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[发明专利]一种掩模台系统及光刻机-CN201710682505.4在审
发明人：文卫朋 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模台系统，所述掩模台系统通过吊框安装在光刻机中，包括掩模台、掩模台底座、掩模台驱动单元、运动控制单元以及缓冲机构，所述缓冲机构固定在所述吊框上并与所述掩模台底座连接，用于削弱因掩模台驱动单元驱动掩模台而作用到掩模台底座上的驱动反力本发明通过缓冲机构的机械减振和运动控制单元的系统补偿调控，能够有效降低由于驱动反力引起的掩模台振动，提高了掩模台的运动精度和稳定性，进而提高了光刻机的整机减振性能和动力学性能，维持了光刻装置的套刻和线宽指标
掩模台掩模台系统缓冲机构光刻机运动控制单元驱动单元底座吊框反力动力学性能驱动底座连接光刻装置减振性能驱动掩模系统补偿体积小减振套刻线宽整机削弱调控保证

[发明专利]掩模版图校正方法、掩模版图和掩模版制造方法-CN200910056019.7有效
发明人：朴世镇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种掩模版图校正方法、掩模版图和掩模版制造方法，其中，所述掩模版图校正方法，包括：对掩模版图进行检查，选出其中间距小于光刻设备分辨率的至少一对掩模版图案对；从每一对掩模版图案对中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅助图案，以替换所述选出的掩模版图案；其中，所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，且所述辅助图案的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上本发明通过构建辅助图形，使得仅采用一次曝光就能够实现其关键尺寸小于光刻设备分辨率的图形的转移，节省了大量人力和时间，提高了生产效率，节约了成本。
模版校正方法制造

[发明专利]具有对由掩模引起的成像像差的校正的操作投射曝光设备的方法-CN201180016812.X有效
发明人： J.罗夫 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及针对掩模适配微光刻的投射曝光设备的方法，该掩模具有在不同的结构方向具有不同节距和/或不同结构宽度的结构，其中通过微光刻的投射曝光设备的操纵器减小由掩模引起的波前像差。
具有引起成像校正操作投射曝光设备方法

[发明专利]一种紧凑型无掩模光刻系统及其曝光方法-CN202110155435.3在审
发明人：李春;周思瀚;张思琪;兰长勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种紧凑型无掩模光刻系统及其曝光方法，应用于无掩模数字光刻领域，针对现有技术存在的光路折叠导致紫外光能量急剧缩减的问题，本发明将紫光与红光集成在同一个平面，保证紫光与红光形成同轴光源，红光用作照明以及曝光图形对准，紫光用于曝光分布与光轴四周，解决了目前无掩模光刻系统中，结构复杂、所用元件过多导致光刻系统体积过大的问题；因光路复杂引发的光能利用率低而导致的光刻系统光刻效率低下的问题。
一种紧凑型无掩模光刻系统及其曝光方法

[发明专利]布局图形的检查方法-CN201310398625.3有效
发明人：王辉;李天慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种布局图形的检查方法，包括：提供目标图形和光学透镜系统，以及根据目标图形和光学透镜系统设计的原始光掩模图形；获取所述原始光掩模图形和光学透镜参数，根据光学透镜系统参数对所述原始光掩模图形进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强；获取光刻参数，根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的光刻光强；逐一比较所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获取两者的区别值，当所述区别值大于第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。提高了找到的潜在的缺陷点的准确率，因此，可得到较为准确的初步符合要求的设计光掩模图形。
掩模图形原始光光刻光学透镜系统光强布局图形目标图形空间光模型化光学透镜参数光掩模图形所述空间预定值时潜在的缺陷点准确率检查

