专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果313670个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]采用深沟槽隔离的图像传感器-CN201520352531.7有效
  • 赵立新;杨瑞坤 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2015-05-28 - 2015-09-09 - H01L27/146
  • 本实用新型提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器,包括:衬底,所述衬底包括衬底单晶层;单晶墙,凸出设置于衬底单晶层表面,所述单晶墙的侧表面覆盖有介质层;第一外延单晶层,位于所述单晶墙之间的衬底单晶层表面;第二外延单晶层,位于所述单晶墙顶表面和第一外延单晶层表面;图像传感器的部分器件,位于所述第一外延单晶层和第二外延单晶层中。本实用新型有效减少了隔离结构和外延单晶层的缺陷,避免了图像传感器器件的功能损害,提高了图像传感器器件质量。
  • 采用深沟隔离图像传感器
  • [发明专利]采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法-CN201510280051.9在审
  • 赵立新;杨瑞坤 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2015-05-28 - 2015-09-30 - H01L27/146
  • 本发明提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法,包括:提供衬底,所述衬底包括衬底单晶层;刻蚀所述衬底单晶层以形成若干凸起的单晶墙,所述单晶墙的顶表面和侧表面覆盖有介质层;选择性外延所述单晶墙之间的衬底单晶层表面以形成第一外延单晶层,去除覆盖单晶墙顶表面的介质层以暴露出单晶墙顶表面,选择性外延所述单晶墙顶表面和第一外延单晶层表面以形成第二外延单晶层;在所述第一外延单晶层和第二外延单晶层中形成图像传感器的部分器件。本发明有效减少了隔离结构和外延单晶层的缺陷,避免了图像传感器器件的功能损害,提高了图像传感器器件质量。
  • 采用深沟隔离图像传感器制作方法
  • [实用新型]一种单晶棒拉制装置-CN202222092534.4有效
  • 邓浩;文永飞;马少林;周锐;李侨;丁彪 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2022-08-09 - 2023-04-07 - C30B15/00
  • 本申请实施例提供了一种单晶棒拉制装置。单晶棒拉制装置包括:主炉体;坩埚,坩埚设置于所述主炉体内,用于容纳料;加热器,加热器设置于主炉体内,用于将坩埚内的料加热成液,以从液中生长单晶棒;以及传热组件,传热组件设置于所述单晶棒拉制装置内,传热组件在单晶棒通过时至少部分与单晶棒接触,以传导单晶棒的热量。本申请实施例中,传热组件可以至少部分与单晶棒接触,以将单晶棒的热量通过接触式传导的方式快速传导至传热组件,以提高单晶棒的纵向温度梯度,提高单晶棒的晶体生长速度,从而,增大单晶棒的拉制效率并降低单晶棒的生产成本
  • 一种单晶硅拉制装置
  • [发明专利]单片单晶微机械加工的电容式压力传感器-CN200510092880.0无效
  • 涂相征;李韫言 - 李韫言
  • 2005-08-25 - 2007-02-28 - G01L9/12
  • 一种微机械加工的电容式压力传感器,其结构主要包括:单晶衬底;处于单晶衬底表面,起电容器弹性电极作用的外延单晶层;处于单晶衬底边缘表面的外延单晶框架;覆盖外延单晶框架表面的介质薄膜;由外延单晶框架支持,起电容器固定电极作用的外延单晶层;由外延单晶框架所围绕,处于两外延单晶层之间的空洞夹层。传感器的制造采用多孔选择性形成,多孔上外延生长,以及多孔选择性腐蚀等技术。由于器件为全单晶结构,器件性能可以得到很大改进,制造成本也能大幅度降低。
  • 单片单晶硅微机加工电容压力传感器
