一掩模层图样作为阻挡层，淀积预定宽度的氮化硅；以及，依次刻蚀氮化硅、多层掩模层和衬底，得到浅沟槽隔离结构。通过本发明，实现了在不采用ArF光刻机的情况下制造工艺节点为65nm及以下的器件的浅沟槽隔离结构。
沟槽隔离结构制造方法

[发明专利]检测光刻掩模的结构的方法和实行该方法的装置-CN201910558393.0有效
发明人： U.马特耶卡;T.谢鲁布尔;M.科赫;C.胡斯曼;L.斯托普;B.M.穆特 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：在检测光刻掩模的结构中，在至少一个优选的照明方向上用至少部分相干的光源的照明光来照明光刻掩模的部分。然后通过在检测平面中空间分辨地检测从照明的部分所衍射的照明光的衍射强度来记录照明的部分的衍射图像。然后对光刻掩模的其他部分重复“照明”和“记录衍射图像”步骤。在光刻掩模的由此检测的至少两个部分之间，各存在重叠区域，该重叠区域的表面范围的测量值为光刻掩模的两个部分中较小部分的至少5％或更多。该重复发生直到光刻掩模的所检测的部分完全覆盖光刻掩模的要检测的区域。从照明的部分的记录的衍射图像中计算光刻掩模的结构。还指定了一种实行结构检测方法的装置，其包括光源、空间分辨检测器和掩模夹持器。
检测光刻结构方法实行装置

[发明专利]一种等离子体光刻成像方法及装置-CN202211405494.2在审
发明人：丁虎文;韦亚一;刘丽红;董立松;李梓棋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种等离子体光刻成像方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的目标成像结构，目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形，将目标掩模图形输入快速成像模型，得到目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，快速成像模型是利用目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的，本申请中通过目标成像结构的训练掩模图形以及训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练快速成像模型，这样该模型就可以后续用于快速输出目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，提高对于等离子体光刻成像的输出效率，为后续对等离子体光刻成像进行研究提供了有效模型，极大地方便了对于等离子体光刻技术的研究。
一种等离子体光刻成像方法装置

[发明专利]一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法-CN201110150741.4无效
发明人：王剑;戴韫青;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法，其特征在于，采用吸气方式清除光刻掩模板表面的微尘颗粒。本发明的一种清除光刻掩模板表面微尘颗粒的方法，由于将现有的采用吹气方式清除光刻掩模板表面的微尘颗粒的方法改为吸气方式，可以有效清除光刻掩模板表面的微尘颗粒，并避免了传统的吹气方式所带来的问题，工艺过程简单且易控制
一种清除光刻模板表面微尘颗粒方法

[发明专利]用于直接写入光刻的产生可变间距嵌套线或接触孔的方法-CN200410043262.2无效
发明人：纳比拉·巴巴－阿里 -专利权人： ASML控股股份有限公司
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文提供了一种用于显影光刻掩模布局的方法和系统。该光刻掩模布局适用于在无掩模光刻系统中配置微镜面阵列。该方法包括生成一代表与期望图象有关的图象特征的理想掩模布局。接着，根据理想掩模布局的平均强度产生等效掩模。
用于直接写入光刻产生可变间距嵌套接触方法

[发明专利]降低线条粗糙度的混合光刻方法-CN201210357244.6有效
发明人：孟令款;李春龙;贺晓彬;李俊峰;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条依照本发明方法，采用材质不同多层硬掩模层并多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。
降低线条粗糙混合光刻方法

[发明专利]一种数字掩模投影光刻优化方法及系统-CN202110580510.0有效
发明人：赵圆圆;陈经涛;朱建新;段宣明 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明为解决数字掩模投影光刻存在实际光刻图形偏离目标设计图形、光刻分辨率难以提高的问题，提出一种数字掩模投影光刻优化方法及系统，其方法包括以下步骤：建立以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式，构建数字掩模投影光刻成像模型DDA0003085877640000011.TIF" imgContent="drawing" imgFormat="TIFF" orientation="portrait" inline="yes" />并对所述数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于所述代价函数F计算对于数字掩模的梯度，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化，在迭代一定次数或者满足一定条件之后停止迭代，得到数字掩模M；将所述数字掩模M加载在空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案
一种数字投影光刻优化方法系统

[发明专利]光刻胶掩模及其制作方法-CN02153956.1无效
发明人：侯德胜;冯伯儒;张锦 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2002-12-09 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：光刻胶掩模及其制作方法，该掩模由透明基片上的光刻胶膜层构成，利用光刻胶膜层对不同波长入射光的透过率不同的特性，选用对曝光波长透过率低的光刻胶膜层直接作为掩蔽层，该光刻胶掩蔽层对曝光光束的透过率在5％以内其制作方法是将选用的光刻胶按实验确定的厚度用匀胶机均匀涂敷在玻璃或石英等透明基片上，做成光刻胶版；再对光刻胶版进行曝光、显影等工艺处理后制成有图形的实用掩模。该掩模结构简单，制作容易，成本低，且对环境不造成污染，采用该掩模可达到与普通铬掩模相同的光刻分辨力。
光刻胶掩模及其制作方法

[发明专利]掩模台、光刻系统及光刻方法-CN202310811587.3在审
发明人：刘利晨;夏忠平 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模台、光刻系统及光刻方法。其中，所述掩模台设置有切换单元，且所述切换单元装载多块掩模板，以在不同的光刻需求下，通过移动所述掩模板来实现对掩模板种类的直接切换，无需将掩模板卸载下来，再另行安装，不仅降低了更换掩模板的操作难度，还大大缩短了更换时间，有利于提高光刻效率。以及，所述光刻方法利用可移动切换掩模板的掩模台来提高光刻效率。此外，在处理无效芯片区域时，选用透明掩模板作为光罩，不仅可以明确界定曝光区域，还可以令无效芯片区域上的膜层均被曝光，以在后续清洗的过程中能避免出现膜层坍塌，以及存在污染颗粒影响其他有效芯片，提高了曝光处理的效果
掩模台光刻系统方法

[发明专利]改进的光刻方法-CN202010302191.2在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种改进的光刻方法，所述方法包括：提供一光掩模板；测量所述光掩模板上光刻标记的放置误差；根据所述放置误差执行光刻工艺的校准流程。本申请通过测量光刻标记在光掩模板上的放置误差，并将放置误差应用到后续使用光掩模板的光刻工艺流程中的校准流程，以提高光刻工艺流程中的校准准确性。执行光刻工艺的校准流程。
改进光刻方法