[发明专利]一种增大光刻胶光栅掩模占宽比的加工方法-CN201810156245.1有效
发明人：郑衍畅;胡华奎;王海;杨春来 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明适用于光栅加工技术领域，提供了一种增大光刻胶光栅掩模占宽比的加工方法，包括如下步骤：将带有光刻胶光栅掩模的基底放置于加热平台上；在光栅掩模的表面加盖PDMS垫片，并进行预热；用圆棒在PDMS垫片上朝着光栅条的延伸方向单向滚压，直至PDMS垫片与光栅掩模完全接触；在PDMS垫片上依次加盖薄纸片及玻璃基片；从上到下对玻璃基片施加载荷，对光栅基底进行加热；对光栅进行冷却，冷却至光刻胶的玻璃化转变温度以下，依次卸除载荷、玻璃基片及薄纸片；揭开PDMS垫片的一端，缓慢的揭掉整个PDMS垫片，获得占宽比增大的光刻胶光栅掩模。通过上述加工方法获取的光栅掩模占宽比明显增大的同时，光栅掩模线条粗细均匀，且光栅掩模线条表面平整，侧壁陡直。
一种增大光刻光栅掩模占宽加工方法

[发明专利]光刻机光源与掩模的联合优化方法-CN201410160451.1有效
发明人：李兆泽;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻机光源与掩模优化方法，利用像素化的光源照明模式与掩模,将理想图形与当前光源照明模式曝光下掩模对应的光刻胶像之间欧氏距离的平方作为评价函数,利用随机并行梯度速降算法计算评价函数的梯度信息,通过评价函数的梯度信息引导光源与掩模的优化过程，获得最佳的光源照明模式与掩模图形。本发明避免了求解评价函数梯度解析表达式，降低了优化的复杂程度，提高了优化效率，有效提高了光刻机的分辨率。
光刻光源联合优化方法

[发明专利]表面光栅半导体激光器及其制作方法-CN202010171721.4有效
发明人：梁松 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：一种表面光栅半导体激光器及其制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、量子阱层、包层及接触层；在接触层上沉积SiN层，并制作SiN光栅掩模；在SiN光栅掩模及裸露的接触层上沉积SiO2层；在SiO2层上涂覆光刻胶，并制作光刻胶脊型条掩模；利用干法刻蚀技术去除光刻胶脊型条掩模外的SiO2层及SiN光栅掩模；利用选择性腐蚀SiO2层，使SiO2层发生侧向腐蚀形成SiO2脊波导掩模；去除光刻胶，在SiO2脊波导掩模及SiN光栅掩模的保护下利用干法刻蚀技术刻蚀接触层及包层，完成脊波导及表面光栅制作。本发明的器件位于脊波导两侧的表面光栅可采用普通光刻工艺实现，有利于降低器件制作成本。
表面光栅半导体激光器及其制作方法

[发明专利]三维测量光刻掩模的3D空间像的方法-CN201580045261.8有效
发明人： U.马特卡;C.胡泽曼;J.劳夫;S.佩利茨;H-J.曼 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于在光刻掩模(5)成像期间三维测量在像平面周围区域中的3D空间像的方法，光刻掩模布置在物平面(4)中，考虑在彼此垂直方向(x，y)中的可选成像比例比。为此，在成像光与光刻掩模(5)相互作用之后重构成像光(1)的电磁波前。包含一对应于成像比例比的作用变量。最后，输出通过包含该作用变量测量的3D空间像。这导致测量方法还可用于测量优化用于在投射曝光期间在变形投射光学单元的情况下使用的光刻掩模。
三维测量光刻空间方法

[实用新型]一种改善光照均匀性的光刻机-CN202121007699.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：常熟埃眸科技有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善光照均匀性的光刻机，包括光刻箱、导光箱和导光筒，还包括掩模座和取料槽，所述光刻箱顶部通过螺栓安装有导光箱，所述导光箱一侧顶部通过螺栓穿设安装有导光筒，所述导光箱内顶部通过螺栓安装有三棱镜，所述导光箱内底部通过螺栓安装有掩模座，所述掩模座顶部开设有掩模版槽，所述光刻箱内底部通过螺栓安装有座板，所述座板顶部通过螺栓安装有Z轴电动滑轨，所述Z轴电动滑轨的Z轴滑动块顶部通过螺栓安装有X轴电动滑轨整体改善光照均匀性的光刻机使用稳定高效，能够对光刻设备作业环境更加稳定，助于光照更加均匀，大大提升光刻的品质，具有较高的实用性。
一种改善光照均匀光刻

