专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种光刻机台的控制装置及方法-CN201010614732.1无效
  • 詹祥宇;李劲 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
  • 2010-12-21 - 2012-07-04 - G05B19/18
  • 本发明公开了一种光刻机台的控制装置及方法,其中装置包括:光刻机台控制模块,用于根据需要进行光刻操作的产品的描述信息,查找与该产品的描述信息对应的光刻机台控制信息;根据查找到的光刻机台控制信息,确定各光刻工步应使用的光刻机台;制造执行模块,用于根据光刻机台控制模块确定的光刻机台对该产品进行光刻工艺操作。本发明实施例提供的光刻机台的控制装置及方法,在对产品进行光刻操作之前,用户可针对不同光刻工艺要求的产品,预先设置与其对应的光刻机台控制信息,进而能够实现对不同的光刻机台,选择使用适宜其光刻工艺要求的光刻机台进行光刻,提高了对产品进行光刻光刻机台选择的灵活性并相应地提高了光刻的准确度。
  • 一种光刻机台控制装置方法
  • [发明专利]一种光刻对准方法-CN201710961708.7在审
  • 黄涛 - 晶能光电(江西)有限公司
  • 2017-10-17 - 2019-04-23 - G03F9/00
  • 本发明提供了一种光刻对准方法,包括:S1在待光刻基底上进行第一道光刻工序得到第一光刻图形,第一光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记;S2在第一光刻图形表面进行第二道光刻工序得到第二光刻图形,第二光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记;S3在第二光刻图形表面进行第三道光刻工序得到第三光刻图形,其中,当其不为最后一道光刻工序,则第三光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记,否则不包括下一道光刻工序的对位标记。采用一对一的光刻对准方法,将误差限定在每一次的光刻中,得到的图形不会超出上次的光刻图形,避免累积误差,极大地提升制程稳定性与良率确保光刻机对准精度内的图形设计对准精确,不出现图形偏移。
  • 光刻图形光刻工序光刻对位标记对准累积误差图形设计光刻机偏移一对一基底良率制程
  • [发明专利]可提高光刻精度的遮罩-CN201610586299.2在审
  • 吕耀安 - 无锡宏纳科技有限公司
  • 2016-07-22 - 2016-09-21 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种可提高光刻精度的遮罩,包括透镜组;深紫外光经由透镜组射出;透镜组的光射出方向固定有光刻遮罩;所述光刻遮罩;所述光刻遮罩下方设置有待处理晶片;待处理晶片之上粘贴有光刻胶;所述光刻胶有多个,相邻的光刻胶之间为第一空档;多块光刻胶组成光刻图案;光刻遮罩也有多个,每个光刻遮罩的位置与光刻胶的位置严格对应;相邻的光刻遮罩之间为第二空档;每两个相邻的光刻遮罩为一组,组成一组的两个光刻遮罩下方安装有一个移向透镜;每个光刻遮罩只有一个边缘被光刻遮罩覆盖。本发明通过增加移向透镜,改变了深紫外光在光刻胶边缘的相位,使得光刻边缘的深紫外光分辨率更高,有利于提高半导体器件的关键宽度。
  • 提高光刻精度
  • [发明专利]一种光刻胶涂布系统及方法-CN201711392363.4在审
  • 朱治国 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-12-21 - 2018-04-20 - B05B13/02
  • 本发明提供了一种光刻胶涂布系统及方法,所述光刻胶喷涂系统包括晶圆承载台、驱动装置、光刻胶存储装置及光刻胶喷头;所述驱动装置与所述晶圆承载台连接以驱动所述晶圆承载台旋转;所述光刻胶喷头位于所述晶圆承载台上方,所述光刻胶喷头的数量为多个,每个所述光刻胶喷头均与所述光刻胶存储装置活动连接。光刻胶喷头位于晶圆承载台上方,光刻胶喷头的数量为多个,每个光刻胶喷头均与光刻胶存储装置活动连接,由此可以根据晶圆的尺寸、光刻胶均匀性设置光刻胶喷头的位置,从而使得光刻胶喷头更好的适应对于晶圆的涂布,由此能够减少光刻胶涂布的时间,减少甩出晶圆的光刻胶量,最后减少了光刻胶使用量,还减少了光刻胶涂布不良。
  • 一种光刻胶涂布系统方法
  • [发明专利]一种全自动单面数字光刻方法-CN202210115558.9在审
  • 陈志特;王华;黄海浩;甘泉;何增灿;龚海峰 - 广东科视光学技术股份有限公司
  • 2022-02-07 - 2022-04-01 - G03F7/20