  • [发明专利]绝缘体上的衬底的制造方法-CN96123922.0无效
  • 阿闭忠司 - 佳能株式会社
  • 1996-12-12 - 2002-09-04 - H01L21/20
  • 常规SOI衬底制造方法使用湿法刻蚀除去多孔单晶区,难于高真空中控制SOI衬底的浓度,会降低产生率。这里的方法包括在有至少具有多孔单晶区的单晶衬底上的多孔单晶区表面上形成无孔单晶区;借助于绝缘区将支撑衬底键合到所述无孔单晶区的表面上;以及除去所述多孔单晶区,其中除去多孔单晶区的步骤包括进行干法刻蚀的步骤,在此步骤中,多孔单晶区的刻蚀速率大于无孔单晶区的刻蚀速率。
  • 绝缘体衬底制造方法
  • [发明专利]一种单晶棒称重装置-CN202010394949.X在审
  • 郭志锋 - 郭志锋
  • 2020-05-12 - 2020-08-25 - G01G17/00
  • 本发明公开了一种单晶棒称重装置,其结构包括机体、称台、单晶棒第一提升机构、单晶棒、双向液压缸、移动式称重体、单晶棒第二提升机构、伸缩架,移动式称重体通过伸缩架与机体连接,移动式称重体顶部连接有称台,与现有技术相比,本发明的有益效果在于:通过单晶棒第一提升机构、单晶棒第二提升机构能够对单晶棒进行夹紧提升,后下降轻放于称台,防止单晶棒与称台的刚性碰撞,对单晶棒起到很好的保护作用,无须人工将单晶棒搬运到称台上进行称重,能够有效解决人工搬运单晶棒放置造成单晶棒磕碰受损的问题。
  • 一种单晶硅称重装置
  • [发明专利]单晶片材的制造方法-CN201910909721.7在审
  • 丁欣 - 丁欣
  • 2019-09-25 - 2021-03-26 - C30B25/18
  • 本申请提供了一种单晶片材的制造方法,包括:沿单晶棒材的径向或轴向方向切割单晶棒材,获得单晶基板;通过湿法腐蚀,对单晶基板的顶面和底面蚀刻多孔结构;通过化学气相沉积,在多孔结构上沉积单晶薄层,使得单晶薄层的厚度达到预定值;以及从多孔结构上剥离单晶薄层,获得单晶片材。本申请能够提高化学气相沉积法直接制作单晶硅片法产能,并且将硅片制造的工艺步序同传统上属于电池制造的扩散发射极的工序融合到一起,从而显著地降低了太阳能单晶电池的制造成本。
  • 单晶硅制造方法
  • [实用新型]单晶太阳能电池-CN201220678043.1有效
  • 杨瑞鹏;连春元;于奎龙;沈伟妙;丁鹏;赵燕萍 - 杭州赛昂电力有限公司
  • 2012-12-06 - 2013-06-05 - H01L31/068
  • 一种单晶太阳能电池,所述单晶太阳能电池包括:第一掺杂类型单晶层和位于所述第一掺杂类型单晶层上表面的第二掺杂类型单晶层;位于所述第二掺杂类型单晶层的表面的第一应力层,所述第一应力层的应力类型与第二掺杂类型单晶层的掺杂类型相对应;位于所述第一应力层表面的第一电极;位于第一掺杂类型单晶层下表面的第二电极。所述单晶太阳能电池能够有效提高单晶太阳能电池中载流子的迁移率,提高单晶太阳能电池的转换效率。
  • 单晶硅太阳能电池
  • [发明专利]一种单晶片的制备方法、电池片及电池组件-CN202010388082.7在审
  • 王彪;仲春华;王建波;朱琛;吕俊;杨飞 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2020-05-09 - 2021-11-26 - B28D5/04
  • 本发明提供的一种单晶片的制备方法、电池片及电池组件,包括:利用具有预设晶向的籽晶,制备得到具有预设晶向的单晶棒;沿平行于单晶棒的轴线方向对单晶棒进行开方操作;根据预设晶向和目标晶向,确定单晶棒的切割方向,并沿切割方向切割单晶棒,得到具有目标晶向的单晶片。本发明中,利用具有预设晶向的单晶棒,并沿根据预设晶向和目标晶向确定的切割方向切割所述单晶棒,因此在切割单晶棒时,切片机的金刚线会沿切割方向对所述单晶棒进行斜切,从而在不用增加单晶棒尺寸的情况下,得到具有较大尺寸和目标晶向的单晶片,提升了大尺寸单晶片的质量,降低了大尺寸单晶片的生产成本和制备难度。
  • 一种单晶硅制备方法电池组件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top