[发明专利]一种曝光控制方法及装置-CN202210988334.9在审
发明人：蕭志偉;卢运增;宋月春 -专利权人：泉意光罩光电科技（济南）有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种曝光控制方法及装置，方法包括：对待刻蚀掩模板上的光刻胶层进行曝光；对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光，所述目标图形是从所述亚分辨率辅助图形中筛选出的，以利用所述目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中所述可曝光图形成像的图形轮廓通过对从亚分辨率辅助图形中筛选出来的目标图形以及其上的光刻胶层继续进行曝光，以便利用继续曝光的目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中可曝光图形的图形轮廓，相较于对全部掩模板以及其上的光刻胶层的图形增加曝光时长或曝光次数，只对目标图形以及其上的光刻胶层进行继续曝光，能够降低在制造掩模板过程中的成本，并且提高制造得到的掩模板的图形的精度和辨别度。
一种曝光控制方法装置

[发明专利]改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法-CN201610510527.8有效
发明人：黄海辉;杨渝书;乔夫龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法，包括：在衬底上依次形成垫氧层、氮化硅硬掩模层、底部抗放射涂层以及光刻胶层，并且对光刻胶层进行显影以形成光刻胶图案；利用形成图案的光刻胶层，对氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层进行干法刻蚀以形成氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层的图案；去除光刻胶层和底部抗放射涂层，并去除多聚物残留和表面颗粒；利用形成图案的氮化硅硬掩模层来刻蚀垫氧层以减小暴露的垫氧层区域的厚度；利用形成图案的氮化硅硬掩模层作为阻挡层来进行离子注入；使用湿法刻蚀去除氮化硅硬掩模层
改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程衬底完整性方法

[发明专利]带有散射条的掩模版组合及光刻方法-CN200810036660.X无效
发明人：王伟斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有散射条的掩模版组合，包括第一掩模版和第二掩模版：第一掩模版包括对准标记、核心图形和位于核心图形旁边的散射条，所述散射条的宽度大于适用于该光刻版组合的光源的最小成像尺寸；第二掩模版包括与第一掩模版的对准标记相同的对准标记、遮挡图形；当两块掩模版的对准标记重合时，所述第二掩模版的遮挡图形可以将第一掩模版的核心图形完全覆盖，并且与第一掩模版的散射条之间不发生重合。本发明还提供了采用带散射条的掩模版组合进行光刻的方法。本发明的优点在于，对传统的带有散射条的掩模版加以改进，增大了散射条的宽度，并采用第二块掩模版进行再次曝光，克服了小线宽下散射条难以制作问题，提高了光刻工艺的质量。
带有散射模版组合光刻方法

[发明专利]一种基于残差网络的光刻掩模优化方法-CN202210062320.4在审
发明人：许爽;肖再南;唐青;曹唯一;陈志强;李思萌;林馨怡 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于残差网络的光刻掩模优化方法，通过光刻逆向优化过程对残差网络进行训练，优化残差网络参数，随后将初始掩模图形输入网络，并将优化结果输入正向光刻模型，得到晶圆曝光图像。本发明方法通过对残差网络进行逆向优化训练，减少掩模优化迭代次数，大幅度提升深度网络准确率，避免了网络层数增加产生的梯度消失的问题，实现了对光刻生成图像的畸变校正。
一种基于网络光刻优化方法

[发明专利]基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法-CN201710212027.0在审
发明人：李勇;倪惠彬 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：本发明提供一种基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，包括步骤：步骤1），于掩模版上形成正型化学增强光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；步骤2），对曝光后的光刻胶进行前烘及冷却；步骤3），对所述光刻胶进行显影形成图形光刻胶，并对所述掩模版进行湿法腐蚀以形成图形掩模版；步骤4），去除所述图形光刻胶；以及步骤5），对所述图形掩模版进行关键尺寸测量。
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