  • 本发明提供一种全自动单面数字光刻方法,应用于PCB板的全自动单面数字光刻装置中,所述装置包括第一平台及第二平台、光刻主体及传动组件;所述方法包括如下步骤:所述传动组件带动所述第一平台向靠近所述光刻主体的方向移动;所述光刻主体对所述第一平台上的待光刻线路板的待光刻表面进行数字光刻处理;在所述第一平台上的待光刻线路板进行数字光刻处理的同时所述传动组件带动所述第二平台向靠近所述光刻主体的方向移动;在所述第一平台上的进行数字光刻处理完毕后的光刻线路板进行出料后,所述光刻主体对所述第二平台上的待光刻线路板的待光刻表面进行数字光刻处理。本发明提供的全自动单面数字光刻方法,提高了光刻效率,提高了光刻的数字化程度。
  • 一种全自动单面数字光刻方法
  • [发明专利]修正光刻胶图形误差的方法-CN200810113982.X有效
  • 陈海华;黄怡;张海洋 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2008-05-30 - 2009-12-02 - G03F1/14
  • 一种修正光刻胶图形误差的方法,包括下列步骤:根据密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的电路图形尺寸,依次执行第一光刻胶修剪步骤、第二光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形或依次执行第二光刻胶修剪步骤、第一光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形;检测所述光刻胶图形,若所述密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形中相同电路图形的尺寸差异超过跨栅距蚀刻偏差的范围,则重复上述步骤,其中,所述第一光刻胶修剪步骤与第二光刻胶修剪步骤中密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的蚀刻速率比较结果相反所述修正光刻胶图形误差的方法减小了密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的尺寸差异,提高了光刻工艺的精度。
  • 修正光刻图形误差方法
  • [实用新型]一种双面光刻装置-CN201220216139.6有效
  • 苗任忠 - 朝阳无线电元件有限责任公司
  • 2012-05-15 - 2012-12-12 - G03F7/20
  • 本实用新型公开了一种双面光刻装置,包括光刻机、双面对准光刻版和光刻板固定夹具;其光刻板固定夹具包括调整框、铝盖、锁紧夹和铝座架;双面对准光刻版包括规格相同的光刻版B和光刻版A,光刻版B和光刻版A四个角上均有专用对准标记;光刻版B固定在铝盖上,光刻版A固定在铝座架上,硅片置于光刻版B和光刻版A之间,通过两个锁紧夹将光刻版B、硅片和光刻版A牢牢固定。本实用新型改善了现有技术的工艺成本,提供一种结构性夹具,配合在光刻版图上做出对准标记,应用机械导柱和引导腔体设计,保证上下版图对准重复精度小于3μm,提高了劳动效率。
  • 一种双面光刻装置
  • [发明专利]一种将光刻板与硅片贴合的方法及光刻-CN201911173826.7在审
  • 林生财;刘振辉;王胜利 - 深圳市矽电半导体设备有限公司
  • 2019-11-26 - 2020-02-28 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种将光刻板与硅片贴合的方法及光刻机。一种将光刻板与硅片贴合的方法,用于实现光刻板与硅片贴合,所述光刻板和/或硅片浮动,光刻板与硅片之间通有真空而吸附贴合;一种光刻机,包括,浮动连接于机架的光刻板,载物部能够相对于光刻板运动使载物部上的硅片贴合于光刻板;一种光刻机,光刻板浮动连接于机架;载物部设置有第二密封部,所述第二密封部环绕硅片设置;载物部运动使硅片贴合于光刻板时,所述第二密封部与光刻板之间形成真空吸附区域,所述硅片容纳于所述真空吸附区域;通过在光刻板于硅片之间形成真空使光刻板贴合于硅片,从而保证硅片与光刻板之间紧密贴合,保证了对硅片光刻的位置精度。
  • 一种刻板硅片贴合方法光刻
  • [实用新型]光刻板清洗装置-CN202022159929.2有效
  • 宋艳汝;杨瑾屏;刘志 - 上海科技大学
  • 2020-09-27 - 2021-10-26 - B08B3/08
  • 本实用新型公开了一种光刻板清洗装置。所述光刻板清洗装置包括置于耐有机溶剂容器内的光刻板清洗花篮,所述光刻板清洗花篮包括用于放置光刻板的支架;所述光刻板清洗花篮的边缘处设有用于拿取光刻板的拇指槽。首先,将光刻板的光刻胶接触面向下置于光刻板清洗花篮的支架上;然后,将光刻板清洗花篮放入已装满有机溶剂的耐有机溶剂容器中;最后,将耐有机溶剂容器连同光刻板、光刻板清洗花篮一起放入超声清洗机中进行清洗。本实用新型设计结构简单、易操作,可以在不接触容器的前提下夹持光刻板,光刻板使用面可朝下放入,能减少在清洗过程中已经脱离的光刻胶残留物、粉尘颗粒回落到光刻板表面而产生二次污染的概率,提高光刻板寿命。
  • 刻板清洗装置

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